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1. 发明专利

TW201814928A 近場通訊感測裝置审中-公开
简体标题：近场通信传感设备
公开(公告)号：TW201814928A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW105131071
申请日：2016-09-26
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：林威廷 , LIN, WEI TING , 賴一丞 , LAI, YI CHENG , 王脩華 , WANG, HSIU HUA , 孫碩陽 , SUN, SHUO YANG , 鄭君丞 , CHENG, CHUN CHENG
IPC分类号： H01L43/00 , H04B5/00
摘要：一種近場通訊感測裝置包含感測器、類比數位轉換器、數位處理模組以及負載調變器。感測器設置於基板上，且用以測量一目標資訊，其中基板不包含晶圓。類比數位轉換器設置於基板上，且電性連接該感測器，用以將目標資訊轉換為數位訊號，其中類比數位轉換器包含至少一雙閘極薄膜電晶體。數位處理模組設置於基板上，且電性連接類比數位轉換器，用以將數位訊號轉換為輸送訊號，其中數位處理模組包含至少一頂閘型薄膜電晶體。負載調變器設置於基板上，且其接收輸送訊號，並將輸送訊號轉換成一發射訊號藉由第一天線發射出去給予外在裝置。
简体摘要：一种近场通信传感设备包含传感器、模拟数码转换器、数码处理模块以及负载调制器。传感器设置于基板上，且用以测量一目标信息，其中基板不包含晶圆。模拟数码转换器设置于基板上，且电性连接该传感器，用以将目标信息转换为数码信号，其中模拟数码转换器包含至少一双闸极薄膜晶体管。数码处理模块设置于基板上，且电性连接模拟数码转换器，用以将数码信号转换为输送信号，其中数码处理模块包含至少一顶闸型薄膜晶体管。负载调制器设置于基板上，且其接收输送信号，并将输送信号转换成一发射信号借由第一天线发射出去给予外在设备。

2. 发明专利

TW201611123A 薄膜電晶體的製造方法及其製程設備审中-公开
简体标题：薄膜晶体管的制造方法及其制程设备
公开(公告)号：TW201611123A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW103131192
申请日：2014-09-10
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：林亮宇 , LIN, LIANG YU , 鄭君丞 , CHENG, CHUN CHENG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , C30B33/005 , C30B35/00 , H01L21/441 , H01L29/24
摘要：薄膜電晶體的製造方法，包括以下步驟。在基板上依序形成閘極以及絕緣層。在絕緣層上形成源極以及汲極。在閘極上方的絕緣層上塗佈金屬氧化物前趨物溶液。通入氣體，其中氣體不與金屬氧化物前趨物溶液反應。對金屬氧化物前趨物溶液進行照光程序，以使得金屬氧化物前趨物溶液進行光交聯反應而形成金屬氧化物半導體材料。
简体摘要：薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤。在基板上依序形成闸极以及绝缘层。在绝缘层上形成源极以及汲极。在闸极上方的绝缘层上涂布金属氧化物前趋物溶液。通入气体，其中气体不与金属氧化物前趋物溶液反应。对金属氧化物前趋物溶液进行照光进程，以使得金属氧化物前趋物溶液进行光交联反应而形成金属氧化物半导体材料。

3. 发明专利

TW201511289A 薄膜電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TW201511289A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW102133278
申请日：2013-09-13
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：林亮宇 , LIN, LIANG YU , 鄭君丞 , CHENG, CHUN CHENG
IPC分类号： H01L29/786
摘要：一種薄膜電晶體及其製造方法，薄膜電晶體包括閘極、閘極絕緣層、源極以及汲極、金屬氧化物半導體層、第一金屬氧化物導電層以及第二金屬氧化物導電層。閘極絕緣層覆蓋閘極。源極以及汲極位於閘極絕緣層上。金屬氧化物半導體層覆蓋源極、汲極以及閘極上方之閘極絕緣層，以作為通道層。第一金屬氧化物導電層位於源極與金屬氧化物半導體層之間，以使源極與金屬氧化物半導體層隔離開來。第二金屬氧化物導電層位於汲極與金屬氧化物半導體層之間，以使汲極與金屬氧化物半導體層隔離開來。
简体摘要：一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管包括闸极、闸极绝缘层、源极以及汲极、金属氧化物半导体层、第一金属氧化物导电层以及第二金属氧化物导电层。闸极绝缘层覆盖闸极。源极以及汲极位于闸极绝缘层上。金属氧化物半导体层覆盖源极、汲极以及闸极上方之闸极绝缘层，以作为信道层。第一金属氧化物导电层位于源极与金属氧化物半导体层之间，以使源极与金属氧化物半导体层隔离开来。第二金属氧化物导电层位于汲极与金属氧化物半导体层之间，以使汲极与金属氧化物半导体层隔离开来。

