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1. 发明专利

TWI424236B 顯示面板有权
简体标题：显示皮肤
公开(公告)号：TWI424236B
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：TW099110124
申请日：2010-04-01
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：徐理智 , HSU, LI CHIH , 奚鵬博 , XI, PENG BO , 蕭嘉強 , HSIAO, CHIA CHIANG
IPC分类号： G02F1/136 , G09G3/36
CPC分类号： G09G3/006 , G09G3/3648 , G09G2300/0443

2. 发明专利

TWI391768B 液晶顯示裝置有权
简体标题：液晶显示设备
公开(公告)号：TWI391768B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW098116779
申请日：2009-05-20
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：蕭嘉強 , HSIAO, CHIA CHIANG , 陳峙彣 , CHEN, CHIH WEN , 徐理智 , HSU, LI CHIH
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/136
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/13624 , G02F2001/134345 , G02F2001/13606 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/41733

3. 发明专利

TWI407230B 電泳顯示面板及其製造方法有权
简体标题：电泳显示皮肤及其制造方法
公开(公告)号：TWI407230B
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW099125130
申请日：2010-07-29
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：林研詩 , LIN, YEN SHIH , 蕭嘉強 , HSIAO, CHIA CHIANG , 陳峙彣 , CHEN, CHIH WEN
IPC分类号： G02F1/167

4. 发明专利

TW201003269A 液晶顯示面板及其畫素結構 LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND PIXEL STRUCTURE THEREOF 审中-公开
简体标题：液晶显示皮肤及其像素结构 LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND PIXEL STRUCTURE THEREOF
公开(公告)号：TW201003269A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW097125226
申请日：2008-07-04
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：蕭嘉強 , 羅誠 , 鄭景升 , 胡至仁
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/133784 , G02F2001/133397 , G02F2001/13606 , G02F2201/122 , G02F2201/40 , G02F2203/66 , G09G3/3614
摘要：一種液晶顯示面板之畫素結構，包括第一透明基板、第一資料線、第二資料線、透明電極，以及補償導體圖案。於顯示區內，透明電極之第一側與第一資料線部分重疊而形成第一寄生電容，透明電極之第二側與第二資料線部分重疊而形成第二寄生電容，且第一寄生電容大於第二寄生電容；於非顯示區內，透明電極之第一側與第一資料線部分重疊而形成第三寄生電容，透明電極之第二側與補償導體圖案重疊而形成第四寄電容，且第一寄生電容與第三寄生電容之總寄生電容與第二寄生電容與第四寄生電容之總寄生電容實質上相等。
简体摘要：一种液晶显示皮肤之像素结构，包括第一透明基板、第一数据线、第二数据线、透明电极，以及补偿导体图案。于显示区内，透明电极之第一侧与第一数据线部分重叠而形成第一寄生电容，透明电极之第二侧与第二数据线部分重叠而形成第二寄生电容，且第一寄生电容大于第二寄生电容；于非显示区内，透明电极之第一侧与第一数据线部分重叠而形成第三寄生电容，透明电极之第二侧与补偿导体图案重叠而形成第四寄电容，且第一寄生电容与第三寄生电容之总寄生电容与第二寄生电容与第四寄生电容之总寄生电容实质上相等。

5. 发明专利

TWI456296B 半穿透半反射式液晶顯示器有权
简体标题：半穿透半反射式液晶显示器
公开(公告)号：TWI456296B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW099112937
申请日：2010-04-23
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：蕭嘉強 , HSIAO, CHIACHIANG , 陳峙彣 , CHEN, CHIHWEN , 徐理智 , HSU, LICHIH
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/133555 , G02F1/134363 , G02F1/13718 , G02F2001/136222 , G02F2001/13793 , G02F2201/124

6. 发明专利

TWI391766B 畫素結構及其驅動方法、以及顯示器的驅動方法有权
简体标题：像素结构及其驱动方法、以及显示器的驱动方法
公开(公告)号：TWI391766B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW098112549
申请日：2009-04-15
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：蕭嘉強 , HSIAO, CHIA CHIANG , 廖培鈞 , LIAO, PEI CHUN , 徐理智 , HSU, LI CHIH , 陳峙彣 , CHEN, CHIH WEN , 李佳育 , LEE, CHIA YU
IPC分类号： G02F1/136 , G09G3/36

