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1. 发明专利

TWI270157B 測量裝置 MEASUREMENT ARRANGEMENT 有权
简体标题：测量设备 MEASUREMENT ARRANGEMENT
公开(公告)号：TWI270157B
公开(公告)日：2007-01-01
申请号：TW091100775
申请日：2002-01-18
申请人：億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG , 微光子技術公司 NANOPHOTONICS AG
发明人：麥可艾柏拉漢 MICHAEL ABRAHAM , 艾克哈德馬克斯 ECKHARD MARX
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67253 , H01L21/67772
摘要：一種測量裝置(1)，即一度量工具及一車輛(2)，其結合來提供在一製造設施中的活動性度量。週邊設備，例如一裝置轉換單元(3)，可用於例如半導體製造中的FOUPs，一電子控制系統(5)具有例如一個人電腦，監視器及鍵盤，及選擇性的一真空泵(9)，其亦可提供在該車輛(2)的模組架構中。該測量配置特別可以降低例如像是在半導體製造設施的快速設置階段期間，製程工具(40)的設備驗證中的瓶頸狀況，藉此來節省成本。該架構係基於PGVs或AGVs，並允許直接在一製程工具(40)的位置處進行快速操作。除了可能的電源供應或操作者控制之例外狀況，該測量配置可以完全獨立地操作。
简体摘要：一种测量设备(1)，即一度量工具及一车辆(2)，其结合来提供在一制造设施中的活动性度量。周边设备，例如一设备转换单元(3)，可用于例如半导体制造中的FOUPs，一电子控制系统(5)具有例如一个人电脑，监视器及键盘，及选择性的一真空泵(9)，其亦可提供在该车辆(2)的模块架构中。该测量配置特别可以降低例如像是在半导体制造设施的快速设置阶段期间，制程工具(40)的设备验证中的瓶颈状况，借此来节省成本。该架构系基于PGVs或AGVs，并允许直接在一制程工具(40)的位置处进行快速操作。除了可能的电源供应或操作者控制之例外状况，该测量配置可以完全独立地操作。

2. 发明专利

TW589714B 晶圓切割方法及晶圓切割裝置有权
简体标题：晶圆切割方法及晶圆切割设备
公开(公告)号：TW589714B
公开(公告)日：2004-06-01
申请号：TW091124195
申请日：2002-10-21
申请人：摩托羅拉公司 MOTOROLA INC. , 億恒科技SC300公司 INFINEON TECHNOLOGIES SC300 GMBH & CO. KG , 億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：馬汀佩特 MARTIN PEITER , 艾克哈德馬克斯 ECKHARD MARX , 卡爾莫茲 KARL MAUTZ
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67282 , B23K26/389 , B23K2201/40 , H01L21/3043 , H01L21/6836 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2223/54453 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種晶圓(11)切割方法，其中藉由一光束產生構件(10)將一指定光束(12)照射在晶圓(11)上，用以從晶圓區域移除一部份的晶圓材料。此外，本發明也揭示一種晶圓切割裝置，其包含：一晶圓座(31)及一光束產生構件(10)，該光束產生構件係用以將至少一指定光束照射在晶圓(11)上。
本發明之晶圓切割方法之特徵為包含進一步產生一第一放射脈衝之步驟，該第一放射脈衝具有可預設之能量密度，上用以在晶圓(11)上形成一較深凹坑(18)。
本發明之晶圓切割裝置之特徵為包含一能夠產生一放射脈衝之裝置，藉由該放射脈衝可在晶圓(11)上形成一較深凹坑(18)。
简体摘要：本发明揭示一种晶圆(11)切割方法，其中借由一光束产生构件(10)将一指定光束(12)照射在晶圆(11)上，用以从晶圆区域移除一部份的晶圆材料。此外，本发明也揭示一种晶圆切割设备，其包含：一晶圆座(31)及一光束产生构件(10)，该光束产生构件系用以将至少一指定光束照射在晶圆(11)上。本发明之晶圆切割方法之特征为包含进一步产生一第一放射脉冲之步骤，该第一放射脉冲具有可默认之能量密度，上用以在晶圆(11)上形成一较深凹坑(18)。本发明之晶圆切割设备之特征为包含一能够产生一放射脉冲之设备，借由该放射脉冲可在晶圆(11)上形成一较深凹坑(18)。

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