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1. 发明专利

TW201642448A 畫素陣列基板、顯示面板及其母板审中-公开
简体标题：像素数组基板、显示皮肤及其母板
公开(公告)号：TW201642448A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104117031
申请日：2015-05-27
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳銘耀 , CHEN, MING YAO , 陳培銘 , CHEN, PEI MING
IPC分类号： H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1333
摘要：一種畫素陣列基板，具有基板、薄膜電晶體、第一信號線、第二信號線、畫素電極、第一導電圖案與第一保護層。基板具有顯示區與至少一周邊線路區。薄膜電晶體設置於基板上且位於顯示區，薄膜電晶體具有延伸至周邊線路區的絕緣層。第一信號線、第二信號線與畫素電極設置於基板上且位於顯示區，並連接薄膜電晶體。第一導電圖案設置於周邊線路區且鄰近基板之邊緣，並與絕緣層重疊以構成標記。薄膜電晶體、標記、位於周邊線路區上的絕緣層均被第一保護層覆蓋，其中第一保護層的介電常數大於絕緣層的介電常數。
简体摘要：一种像素数组基板，具有基板、薄膜晶体管、第一信号线、第二信号线、像素电极、第一导电图案与第一保护层。基板具有显示区与至少一周边线路区。薄膜晶体管设置于基板上且位于显示区，薄膜晶体管具有延伸至周边线路区的绝缘层。第一信号线、第二信号线与像素电极设置于基板上且位于显示区，并连接薄膜晶体管。第一导电图案设置于周边线路区且邻近基板之边缘，并与绝缘层重叠以构成标记。薄膜晶体管、标记、位于周边线路区上的绝缘层均被第一保护层覆盖，其中第一保护层的介电常数大于绝缘层的介电常数。

2. 发明专利

TWI548068B 薄膜電晶體及畫素結構有权
简体标题：薄膜晶体管及像素结构
公开(公告)号：TWI548068B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW103128472
申请日：2014-08-19
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳培銘 , CHEN, PEI MING
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786

3. 发明专利

TWI409749B 電泳顯示裝置及其驅動方法有权
简体标题：电泳显示设备及其驱动方法
公开(公告)号：TWI409749B
公开(公告)日：2013-09-21
申请号：TW098142475
申请日：2009-12-11
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：黃章祐 , HUANG, CHANG YU , 魏全生 , WEI, CHUAN SHENG , 陳培銘 , CHEN, PEI MING , 陳俊雄 , CHEN, CHUN HSIUN , 黃偉明 , HUANG, WEI MING
IPC分类号： G09G3/20
CPC分类号： G09G3/344 , G09G2300/08 , G09G2310/0267

4. 发明专利

TWI607552B 畫素陣列基板、顯示面板及其母板有权
简体标题：像素数组基板、显示皮肤及其母板
公开(公告)号：TWI607552B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW104117031
申请日：2015-05-27
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳銘耀 , CHEN, MING YAO , 陳培銘 , CHEN, PEI MING
IPC分类号： H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1333

5. 发明专利

TWI553835B 主動基板以及顯示面板有权
简体标题：主动基板以及显示皮肤
公开(公告)号：TWI553835B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW103106598
申请日：2014-02-26
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳培銘 , CHEN, PEI MING
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/05556 , H01L2924/12041 , H01L2924/00

6. 发明专利

TWI501015B 畫素結構及其製作方法有权
简体标题：像素结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI501015B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW102112191
申请日：2013-04-03
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳銘耀 , CHEN, MING YAO , 陳培銘 , CHEN, PEI MING
IPC分类号： G02F1/1362 , H01L21/768 , H01L21/84

