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1. 发明专利

TW201331998A 電漿處理系統及形成用於電漿處理之一磁場的方法审中-公开
简体标题：等离子处理系统及形成用于等离子处理之一磁场的方法
公开(公告)号：TW201331998A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101116459
申请日：2012-05-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林柏宏 , LIN, BO HUNG , 蔡明志 , TSAI, MING CHIH , 陳嘉和 , CHEN, CHIA HO , 高宗恩 , KAO, CHUNG EN
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32669
摘要：一種電漿處理系統，包括一處理室、複數個側電磁石及一電源供應器。處理室係容納一半導體工件。複數個側電磁石係繞著半導體工件之一周緣被定位，並且具有不受一工件尺寸支配之尺寸。電源供應器係經由複數個側電磁石傳輸電流，以造成個別的側電磁石產生複數個個別的磁場。複數個個別的磁場係繞著半導體工件從不同位置發出，並且係控制在處理室內之一電漿的分佈。
简体摘要：一种等离子处理系统，包括一处理室、复数个侧电磁石及一电源供应器。处理室系容纳一半导体工件。复数个侧电磁石系绕着半导体工件之一周缘被定位，并且具有不受一工件尺寸支配之尺寸。电源供应器系经由复数个侧电磁石传输电流，以造成个别的侧电磁石产生复数个个别的磁场。复数个个别的磁场系绕着半导体工件从不同位置发出，并且系控制在处理室内之一等离子的分布。

2. 发明专利

TWI509674B 電漿處理系統及形成用於電漿處理之一磁場的方法有权
简体标题：等离子处理系统及形成用于等离子处理之一磁场的方法
公开(公告)号：TWI509674B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW101116459
申请日：2012-05-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林柏宏 , LIN, BO HUNG , 蔡明志 , TSAI, MING CHIH , 陳嘉和 , CHEN, CHIA HO , 高宗恩 , KAO, CHUNG EN
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32669

3. 发明专利

TW201530611A 半導體元件金屬化系統及半導體元件處理方法审中-公开
简体标题：半导体组件金属化系统及半导体组件处理方法
公开(公告)号：TW201530611A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103144815
申请日：2014-12-22
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：李香寰 , LEE, HSIANGHUAN , 眭曉林 , SHUE, SHAULIN , 蒯光國 , KOAI, KUANGKUO , 陳海清 , CHEN, HAICHING , 曾同慶 , TSENG, TUNGCHING , 楊文成 , YANG, WENCHENG , 高宗恩 , KAO, CHUNGEN , 李明翰 , LEE, MINGHAN , 黃心巖 , HUANG, HSINYEN
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/321
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02631 , H01L21/2855 , H01L21/30604 , H01L21/3105 , H01L21/3212 , H01L21/67184 , H01L21/67207 , H01L21/677 , H01L21/67742 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76828 , H01L21/7684 , H01L21/76862 , H01L21/76871 , H01L21/76877
摘要：一種半導體元件金屬化系統及其方法，在多個實施方式中，一半導體元件金屬化系統包含一主框架以及複數個模組設置在緊鄰該主框架的位置。複數個模組其中之一包含一物理氣相沉積製程模組以及複數個模組其中之一包含一紫外線固化模組。
简体摘要：一种半导体组件金属化系统及其方法，在多个实施方式中，一半导体组件金属化系统包含一主框架以及复数个模块设置在紧邻该主框架的位置。复数个模块其中之一包含一物理气相沉积制程模块以及复数个模块其中之一包含一紫外线固化模块。

4. 发明专利

TWI496927B 物理氣相沉積系統、用於一物理氣相沉積系統之磁電管及用於使一磁電管運作以提供一可調整對稱磁軌之方法有权
简体标题：物理气相沉积系统、用于一物理气相沉积系统之磁电管及用于使一磁电管运作以提供一可调整对称磁道之方法
公开(公告)号：TWI496927B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW101119474
申请日：2012-05-31
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林柏宏 , LIN, BO HUNG , 蔡明志 , TSAI, MING CHIH , 周友華 , CHOU, YOU HUA , 高宗恩 , KAO, CHUNG EN
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/351 , C23C14/35 , H01J37/32669 , H01J37/3408 , H01J37/3452 , H01J37/3455 , H01J37/3461

