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1. 发明专利

TWI455329B 太陽能電池及其製作方法有权
简体标题：太阳能电池及其制作方法
公开(公告)号：TWI455329B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW099136520
申请日：2010-10-26
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：劉致為 , LIU, CHEE WEE , 何偉碩 , HO, WEI SHUO , 陳彥瑜 , CHEN, YEN YU , 古峻源 , KU, CHUN YUAN , 吳振誠 , WU, ZHEN CHENG , 梁碩瑋 , LIANG, SHUO WEI , 陳人杰 , CHEN, JEN CHIEH , 賴忠威 , LAI, CHUNG WEI , 陳宗保 , CHEN, TSUNG PAO
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521

2. 发明专利

TWI483406B 太陽電池有权
简体标题：太阳电池
公开(公告)号：TWI483406B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW099115781
申请日：2010-05-18
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：劉致為 , LIU, CHEE WEE , 何偉碩 , HO, WEI SHUO , 陳彥瑜 , CHEN, YEN YU , 古峻源 , KU, CHUN YUAN , 陳建任 , CHEN, CHIEN JEN , 林漢塗 , LIN, HAN TU , 梁碩瑋 , LIANG, SHUO WEI
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0747 , Y02E10/50

3. 发明专利

TW201143109A 太陽電池 PHOTOVOLTAIC CELL 审中-公开
简体标题：太阳电池 PHOTOVOLTAIC CELL
公开(公告)号：TW201143109A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW099115781
申请日：2010-05-18
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：劉致為 , 何偉碩 , 陳彥瑜 , 古峻源 , 陳建任 , 林漢塗 , 梁碩瑋
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0747 , Y02E10/50
摘要：一種太陽電池,其包括第一型摻雜單晶矽基板、本徵非晶矽層、第二型摻雜非晶矽層、第一型摻雜結晶含鍺層以及一對電極。第一型摻雜單晶矽基板具有正面以及背面。本徵非晶矽層配置於正面上。第二型摻雜非晶矽層配置於本徵非晶矽層上。第一型摻雜結晶含鍺層配置於背面。電極與第二型摻雜非晶矽層以及第一型摻雜結晶含鍺層電性連接。
简体摘要：一种太阳电池,其包括第一型掺杂单晶硅基板、本征非晶硅层、第二型掺杂非晶硅层、第一型掺杂结晶含锗层以及一对电极。第一型掺杂单晶硅基板具有正面以及背面。本征非晶硅层配置于正面上。第二型掺杂非晶硅层配置于本征非晶硅层上。第一型掺杂结晶含锗层配置于背面。电极与第二型掺杂非晶硅层以及第一型掺杂结晶含锗层电性连接。

4. 发明专利

TW201218390A 太陽能電池及其製作方法 SOLAR CELL AND METHOD OF MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：太阳能电池及其制作方法 SOLAR CELL AND METHOD OF MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW201218390A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW099136520
申请日：2010-10-26
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：劉致為 , 何偉碩 , 陳彥瑜 , 古峻源 , 吳振誠 , 梁碩瑋 , 陳人杰 , 賴忠威 , 陳宗保
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種太陽能電池,包括一結晶半導體基底、一第一結晶半導體層、一非晶半導體層、一第一金屬電極層以及一第二金屬電極層。結晶半導體基底具有一第一表面與一第二表面,且結晶半導體基底具有一第一摻雜型式。第一結晶半導體層係設置於結晶半導體基底之第一表面,其中第一結晶半導體層具有一第二摻雜型式,且第二摻雜型式相反於第一摻雜型式。非晶半導體層係設置於第一結晶半導體層上,且非晶半導體層具有第二摻雜型式。第一金屬電極層係設置於非晶半導體層上。第二金屬電極層係設置於結晶半導體基底之第二表面。
简体摘要：一种太阳能电池,包括一结晶半导体基底、一第一结晶半导体层、一非晶半导体层、一第一金属电极层以及一第二金属电极层。结晶半导体基底具有一第一表面与一第二表面,且结晶半导体基底具有一第一掺杂型式。第一结晶半导体层系设置于结晶半导体基底之第一表面,其中第一结晶半导体层具有一第二掺杂型式,且第二掺杂型式相反于第一掺杂型式。非晶半导体层系设置于第一结晶半导体层上,且非晶半导体层具有第二掺杂型式。第一金属电极层系设置于非晶半导体层上。第二金属电极层系设置于结晶半导体基底之第二表面。

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