专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI699649B 資料儲存方法、記憶體模組以及資料儲存系統有权
简体标题：数据存储方法、内存模块以及数据存储系统
公开(公告)号：TWI699649B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW105109154
申请日：2016-03-24
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：斯沃布里克伊恩 , SWARBRICK, IAN , 貝克曼麥可 , BEKERMAN, MICHAEL , 韓森克雷格 , HANSON, CRAIG , 張志任 , CHANG, CHIHJEN
IPC分类号： G06F12/08

2. 发明专利

TWI699646B 記憶體裝置、記憶體定址方法與包括非暫時性儲存媒體的物品有权
简体标题：内存设备、内存寻址方法与包括非暂时性存储媒体的物品
公开(公告)号：TWI699646B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW105118703
申请日：2016-06-15
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：韓森克雷格 , HANSON, CRAIG , 斯沃布里克伊恩 , SWARBRICK, IAN , 貝克曼麥可 , BEKERMAN, MICHAEL , 張志任 , CHANG, CHIHJEN
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/08

3. 发明专利

TW201640358A 資料儲存方法、記憶體模組以及資料儲存系統审中-公开
简体标题：数据存储方法、内存模块以及数据存储系统
公开(公告)号：TW201640358A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105109154
申请日：2016-03-24
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：斯沃布里克伊恩 , SWARBRICK, IAN , 貝克曼麥可 , BEKERMAN, MICHAEL , 韓森克雷格 , HANSON, CRAIG , 張志任 , CHANG, CHIHJEN
IPC分类号： G06F12/08
CPC分类号： G06F13/4234
摘要：一種協定，其能夠無需知道或反向工程由主機應用的編碼即實現主機與諸如DRAM DIMM外觀尺寸固態硬碟的輸入/輸出通道儲存裝置之間的通信。藉由發送已知值的協定訓練序列及以與自主機接收的編碼格式相同的編碼格式將相關聯命令/狀態資料儲存於儲存裝置中，控制/狀態資料被寫入至儲存裝置。此等儲存值在執行階段用以執行自主機接收的經編碼命令且以主機可辨識方式將狀態資料報告至主機。基於記憶體組的緩衝組態亦在如接收時的條件下儲存使用者資料以保持主機特定編碼。此促進主機記憶體控制器與儲存裝置之間的經由DRAM通道的使用者資料交換。
简体摘要：一种协定，其能够无需知道或反向工程由主机应用的编码即实现主机与诸如DRAM DIMM外观尺寸固态硬盘的输入/输出信道存储设备之间的通信。借由发送已知值的协定训练串行及以与自主机接收的编码格式相同的编码格式将相关联命令/状态数据存储于存储设备中，控制/状态数据被写入至存储设备。此等存储值在运行阶段用以运行自主机接收的经编码命令且以主机可辨识方式将状态数据报告至主机。基于内存组的缓冲组态亦在如接收时的条件下存储用户数据以保持主机特定编码。此促进主机内存控制器与存储设备之间的经由DRAM信道的用户数据交换。

4. 发明专利

TW201714090A 記憶體裝置、記憶體定址方法與包括有形儲存媒體的物品审中-公开
简体标题：内存设备、内存寻址方法与包括有形存储媒体的物品
公开(公告)号：TW201714090A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105118703
申请日：2016-06-15
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：韓森克雷格 , HANSON, CRAIG , 斯沃布里克伊恩 , SWARBRICK, IAN , 貝克曼麥可 , BEKERMAN, MICHAEL , 張志任 , CHANG, CHIHJEN
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/08
CPC分类号： G06F3/061 , G06F3/0655 , G06F3/0688 , G06F12/0638
摘要：本發明揭露一種非揮發性雙列直插記憶體模組（NVDIMM）。所述非揮發性雙列直插記憶體模組可安裝於雙列直插記憶體模組（DIMM）插口中。所述非揮發性雙列直插記憶體模組可包括非揮發性記憶體。裝置驅動器可攔截對目的地為主機記憶體控制器的記憶體位址的請求，將所述記憶體位址替換為預先映射的記憶體位址或預先映射的記憶體位址的別名，並將所述預先映射的記憶體位址發送至所述主機記憶體控制器，使得所述主機記憶體控制器產生傳送至所述非揮發性雙列直插記憶體模組的目標記憶體位址。
简体摘要：本发明揭露一种非挥发性双列直插内存模块（NVDIMM）。所述非挥发性双列直插内存模块可安装于双列直插内存模块（DIMM）插口中。所述非挥发性双列直插内存模块可包括非挥发性内存。设备驱动器可拦截对目的地为主机内存控制器的内存位址的请求，将所述内存位址替换为预先映射的内存位址或预先映射的内存位址的别名，并将所述预先映射的内存位址发送至所述主机内存控制器，使得所述主机内存控制器产生发送至所述非挥发性双列直插内存模块的目标内存位址。

5. 发明专利

TW201706903A 用於解擾亂與擾亂資料的方法及其系統审中-公开
简体标题：用于解扰乱与扰乱数据的方法及其系统
公开(公告)号：TW201706903A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105113696
申请日：2016-05-03
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：張志任 , CHANG, CHIHJEN , 貝克曼麥可 , BEKERMAN, MICHAEL , 斯沃布里克伊恩 , SWARBRICK, IAN , 韓森克雷格 , HANSON, CRAIG
IPC分类号： G06F21/60 , G09C1/00
CPC分类号： G06F21/606 , G06F12/14 , G06F21/79 , G06F21/85 , G09C1/00 , H04L9/065
摘要：對於解擾亂與擾亂記憶體通道的示例性實施例包括：對記憶體裝置執行訓練模式以發現經主機系統使用的互斥或向量，以擾亂資料，所述擾亂資料是藉由：輸入所有零訓練資料至對於記憶體裝置的所有記憶位置的擾亂演算，以產生透過記憶體通道傳輸至記憶體裝置的經擾亂的訓練資料，以致於以致對應於記憶位置，經擾亂的訓練資料相等於互斥或向量；藉由記憶體裝置透過記憶體通道接收經擾亂的訓練資料，且對於對應的記憶位置的每一者儲存經擾亂的訓練資料作為互斥或向量；以及在記憶體裝置的功能模式中，對於特定記憶位置透過記憶體通道接收經擾亂的資料，且使用對於特定記憶位置儲存的互斥或向量，以在寫入至特定記憶位置之前解擾亂經擾亂的資料。
简体摘要：对于解扰乱与扰乱内存信道的示例性实施例包括：对内存设备运行训练模式以发现经主机系统使用的互斥或矢量，以扰乱数据，所述扰乱数据是借由：输入所有零训练数据至对于内存设备的所有记忆位置的扰乱演算，以产生透过内存信道传输至内存设备的经扰乱的训练数据，以致于以致对应于记忆位置，经扰乱的训练数据相等于互斥或矢量；借由内存设备透过内存信道接收经扰乱的训练数据，且对于对应的记忆位置的每一者存储经扰乱的训练数据作为互斥或矢量；以及在内存设备的功能模式中，对于特定记忆位置透过内存信道接收经扰乱的数据，且使用对于特定记忆位置存储的互斥或矢量，以在写入至特定记忆位置之前解扰乱经扰乱的数据。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式