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1. 发明公开

CN118180356A 基于工艺数据挖掘和控制规律设计的模具温度闭环控制方法有权
公开(公告)号：CN118180356A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410620012.8
申请日：2024-05-20
申请人：北京航空航天大学宁波创新研究院 , 诸城航大新材料技术有限公司
发明人：詹叶旺 , 陈醉 , 张瑞 , 张守彬 , 王磊 , 金昱 , 程颖 , 张花蕊 , 张虎
IPC分类号： B22D18/08 , B22D18/04 , G16C60/00 , G06F30/27 , G06N3/0499 , G06N3/084 , G06N3/0985 , G06F111/10
摘要：本申请涉及低压铸造技术领域，具体涉及基于工艺数据挖掘和控制规律设计的模具温度闭环控制方法。该方法包括：步骤一、确定模具温度的理想区间及闭环控制目标值；步骤二、设计模具温度的闭环控制规律；步骤三、冷却工艺方案的迭代优化。其中，模具温度的理想区间及闭环控制目标值是基于大量的历史工艺数据，通过机器学习的方式来确定；并设计了全新的模具温度闭环控制规律，基于模具温度的理想区间、闭环控制目标值及所设计的控制规律进行冷却工艺方案的迭代优化，实现了对模具温度的精确控制，使冷却工艺方案的优化不再依赖于现场技术人员的经验和主观判断，而是基于一个规则明确的定量计算模型来自动调整，优化效果更加稳定。

2. 发明公开

CN117778955A 一种高熵合金涂层材料及其制备方法和应用审中-实审
公开(公告)号：CN117778955A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410041757.9
申请日：2024-01-11
申请人：北京航空航天大学 , 北京航空航天大学宁波创新研究院
发明人：张虎 , 王方方 , 廖依敏 , 高明
IPC分类号： C23C14/16 , C22C30/00 , C23C14/35 , C23C14/54
摘要：本申请涉及表面涂层技术领域，具体涉及一种高熵合金涂层材料及其制备方法和应用。该涂层的材料组分为TiAlMoNbWSix：该体系选择难熔元素Mo、Nb、W为基元素，原子尺寸差异小，易于形成简单的固溶体结构，Nb有弥散强化的作用，Mo、W可在涂层表面形成润滑的氧化薄膜，使涂层的耐磨性优异；添加功能元素Al和Ti，Al可稳定固溶体相结构并有优异的热稳定性，Ti的比强度高且耐蚀性较好；通过调整非金属元素Si的含量，增大晶格基变并降低混合焓，使涂层由固溶体结构转变为非晶结构，结构的改变引起涂层硬度和弹性模量的变化，并影响了涂层的磨损机制，以此提高涂层的耐磨性能。此外，非晶结构更能阻挡元素扩散，从而提高涂层的高温抗氧化性能及抗锌扩散性能。

3. 发明授权

CN117059399B 一种基于卷对卷的介质电容制备方法及介质电容有权
公开(公告)号：CN117059399B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311307980.5
申请日：2023-10-11
申请人：北京航空航天大学宁波创新研究院
发明人：徐惠彬 , 张虎 , 高明 , 王方方 , 祝钦清
IPC分类号： H01G4/32 , H01G4/012 , H01G4/12 , H01G13/02
摘要：层上沉积导电金属薄膜，形成表面电极，得到基本发明属于介质电容器技术领域，具体涉及于卷对卷的介质电容。本发明实现了连续、高效一种基于卷对卷的介质电容制备方法及介质电的介质电容制备，提高制造效率、降低成本，并具容，包括准备基材，通过磁控溅射系统在基材表备一致性和稳定性。面沉积掺铌钛酸锶薄膜介质层；设置光子烧结卷对卷系统，沉积有掺铌钛酸锶薄膜介质层的基材从磁控溅射系统的腔体内导出，并通过前端卷筒进入光子烧结腔，通过光子烧结使介质层完全固化后，得到光子烧结后的掺铌钛酸锶薄膜介质(56)对比文件Dahl, O等.Optimized dielectricproperties of SrTiO3:Nb/SrTiO3 (001)films for high field effect chargedensities《.Journal of Applied Physics》.2008,第89卷第242915页.He Zichen等.Giant permittivity in Nb-doped SrTiO3 single crystal:Compositional gradient and localstructure《.Ceramics International》.2022,第48卷(第20期),第29572-29579页.Gopalan S等.Effect of niobium dopingon the microstructure and electricalproperties of strontium titanate thinfilms for semiconductor memoryapplication《.Applied Physics Letters》.1999,第75卷(第14期),第2123-2125页.Chae Changju等.A Printable MetallicCurrent Collector for All-Printed High-Voltage Micro-Supercapacitors:Instantaneous Surface Passivation byFlash-Light-Sintering Reaction《.AdvancedFunctional Materials》.2020,第30卷(第25期),第2000715页.望咏林等.卷绕式磁控溅射制备透明导电ITO薄膜工艺研究《.TFC'13全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》.2013,第124-125页.郝武昌等.光子烧结纳米铜浆及其在柔性电子中的应用《.电子工艺技术》.2020,第41卷(第5期),第256-259页.