5. 发明专利

TW201335410A 物理氣相沉積系統、用於一物理氣相沉積系統之磁電管及用於使一磁電管運作以提供一可調整對稱磁軌之方法审中-公开
简体标题：物理气相沉积系统、用于一物理气相沉积系统之磁电管及用于使一磁电管运作以提供一可调整对称磁道之方法
公开(公告)号：TW201335410A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101119474
申请日：2012-05-31
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林柏宏 , LIN, BO HUNG , 蔡明志 , TSAI, MING CHIH , 周友華 , CHOU, YOU HUA , 高宗恩 , KAO, CHUNG EN
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/351 , C23C14/35 , H01J37/32669 , H01J37/3408 , H01J37/3452 , H01J37/3455 , H01J37/3461
摘要：一種物理氣相沉積系統，包括一處理室、一濺鍍靶材及一磁電管。處理室係容置一工件。濺鍍靶材係設置於處理室之內。磁電管包括一磁性元件、一第一流動元件及一第二流動元件。磁性元件係定位於濺鍍靶材之一背側上，用以產生在處理室內與離子運作之一磁場。第一流動元件係使磁性元件移動於一環狀方向之中。第二流動元件係使磁性元件直線移動於與環狀方向中之移動同時發生之一徑向方向之中。同時發生之環狀與徑向運動係使磁性元件沿一對稱磁軌移動。
简体摘要：一种物理气相沉积系统，包括一处理室、一溅镀靶材及一磁电管。处理室系容置一工件。溅镀靶材系设置于处理室之内。磁电管包括一磁性组件、一第一流动组件及一第二流动组件。磁性组件系定位于溅镀靶材之一背侧上，用以产生在处理室内与离子运作之一磁场。第一流动组件系使磁性组件移动于一环状方向之中。第二流动组件系使磁性组件直线移动于与环状方向中之移动同时发生之一径向方向之中。同时发生之环状与径向运动系使磁性组件沿一对称磁道移动。

6. 发明专利

TWI225520B 金屬濺鍍機定期清潔保養的方法有权
简体标题：金属溅镀机定期清洁保养的方法
公开(公告)号：TWI225520B
公开(公告)日：2004-12-21
申请号：TW089102467
申请日：2000-02-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：王明璁 WANG, MING TSONG , 高宗恩 , 劉光興 LIU, KUANG HSING , 陳大彬
IPC分类号： C23C
摘要：一種金屬濺鍍機定期清潔保養的方法：首先判斷是否需要金屬濺鍍機定期清潔保養，確認後即可進行定期清潔保養，本發明特徵在於以工具研磨濺鍍機靶材表面，最後，回復金屬濺鍍機反應室真空狀態，就完成了金屬濺鍍機定期清潔保養，本發明的工具包含一支撐座與一靶材磨平處理裝置，支撐座有複數個固定裝置使所述靶材磨平處理裝置僅能與所述靶材表面垂直接觸，能夠有效率且經濟的對靶材作清潔處理，並且不會影響靶材的晶格方向及材料特性。
简体摘要：一种金属溅镀机定期清洁保养的方法：首先判断是否需要金属溅镀机定期清洁保养，确认后即可进行定期清洁保养，本发明特征在于以工具研磨溅镀机靶材表面，最后，回复金属溅镀机反应室真空状态，就完成了金属溅镀机定期清洁保养，本发明的工具包含一支撑座与一靶材磨平处理设备，支撑座有复数个固定设备使所述靶材磨平处理设备仅能与所述靶材表面垂直接触，能够有效率且经济的对靶材作清洁处理，并且不会影响靶材的晶格方向及材料特性。

