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1. 发明专利

JP2018088544A データ保存構造を有する半導体構造、および、その製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018088544A
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：JP2018017222
申请日：2018-02-02
申请人：台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 , Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd.
发明人：蕭婉▲いん▼ , 金雅琴 , 林崇榮 , 陳皇魁 , 張宗生
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L27/2436 , H01L29/41725 , H01L29/78
摘要：【課題】半導体構造とその形成方法を提供する。【解決手段】基板と、基板の上に形成されたゲート構造と、基板の中でゲート構造に隣接して形成された、第一ソース/ドレイン構造、および第二ソース/ドレイン構造と、基板の上に形成されて、ゲート構造を被覆せず、第一ソース/ドレイン構造を被覆する第一誘電層と、基板の上に形成されて、ゲート構造を被覆する第二誘電層と、第一誘電層および第二誘電層の中に形成されて、第一ソース/ドレイン構造と直接接触した第一導電構造と、第一誘電層および第二誘電層の中の、第二ソース/ドレイン構造の上に形成された第二導電構造とを備え、第二導電構造は、第二誘電層を貫通して第一誘電層の中まで延びており、第一誘電層の一部は、第二導電構造の下で、かつ第二導電構造と第二ソース/ドレイン構造との間に配置されている。【選択図】図1D

2. 发明专利

JP6594464B2 データ保存構造を有する半導体構造、および、その製造方法有权
公开(公告)号：JP6594464B2
公开(公告)日：2019-10-23
申请号：JP2018017222
申请日：2018-02-02
申请人：台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 , Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd.
发明人：蕭婉▲いん▼ , 金雅琴 , 林崇榮 , 陳皇魁 , 張宗生
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239

3. 发明专利

JP2016149551A データ保存構造を有する半導体構造、および、その製造方法审中-公开
标题翻译：具有数据存储结构的半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：JP2016149551A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：JP2016021870
申请日：2016-02-08
申请人：台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 , Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd.
发明人：蕭婉▲いん▼ , 金雅琴 , 林崇榮 , 陳皇魁 , 張宗生
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L27/10
CPC分类号： H01L27/2436 , H01L29/41725 , H01L29/78
摘要：【課題】データ保存構造を有し、機能が多様化した半導体構造とその形成方法を提供する。【解決手段】基板102及び基板上に形成されるゲート構造104を有する。半導体構造は、更に、第一ソース/ドレイン構造116及びゲート構造に隣接する基板中に形成される第二ソース/ドレイン構造118を有する。半導体構造は、更に、基板上に形成されて、ゲート構造、第一ソース/ドレイン構造及び第二ソース/ドレイン構造を被覆する層間絶縁層120を有する。半導体構造は、更に、第一ソース/ドレイン構造上の層間絶縁層中に形成される第一導電構造128及び第二ソース/ドレイン構造上の層間絶縁層中に形成される第二導電構造130を有する。第一導電構造は、第一ソース/ドレイン構造と直接接触し、第二導電構造は、第二ソース/ドレイン構造と直接接触しない。【選択図】図1D
摘要翻译：要解决的问题：提供具有数据存储结构和多种功能的半导体结构及其制造方法。解决方案：半导体结构包括基板102和形成在基板上的栅极结构104。半导体结构还包括：第一源极/漏极结构116和形成在与栅极结构相邻的衬底中的第二源极/漏极结构118; 形成在基板上并覆盖栅极结构的层间绝缘层120，第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构; 以及形成在第一源极/漏极结构上的层间绝缘层中的第一导电结构128和形成在第二源极/漏极结构上的层间绝缘层中的第二导电结构130。第一导电结构直接接触第一源极/漏极结构。第二导电结构不直接接触第二源/漏结构。选择图：图1D

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