4. 发明公开

CN117051369A 一种掺铌钛酸锶靶材的制备方法、靶材及磁控溅射薄膜有权
公开(公告)号：CN117051369A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311307837.6
申请日：2023-10-11
申请人：北京航空航天大学宁波创新研究院
发明人：徐惠彬 , 张虎 , 高明 , 王方方 , 祝钦清
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/08
摘要：本发明属于金属材料镀覆技术领域。具体涉及一种掺铌钛酸锶靶材的制备方法、靶材及磁控溅射薄膜。所述靶材元素组分为：SrNbxTi1‑xO3，其中x=0.001～0.05；包括将原料配比并初步球磨混合SrCO3、Nb2O5、TiO2纳米粉，原料配比按照通式SrNbxTi1‑xO3的化学计量比Sr：Nb：Ti=1：x/2：(1‑x)进行称量配比，其中x=0.001～0.05；随后加入粘结剂进行二次球磨并进行喷雾干燥，得到粒径范围为0.1‑1μm亚微米级粉体；采用冷等静压工艺制备粗坯，并进行预烧结排胶；在氮气环境下最终烧结并机加工，得到掺铌钛酸锶靶材。本发明保证组分在陶瓷体内弥散分布，避免后续因粉体混合不均所造成的性能偏差，提升产品良率，降低成本，粉体反应活性得以增强，更易于靶材固相烧结与反应。

5. 发明公开

CN117049597A 一种高能量比介质电容器制备方法及介质电容器有权
公开(公告)号：CN117049597A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311307913.3
申请日：2023-10-11
申请人：北京航空航天大学宁波创新研究院
发明人：徐惠彬 , 张虎 , 高明 , 王方方 , 祝钦清
IPC分类号： C01G33/00 , C23C14/02 , C23C14/08 , C23C14/35 , H01G4/33 , H01G4/012 , H01G4/12
摘要：本发明属于介质电容器技术领域，具体涉及一种高能量比介质电容器制备方法及介质电容器，介质电容器包括介质层薄膜，所述薄膜为铌掺杂钛酸锶薄膜，所述铌掺杂钛酸锶薄膜的组分为SrNbxTi1‑xO3，其中x=0.001～0.005，通过原料和基底准备后设定磁控溅射工艺参数在基底上沉积铌掺杂钛酸锶薄膜，随后制备表面电极和封装得到高能量比介质电容器，本发明采用了新的介质材料和制备方法，将电容器的能量比提高了50%，相较于现有技术，电容器在相同体积或质量下可以存储更多的电能，提高了储能性能，可以广泛应用于电动汽车、可再生能源储能系统等领域。

6. 发明公开

CN115365928A 一种研磨方法及研磨机审中-实审
公开(公告)号：CN115365928A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211010701.4
申请日：2022-08-23
申请人：北京航空航天大学宁波创新研究院
发明人：张守彬 , 杜明 , 任强 , 魏怀远 , 张花蕊 , 张虎
IPC分类号： B24B9/04 , B24B41/06 , B24B49/00 , B24B49/16 , B24B37/00 , B24B37/27 , B24B37/34 , B24B37/005
摘要：本申请涉及研磨抛光装置和工艺技术领域，具体涉及一种研磨方法及研磨机，主要应用于工件角部结构的研磨加工。其中，所述工件具有沿L向延伸的角部结构，所述研具包括研磨部，所述研磨部与所述工件的角部结构具有相适配的结构，该研磨方法包括以下步骤：使研具与工件作沿L向相对的往复滑移运动，通过所述研具与所述工件的相对滑移运动实现所述研磨部对所述角部结构的研磨加工。本申请通过设置与角部结构相适配的研磨部，并利用研具与工件的相对滑移运动来实现对工件角部结构的机加工研磨，提高了角部研磨的加工效率和研磨精度，弥补了现有技术中缺乏工件角部结构机加工研磨方法的空白。