4. 发明专利

TWI560781B 薄膜電晶體的製造方法及其製程設備有权
简体标题：薄膜晶体管的制造方法及其制程设备
公开(公告)号：TWI560781B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW103131192
申请日：2014-09-10
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：林亮宇 , LIN, LIANG YU , 鄭君丞 , CHENG, CHUN CHENG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , C30B33/005 , C30B35/00 , H01L21/441 , H01L29/24

5. 发明专利

TWI513005B 薄膜電晶體及其製造方法有权
简体标题：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI513005B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW102133278
申请日：2013-09-13
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：林亮宇 , LIN, LIANG YU , 鄭君丞 , CHENG, CHUN CHENG
IPC分类号： H01L29/786

6. 发明专利

TW201703142A 薄膜電晶體與其製作方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管与其制作方法
公开(公告)号：TW201703142A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW104121727
申请日：2015-07-03
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：林亮宇 , LIN, LIANG YU , 鄭君丞 , CHENG, CHUN CHENG
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L27/1248 , H01L29/24 , H01L29/242 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78696
摘要：一種薄膜電晶體，包括基板、位於基板上表面的閘極、位於基板上表面並覆蓋閘極的絕緣層、位於絕緣層上表面的半導體通道層、位於半導體通道層上表面的界定層、位於半導體通道層的上表面並覆蓋界定層的有機介電層以及從有機介電層的上表面穿過有機介電層的源極與汲極。其中，半導體通道層具有通道厚度，且通道厚度不大於20奈米。源極於界定層的第一側與半導體通道層接觸，而汲極於該界定層的第二側與半導體通道層接觸，第二側相對於第一側。
简体摘要：一种薄膜晶体管，包括基板、位于基板上表面的闸极、位于基板上表面并覆盖闸极的绝缘层、位于绝缘层上表面的半导体信道层、位于半导体信道层上表面的界定层、位于半导体信道层的上表面并覆盖界定层的有机介电层以及从有机介电层的上表面穿过有机介电层的源极与汲极。其中，半导体信道层具有信道厚度，且信道厚度不大于20奈米。源极于界定层的第一侧与半导体信道层接触，而汲极于该界定层的第二侧与半导体信道层接触，第二侧相对于第一侧。

7. 发明专利

TWI567805B 薄膜電晶體及其製作方法有权
简体标题：薄膜晶体管及其制作方法
公开(公告)号：TWI567805B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW104121728
申请日：2015-07-03
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：林亮宇 , LIN, LIANG YU , 鄭君丞 , CHENG, CHUN CHENG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/78

8. 发明专利

TW201703121A 薄膜電晶體及其製作方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管及其制作方法
公开(公告)号：TW201703121A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW104121728
申请日：2015-07-03
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：林亮宇 , LIN, LIANG YU , 鄭君丞 , CHENG, CHUN CHENG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/78
摘要：一種薄膜電晶體，具有：基板、位於基板上表面的閘極、覆蓋基板與閘極的絕緣層、源極、汲極與金屬氧化物半導體層。其中源極與汲極位於絕緣層的上表面且兩者位於第一軸線方向，源極和汲極是與閘極部份重疊，源極與汲極沿第二軸線方向延伸的距離為第一寬度，其中第二軸線方向垂直於第一軸線方向。金屬氧化物半導體層位於源極與汲極的上表面，金屬氧化物半導體層厚度不大於20奈米，金屬氧化物半導體層沿第二軸線方向延伸的距離為第二寬度，且第二寬度大於第一寬度，並且金屬氧化物半導體層在第二軸線方向完全覆蓋源極與汲極。
简体摘要：一种薄膜晶体管，具有：基板、位于基板上表面的闸极、覆盖基板与闸极的绝缘层、源极、汲极与金属氧化物半导体层。其中源极与汲极位于绝缘层的上表面且两者位于第一轴线方向，源极和汲极是与闸极部份重叠，源极与汲极沿第二轴线方向延伸的距离为第一宽度，其中第二轴线方向垂直于第一轴线方向。金属氧化物半导体层位于源极与汲极的上表面，金属氧化物半导体层厚度不大于20奈米，金属氧化物半导体层沿第二轴线方向延伸的距离为第二宽度，且第二宽度大于第一宽度，并且金属氧化物半导体层在第二轴线方向完全覆盖源极与汲极。

9. 发明专利

TWI569327B 薄膜電晶體與其製作方法有权
简体标题：薄膜晶体管与其制作方法
公开(公告)号：TWI569327B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104121727
申请日：2015-07-03
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：林亮宇 , LIN, LIANG YU , 鄭君丞 , CHENG, CHUN CHENG
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L27/1248 , H01L29/24 , H01L29/242 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78696

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