7. 发明专利

TW201439656A 畫素結構及其製作方法审中-公开
简体标题：像素结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201439656A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102112191
申请日：2013-04-03
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳銘耀 , CHEN, MING YAO , 陳培銘 , CHEN, PEI MING
IPC分类号： G02F1/1362 , H01L21/768 , H01L21/84
摘要：本發明提供一種畫素結構及其製作方法。通道層設置於基板之上，且源極與汲極分別設置於通道層之兩側上。資料線與源極電性連接。第一絕緣層設置於通道層、源極、汲極以及資料線上，且具有第一開口，曝露出汲極。掃描線與資料線交錯設置。閘極與通道層對應設置，並電性連接於掃描線。畫素電極設置於第一絕緣層上，且透過第一開口電性連接汲極。第二絕緣層設置於畫素電極以及第一絕緣層上，且圖案化共用電極設置於第二絕緣層上。
简体摘要：本发明提供一种像素结构及其制作方法。信道层设置于基板之上，且源极与汲极分别设置于信道层之两侧上。数据线与源极电性连接。第一绝缘层设置于信道层、源极、汲极以及数据在线，且具有第一开口，曝露出汲极。扫描线与数据线交错设置。闸极与信道层对应设置，并电性连接于扫描线。像素电极设置于第一绝缘层上，且透过第一开口电性连接汲极。第二绝缘层设置于像素电极以及第一绝缘层上，且图案化共享电极设置于第二绝缘层上。

8. 发明专利

TW201533892A 主動基板以及顯示面板审中-公开
简体标题：主动基板以及显示皮肤
公开(公告)号：TW201533892A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103106598
申请日：2014-02-26
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳培銘 , CHEN, PEI MING
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/05556 , H01L2924/12041 , H01L2924/00
摘要：一種主動基板包括一基底、一下電極、一絕緣層、一鈍化層以及一上電極。下電極設置於基底上。絕緣層設置於下電極上，且絕緣層具有一凹陷。鈍化層設置於絕緣層上，且鈍化層具有一穿孔，對應凹陷設置。上電極設置於鈍化層上，且透過穿孔延伸至凹陷的底部，其中下電極、絕緣層、鈍化層以及上電極構成一儲存電容。
简体摘要：一种主动基板包括一基底、一下电极、一绝缘层、一钝化层以及一上电极。下电极设置于基底上。绝缘层设置于下电极上，且绝缘层具有一凹陷。钝化层设置于绝缘层上，且钝化层具有一穿孔，对应凹陷设置。上电极设置于钝化层上，且透过穿孔延伸至凹陷的底部，其中下电极、绝缘层、钝化层以及上电极构成一存储电容。

9. 发明专利

TWI483036B 陣列基板及其製作方法有权
简体标题：数组基板及其制作方法
公开(公告)号：TWI483036B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW101143093
申请日：2012-11-19
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳銘耀 , CHEN, MING YAO , 陳培銘 , CHEN, PEI MING
IPC分类号： G02F1/1333
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/77 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1288

10. 发明专利

TW201608706A 薄膜電晶體及畫素結構审中-公开
简体标题：薄膜晶体管及像素结构
公开(公告)号：TW201608706A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW103128472
申请日：2014-08-19
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳培銘 , CHEN, PEI MING
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786
摘要：一種薄膜電晶體，包括基板、閘極、閘極絕緣層、氧化物半導體通道層、介電層、源極以及汲極。閘極設置於基板上並與一閘極線連接。氧化物半導體通道層實質上係沿第二方向延伸，且第二方向與第一方向不平行亦不垂直。介電層設置於氧化物半導體通道層上並具有第一接觸洞與第二接觸洞，分別部分暴露出氧化物半導體通道層，第一接觸洞之中心點與第二接觸洞之中心點在第一方向上不共線。源極設置於介電層上並經由第一接觸洞與氧化物半導體通道層接觸且連接，汲極設置於介電層上並經由第二接觸洞與氧化物半導體通道層接觸且連接。
简体摘要：一种薄膜晶体管，包括基板、闸极、闸极绝缘层、氧化物半导体信道层、介电层、源极以及汲极。闸极设置于基板上并与一闸极线连接。氧化物半导体信道层实质上系沿第二方向延伸，且第二方向与第一方向不平行亦不垂直。介电层设置于氧化物半导体信道层上并具有第一接触洞与第二接触洞，分别部分暴露出氧化物半导体信道层，第一接触洞之中心点与第二接触洞之中心点在第一方向上不共线。源极设置于介电层上并经由第一接触洞与氧化物半导体信道层接触且连接，汲极设置于介电层上并经由第二接触洞与氧化物半导体信道层接触且连接。

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