7. 发明授权

CN114194300B 一种轻量化铝合金挡泥板支架总成结构有权
公开(公告)号：CN114194300B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202111302223.X
申请日：2021-11-04
申请人：北京航空航天大学宁波创新研究院
发明人：杜明 , 李巍 , 王浩洁 , 任强 , 张花蕊 , 张虎
IPC分类号： B62D25/16 , B62D29/00
摘要：本发明涉及一种轻量化铝合金挡泥板支架总成结构，包括底座、支架主体，支架主体包括安装面、及背面，底座与空芯的主连接臂的尾端连接，主连接臂的首端延伸出空芯的第一连接支臂、第二连接支臂构成“Y”字形的空芯连接部；主连接臂的横截面自尾端向首端逐渐减小；支架主体的中部为五边型的中框体，空芯连接部位于中框体的第一顶角位置，支架主体的除空芯连接部以外的其他部分均为实芯；中框体的第二、第三、第四、第五顶角位置分别具有向外延伸的用于连接挡泥板的对应第一安装臂、第二安装臂、第三安装臂、第四安装臂；支架主体的厚度自靠近第一顶角的一侧朝远离第一顶角的一侧逐渐减小。该种结构轻量化的同时，提高模态以及强度。

8. 发明公开

CN114535500A 铸造用改性微硅粉悬浊液及改性水玻璃和使用方法有权
公开(公告)号：CN114535500A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210130960.4
申请日：2022-02-12
申请人：北京航空航天大学宁波创新研究院
发明人：张花蕊 , 李锦鹏 , 杜明 , 张虎
IPC分类号： B22C1/18 , B22C1/10
摘要：本发明涉及一种铸造用改性微硅粉悬浊液及改性水玻璃和使用方法，各个组分的质量百分比为：微硅粉0.2‑3.0份、氨基硅烷偶联剂0.01‑1.0份、去离子水0.1‑5.0份、无水乙醇0.05‑1.0份、有机酸0.01‑1.0份、粉末添加剂0.01‑1.0份。对应的改性水玻璃包括水玻璃0.5‑3.0份，水玻璃改性剂0.01‑1.0份。对应的使用方法包括配制改性水玻璃无机粘结剂、配制复合改性微硅粉悬浊液、混砂步骤能够提高微硅粉和改性水玻璃分散性，从而提高砂芯强度和抗吸湿性。

9. 发明公开

CN114507847A 一种大尺寸拼接平面靶绑定方法有权
公开(公告)号：CN114507847A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111646013.2
申请日：2021-12-30
申请人：北京航空航天大学宁波创新研究院
发明人：高明 , 张虎 , 陈浩杰 , 王方方
IPC分类号： C23C14/35 , B23K31/02 , B23K37/00 , B23K37/04
摘要：本发明涉及一种大尺寸拼接平面靶绑定方法，包括操作平台，辅助基板、辅助挡板以及移动贴合装置，辅助基板、辅助挡板互相配合而在辅助基板的上表面能拼接有多块单元靶片，从而得到平面靶，通过移动贴合装置将平面靶与背板焊合，去除辅助基板而绑定完成。该种绑定方法能保证拼接后的平面靶的直线度、平面度、提高绑定效率。

10. 发明公开

CN112624739A 一种氧化镍基陶瓷靶材、薄膜及薄膜制备工艺审中-实审
公开(公告)号：CN112624739A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011266655.5
申请日：2020-11-13
申请人：北京航空航天大学宁波创新研究院
发明人：张虎 , 高明 , 杨本润 , 周丽丽
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58
摘要：本发明涉及一种陶瓷靶材材料、薄膜及薄膜制备工艺，包括氧化镍和掺杂源元素，所述掺杂源元素的总质量分数不高于10％，所述掺杂源元素选自Li 0‑6％、Na 0‑0.3％、Mg 0‑1.0％、Al 0‑0.1％、Si 0‑0.1％、K 0‑0.15％、Zn 0‑12％、Zr 0‑1.5％、Mn 0‑1.2％、Cu 0‑10％、Cr0‑1.2％、V 0‑0.3％、W 0‑10％、Ti 0‑2.5％中的一种或几种；其中陶瓷靶材材料的平均晶粒尺寸1‑10μm，掺杂相尺寸0‑800nm，致密度大于98％。制备得到的靶材材料的导电性、镀膜工艺性能更好；制备得到的薄膜导电性良好且具有较大透射率。

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