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1. 发明专利

TWI674662B 陣列基板的製造方法有权
简体标题：数组基板的制造方法
公开(公告)号：TWI674662B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW107121013
申请日：2018-06-19
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：徐文義 , HSU, WEN-YI , 陳培銘 , CHEN, PEI-MING , 陳茂松 , CHEN, MAW-SONG
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/336 , G09G3/3225

2. 发明专利

TW201533910A 薄膜電晶體及畫素結構审中-公开
简体标题：薄膜晶体管及像素结构
公开(公告)号：TW201533910A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103105715
申请日：2014-02-20
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳信學 , CHEN, SHIN SHUEH , 陳培銘 , CHEN, PEI MING
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12
摘要：一種薄膜電晶體及畫素結構。薄膜電晶體配置於基板上。薄膜電晶體包括閘極、絕緣層、金屬氧化物半導體層、蝕刻阻擋層、源極、汲極、有機絕緣層以及金屬氧化物阻障層。絕緣層覆蓋閘極。金屬氧化物半導體層位於閘極上方的絕緣層上。蝕刻阻擋層覆蓋金屬氧化物半導體層，且蝕刻阻擋層具有第一接觸窗以及第二接觸窗。源極以及汲極分別相對設置於蝕刻阻擋層上。源極以及汲極分別透過第一接觸窗及第二接觸窗與金屬氧化物半導體層電性連接。有機絕緣層覆蓋蝕刻阻擋層、源極以及汲極。金屬氧化物阻障層覆蓋有機絕緣層。
简体摘要：一种薄膜晶体管及像素结构。薄膜晶体管配置于基板上。薄膜晶体管包括闸极、绝缘层、金属氧化物半导体层、蚀刻阻挡层、源极、汲极、有机绝缘层以及金属氧化物阻障层。绝缘层覆盖闸极。金属氧化物半导体层位于闸极上方的绝缘层上。蚀刻阻挡层覆盖金属氧化物半导体层，且蚀刻阻挡层具有第一接触窗以及第二接触窗。源极以及汲极分别相对设置于蚀刻阻挡层上。源极以及汲极分别透过第一接触窗及第二接触窗与金属氧化物半导体层电性连接。有机绝缘层覆盖蚀刻阻挡层、源极以及汲极。金属氧化物阻障层覆盖有机绝缘层。

3. 发明专利

TW201320161A 畫素結構及畫素結構的製造方法审中-公开
简体标题：像素结构及像素结构的制造方法
公开(公告)号：TW201320161A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW100141606
申请日：2011-11-15
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：黃章祐 , HUANG, CHANG YU , 陳培銘 , CHEN, PEI MING
IPC分类号： H01L21/28 , G02F1/1368
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/136213 , G02F2001/13685 , H01L27/1225 , H01L27/1255
摘要：一種畫素結構及其製造方法。畫素結構包括依序形成的一通道層、一第一圖案化金屬層、一第一絕緣層、一第二圖案化金屬層、一第二絕緣層以及一畫素電極。第一圖案化金屬層包括一資料線、一源極與一汲極。第一絕緣層具有一第一開口以暴露出汲極。第二圖案化金屬層包括一掃描線以及一電容電極。電容電極具有重疊於資料線的第一部。第二絕緣層具有一第二開口，其連通於第一開口以暴露出汲極。畫素電極透過第二開口以及第一開口連接於汲極，並至少重疊於電容電極的第一部。
简体摘要：一种像素结构及其制造方法。像素结构包括依序形成的一信道层、一第一图案化金属层、一第一绝缘层、一第二图案化金属层、一第二绝缘层以及一像素电极。第一图案化金属层包括一数据线、一源极与一汲极。第一绝缘层具有一第一开口以暴露出汲极。第二图案化金属层包括一扫描线以及一电容电极。电容电极具有重叠于数据线的第一部。第二绝缘层具有一第二开口，其连通于第一开口以暴露出汲极。像素电极透过第二开口以及第一开口连接于汲极，并至少重叠于电容电极的第一部。

4. 发明专利

TWI392949B 電泳顯示面板有权
简体标题：电泳显示皮肤
公开(公告)号：TWI392949B
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：TW098138842
申请日：2009-11-16
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：魏全生 , WEI, CHUAN SHENG , 黃聖文 , HUANG, SHENG WEI , 陳培銘 , CHEN, PEI MING , 陳俊雄 , CHEN, CHUN HSIUN , 黃偉明 , HUANG, WEI MING
IPC分类号： G02F1/167
CPC分类号： G02F1/167 , G02F1/1362 , G02F2001/1672

5. 发明专利

TWI579926B 主動元件陣列基板有权
简体标题：主动组件数组基板
公开(公告)号：TWI579926B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW105116326
申请日：2016-05-25
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳銘耀 , CHEN, MING YAO , 陳培銘 , CHEN, PEI MING
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/772 , G02F1/1368 , H01L21/76

6. 发明专利

TWI694365B 觸控顯示面板有权
简体标题：触摸显示皮肤
公开(公告)号：TWI694365B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW108101709
申请日：2019-01-16
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：黃德群 , HUANG, TE-CHUN , 徐文義 , HSU, WEN-YI , 陳政德 , CHEN, ZENG-DE , 陳培銘 , CHEN, PEI-MING
IPC分类号： G06F3/041

7. 发明专利

TWI652837B 感測裝置有权
简体标题：传感设备
公开(公告)号：TWI652837B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW106144264
申请日：2017-12-15
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳瑞沛 , CHEN, RUEI PEI , 陳培銘 , CHEN, PEI MING , 張博超 , CHANG, PO CHAO
IPC分类号： H01L31/153 , G02F1/1333

8. 发明专利

TWI476929B 底閘極薄膜電晶體與主動陣列基板有权
简体标题：底闸极薄膜晶体管与主动数组基板
公开(公告)号：TWI476929B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW098113690
申请日：2009-04-24
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：魏全生 , WEI, CHUAN SHENG , 沈光仁 , SHEN, GUANG REN , 黃章祐 , HUANG, CHANG YU , 陳培銘 , CHEN, PEI MING , 劉聖超 , LIU, SHENG CHAO , 陳俊雄 , CHEN, CHUN HSIUN , 黃偉明 , HUANG, WEI MING
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/42384 , H01L29/41733 , H01L29/66765

9. 发明专利

TWI469356B 薄膜電晶體及其製造方法有权
简体标题：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI469356B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW099106133
申请日：2010-03-03
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：沈光仁 , SHEN, GUANG REN , 陳培銘 , CHEN, PEI MING , 陳俊雄 , CHEN, CHUN HSIUN , 黃偉明 , HUANG, WEI MING
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/786

10. 发明专利

TWI416874B 移位暫存裝置與主動陣列基板有权
简体标题：移位暂存设备与主动数组基板
公开(公告)号：TWI416874B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099127137
申请日：2010-08-13
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：魏全生 , WEI, CHUAN SHENG , 沈光仁 , SHEN, GUANG REN , 黃章祐 , HUANG, CHANG YU , 陳培銘 , CHEN, PEI MING , 陳俊雄 , CHEN, CHUN HSIUN , 黃偉明 , HUANG, WEI MING
IPC分类号： H03K19/0185 , G02F1/136

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