8. 发明专利

TW201708625A 用以清潔電鍍用基板支架的清潔裝置及使用清潔裝置移除電鍍用基板支架上的污染物的方法审中-公开
简体标题：用以清洁电镀用基板支架的清洁设备及使用清洁设备移除电镀用基板支架上的污染物的方法
公开(公告)号：TW201708625A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104143428
申请日：2015-12-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：王宇洋 , WANG, YU YOUNG , 高宗恩 , KAO, CHUNG EN , 盧一斌 , LU, VICTOR
IPC分类号： C25D21/08 , B08B3/08 , B08B1/00 , H01L21/67 , H01L21/3205
CPC分类号： B08B3/02 , B08B2203/0229 , C25D17/06 , C25D21/00
摘要：一種用以移除與電鍍槽使用之基板支架上的污染物的清潔裝置，包含臂、清潔劑供應器、噴嘴及接收器。清潔劑供應器耦接臂，且設置用以提供清潔劑。噴嘴耦接清潔劑供應器，且設置用以噴灑清潔劑於基板支架上，以移除污染物。接收器耦接臂，且設置用以在噴灑清潔劑於基板支架上之後，接收清潔劑。
简体摘要：一种用以移除与电镀槽使用之基板支架上的污染物的清洁设备，包含臂、清洁剂供应器、喷嘴及接收器。清洁剂供应器耦接臂，且设置用以提供清洁剂。喷嘴耦接清洁剂供应器，且设置用以喷洒清洁剂于基板支架上，以移除污染物。接收器耦接臂，且设置用以在喷洒清洁剂于基板支架上之后，接收清洁剂。

9. 发明专利

TWI568892B 用以清潔電鍍用基板支架的清潔裝置及使用清潔裝置移除電鍍用基板支架上的污染物的方法有权
简体标题：用以清洁电镀用基板支架的清洁设备及使用清洁设备移除电镀用基板支架上的污染物的方法
公开(公告)号：TWI568892B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104143428
申请日：2015-12-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：王宇洋 , WANG, YU YOUNG , 高宗恩 , KAO, CHUNG EN , 盧一斌 , LU, VICTOR
IPC分类号： C25D21/08 , B08B3/08 , B08B1/00 , H01L21/67 , H01L21/3205
CPC分类号： B08B3/02 , B08B2203/0229 , C25D17/06 , C25D21/00

10. 实用新型

TW509381U 覆蓋環之自行對位裝置失效
简体标题：覆盖环之自行对位设备
公开(公告)号：TW509381U
公开(公告)日：2002-11-01
申请号：TW090207759
申请日：2001-05-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：高宗恩 , 賴明德
IPC分类号： H01L
摘要：此處揭露了一種可在濺鍍反應室中使覆蓋環精確自行對位於基座之裝置。其中，此基座用以承載晶圓，以進行相關的濺鍍反應，而覆蓋環則用來遮蔽晶圓邊緣的部份表面，以防止濺鍍膜層沉積於此部份表面。至於，用來使覆蓋環產生自行對位的裝置，則包括了至少一組裝設於基座側壁上的對位柱，以及形成於覆蓋環側壁上與對位柱對應的斜面導軌凹槽。當基座上昇時，對位柱可沿著位於覆蓋環側壁上的斜面導軌凹槽，向上滑入而產生榫接效果，如此便可使覆蓋環自行對位於基座。
简体摘要：此处揭露了一种可在溅镀反应室中使覆盖环精确自行对位于基座之设备。其中，此基座用以承载晶圆，以进行相关的溅镀反应，而覆盖环则用来屏蔽晶圆边缘的部份表面，以防止溅镀膜层沉积于此部份表面。至于，用来使覆盖环产生自行对位的设备，则包括了至少一组装设于基座侧壁上的对位柱，以及形成于覆盖环侧壁上与对位柱对应的斜面导轨凹槽。当基座上升时，对位柱可沿着位于覆盖环侧壁上的斜面导轨凹槽，向上滑入而产生榫接效果，如此便可使覆盖环自行对位于基座。

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