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1. 发明专利

TW201030901A 半導體裝置和其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体设备和其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201030901A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098134617
申请日：2009-10-13
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：田所麻美 , 藤田雅史
IPC分类号： H01L , G06K
CPC分类号： H01L27/0814 , H01L21/8222
摘要：一種結構,能在元件形成之後改變該元件的特徵値,以防止製造成本的增加及生產交付的延遲。串聯連接複數個二極體。然後,將該等複數個二極體的一部分藉由佈線短路。具體地說,並聯連接二極體及佈線,從而使電流優先流入該佈線,使得該二極體可視為不存在。然後,該佈線在該佈線的一部分處切割,因此在該切割作用前,具有並聯連接至該佈線的該二極體。
简体摘要：一种结构,能在组件形成之后改变该组件的特征値,以防止制造成本的增加及生产交付的延迟。串联连接复数个二极管。然后,将该等复数个二极管的一部分借由布线短路。具体地说,并联连接二极管及布线,从而使电流优先流入该布线,使得该二极管可视为不存在。然后,该布线在该布线的一部分处切割,因此在该切割作用前,具有并联连接至该布线的该二极管。

2. 发明专利

TWI423139B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI423139B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW096137845
申请日：2007-10-09
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：加藤清 , KATO, KIYOSHI , 田所麻美 , TADOKORO, ASAMI
IPC分类号： G06K19/073
CPC分类号： H02H9/02 , G06K19/0701 , G06K19/0715 , G06K19/0723 , H01Q1/2208 , H01Q1/2283 , Y10T307/858

3. 发明专利

TW201222944A 蓄電裝置及蓄電裝置的製造方法 POWER STORAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE 审中-公开
简体标题：蓄电设备及蓄电设备的制造方法 POWER STORAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE
公开(公告)号：TW201222944A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100122818
申请日：2011-06-29
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：栗城和貴 , 小西路子 , 田所麻美 , 吉田泰則 , 荻野清文 , 竹內敏彥
IPC分类号： H01M
CPC分类号： H01L28/84 , H01G11/06 , H01G11/12 , H01G11/28 , H01G11/70 , H01G11/86 , H01M4/0428 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/667 , H01M10/052 , Y02E60/13
摘要：本發明的一個方式的目的之一在於在蓄電裝置中提高迴圈特性等的性能。一種蓄電裝置，包括集電體和密接地形成在該集電體上的具有晶須的結晶半導體層。並且，藉由密接性的提高，抑制結晶半導體層的脫離，從而實現相對於迴圈數第一次的第十次的比容量為90%以上的迴圈特性。另外，實現相對於迴圈數第一次的第一百次的比容量為70%以上的迴圈特性。
简体摘要：本发明的一个方式的目的之一在于在蓄电设备中提高循环特性等的性能。一种蓄电设备，包括集电体和密接地形成在该集电体上的具有晶须的结晶半导体层。并且，借由密接性的提高，抑制结晶半导体层的脱离，从而实现相对于循环数第一次的第十次的比容量为90%以上的循环特性。另外，实现相对于循环数第一次的第一百次的比容量为70%以上的循环特性。

4. 发明专利

TWI540734B 薄膜電晶體有权
简体标题：薄膜晶体管
公开(公告)号：TWI540734B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW099146125
申请日：2010-12-27
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：宮入秀和 , MIYAIRI, HIDEKAZU , 笹川慎也 , SASAGAWA, SHINYA , 倉田求 , KURATA, MOTOMU , 田所麻美 , TADOKORO, ASAMI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L23/52
CPC分类号： H01L29/78609 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/78669 , H01L29/78678

5. 发明专利

TWI395372B 連接器與連接至其之印刷電路板有权
简体标题：连接器与连接至其之印刷电路板
公开(公告)号：TWI395372B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW095113454
申请日：2006-04-14
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：田所麻美 , TADOKORO, ASAMI
IPC分类号： H01R12/50
CPC分类号： H01R12/79 , H01R12/675

6. 发明专利

TWI514650B 電極、蓄電裝置及電極的製造方法有权
简体标题：电极、蓄电设备及电极的制造方法
公开(公告)号：TWI514650B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW100122818
申请日：2011-06-29
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：栗城和貴 , KURIKI, KAZUTAKA , 小西路子 , KONISHI, MICHIKO , 田所麻美 , TADOKORO, ASAMI , 吉田泰則 , YOSHIDA, YASUNORI , 荻野清文 , OGINO, KIYOFUMI , 竹內敏彥 , TAKEUCHI, TOSHIHIKO
IPC分类号： H01M4/02 , H01M4/04
CPC分类号： H01L28/84 , H01G11/06 , H01G11/12 , H01G11/28 , H01G11/70 , H01G11/86 , H01M4/0428 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/667 , H01M10/052 , Y02E60/13

7. 发明专利

TWI490981B 半導體裝置和其製造方法有权
简体标题：半导体设备和其制造方法
公开(公告)号：TWI490981B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW098134617
申请日：2009-10-13
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：田所麻美 , TADOKORO, ASAMI , 藤田雅史 , FUJITA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , G06K19/07
CPC分类号： H01L27/0814 , H01L21/8222

8. 发明专利

TW201140847A 薄膜電晶體 THIN FILM TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：薄膜晶体管 THIN FILM TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201140847A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099146125
申请日：2010-12-27
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：宮入秀和 , 笹川慎也 , 倉田求 , 田所麻美
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/78609 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/78669 , H01L29/78678
摘要：提供一種具有令人滿意之電特性的薄膜電晶體。此薄膜電晶體包括：閘極電極；閘極絕緣層；半導體層，其包括微晶半導體區和非晶半導體區；雜質半導體層；佈線；第一氧化物區，係設置在微晶半導體區與佈線之間；以及第二氧化物區，係設置在非晶半導體區與佈線之間，其中，在從所述佈線中包含之元素的分佈與所述半導體層中包含之元素的分佈的相交處的所述半導體層側上，與所述第一氧化物區中的氧分佈的最高傾斜度(m1)相切的直線和與所述第二氧化物區中的氧分佈的最高傾斜度(m2)相切的直線滿足關係式1＜m1/m2＜10。
简体摘要：提供一种具有令人满意之电特性的薄膜晶体管。此薄膜晶体管包括：闸极电极；闸极绝缘层；半导体层，其包括微晶半导体区和非晶半导体区；杂质半导体层；布线；第一氧化物区，系设置在微晶半导体区与布线之间；以及第二氧化物区，系设置在非晶半导体区与布线之间，其中，在从所述布线中包含之元素的分布与所述半导体层中包含之元素的分布的相交处的所述半导体层侧上，与所述第一氧化物区中的氧分布的最高倾斜度(m1)相切的直线和与所述第二氧化物区中的氧分布的最高倾斜度(m2)相切的直线满足关系式1＜m1/m2＜10。

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