7. 发明专利

TW201122648A 半穿透半反射式液晶顯示器 TRANSFLECTIVE LIQUID CRYSTAL DISPLAY 审中-公开
简体标题：半穿透半反射式液晶显示器 TRANSFLECTIVE LIQUID CRYSTAL DISPLAY
公开(公告)号：TW201122648A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW099112937
申请日：2010-04-23
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：蕭嘉強 , 陳峙彣 , 徐理智
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/133555 , G02F1/134363 , G02F1/13718 , G02F2001/136222 , G02F2001/13793 , G02F2201/124
摘要：一種半穿透半反射式液晶顯示器包含複數個畫素，其中每一畫素包含第一結構、第二結構、液晶層與複數個電極。第一結構用以界定反射區與穿透區，其中穿透區係與反射區相鄰；第二結構與第一結構分隔以界定單晶格間隙；液晶層置放於第一結構與第二結構間之晶格間隙；複數個電極形成於第一結構與第二結構的其中一者上，致使至少兩個電極配置於穿透區中且於兩個電極之間界定第一間距，並致使至少兩個電極配置於反射區中且於兩個電極之間界定第二間距，其中第二間距係大於第一間距，且第二間距為第一間距的倍為佳。
简体摘要：一种半穿透半反射式液晶显示器包含复数个像素，其中每一像素包含第一结构、第二结构、液晶层与复数个电极。第一结构用以界定反射区与穿透区，其中穿透区系与反射区相邻；第二结构与第一结构分隔以界定单晶格间隙；液晶层置放于第一结构与第二结构间之晶格间隙；复数个电极形成于第一结构与第二结构的其中一者上，致使至少两个电极配置于穿透区中且于两个电极之间界定第一间距，并致使至少两个电极配置于反射区中且于两个电极之间界定第二间距，其中第二间距系大于第一间距，且第二间距为第一间距的倍为佳。

8. 发明专利

TWI470327B 畫素結構有权
简体标题：像素结构
公开(公告)号：TWI470327B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW101112638
申请日：2008-01-08
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：蕭嘉強 , HSIAO, CHIA CHIANG , 羅誠 , LO, CHENG , 胡至仁 , HU, CHIH JEN
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1343

9. 发明专利

TWI380112B 畫素結構及其薄膜電晶體 PIXEL STRUCTURE AND THIN FILM TRANSISTOR THEREOF 有权
简体标题：像素结构及其薄膜晶体管 PIXEL STRUCTURE AND THIN FILM TRANSISTOR THEREOF
公开(公告)号：TWI380112B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW097134890
申请日：2008-09-11
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：蕭嘉強 , 沈光仁 , 陳培銘 , 鄭景升
IPC分类号： G02F
摘要：薄膜電晶體的閘極連接掃描線且位於絕緣層之一表面。半導體層、源極和汲極位於絕緣層另一表面。源極連接資料線且連接半導體層。汲極的第一側支連接半導體層且部分對齊重疊閘極而誘發寄生電容。汲極的第二側支與第一側支延伸於同方向且垂直越過掃描線上方。部分第二側支對齊重疊掃描線而誘發第一補償電容。補償電極連接第二側支且部分垂直位於掃描線上方而誘發第二補償電容。補償電極之線寬為第一側支和第二側支線寬的和，使得寄生電容、第一補償電容和第二補償電容的和維持恆定。
简体摘要：薄膜晶体管的闸极连接扫描线且位于绝缘层之一表面。半导体层、源极和汲极位于绝缘层另一表面。源极连接数据线且连接半导体层。汲极的第一侧支连接半导体层且部分对齐重叠闸极而诱发寄生电容。汲极的第二侧支与第一侧支延伸于同方向且垂直越过扫描在线方。部分第二侧支对齐重叠扫描线而诱发第一补偿电容。补偿电极连接第二侧支且部分垂直位于扫描在线方而诱发第二补偿电容。补偿电极之线宽为第一侧支和第二侧支线宽的和，使得寄生电容、第一补偿电容和第二补偿电容的和维持恒定。

10. 发明专利

TW201011428A 畫素結構及其薄膜電晶體 PIXEL STRUCTURE AND THIN FILM TRANSISTOR THEREOF 审中-公开
简体标题：像素结构及其薄膜晶体管 PIXEL STRUCTURE AND THIN FILM TRANSISTOR THEREOF
公开(公告)号：TW201011428A
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：TW097134890
申请日：2008-09-11
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：蕭嘉強 , 沈光仁 , 陳培銘 , 鄭景升
IPC分类号： G02F
摘要：薄膜電晶體的閘極連接掃瞄線且位於絕緣層之一表面。半導體層、源極和汲極位於絕緣層另一表面。源極連接資料線且連接半導體層。汲極的第一側支連接半導體層且部分對齊重疊閘極而誘發寄生電容。汲極的第二側支與第一側支延伸於同方向且垂直越過掃瞄線上方。部分第二側支對齊重疊掃瞄線而誘發第一補償電容。補償電極連接第二側支且部分垂直位於掃瞄線上方而誘發第二補償電容。補償電極之線寬為第一側支和第二側支線寬的和，使得寄生電容、第一補償電容和第二補償電容的和維持恆定。
简体摘要：薄膜晶体管的闸极连接扫瞄线且位于绝缘层之一表面。半导体层、源极和汲极位于绝缘层另一表面。源极连接数据线且连接半导体层。汲极的第一侧支连接半导体层且部分对齐重叠闸极而诱发寄生电容。汲极的第二侧支与第一侧支延伸于同方向且垂直越过扫瞄在线方。部分第二侧支对齐重叠扫瞄线而诱发第一补偿电容。补偿电极连接第二侧支且部分垂直位于扫瞄在线方而诱发第二补偿电容。补偿电极之线宽为第一侧支和第二侧支线宽的和，使得寄生电容、第一补偿电容和第二补偿电容的和维持恒定。

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