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1. 发明专利

TW200605456A 覆晶元件的熱超音波結合之最佳化接點設計 OPTIMIZED CONTACT DESIGN FOR THERMOSONIC BONDING OF FLIP-CHIP DEVICES 审中-公开
简体标题：覆芯片件的热超音波结合之最优化接点设计 OPTIMIZED CONTACT DESIGN FOR THERMOSONIC BONDING OF FLIP-CHIP DEVICES
公开(公告)号：TW200605456A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW093141018
申请日：2004-12-24
申请人：傑爾可公司 GELCORE LLC
发明人：艾雯愛利沙文祺 ELIASHEVICH, IVAN , 高翔 GAO, XIANG , 哈瑞維谷帕恩 VENUGOPALAN, HARI , 麥可J 史考克瑞森 SACKRISON, MICHAEL J.
IPC分类号： H01R
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2224/05599
摘要：本發明揭示一種包含一半導體晶粒(100)之發光元件(A)。該半導體晶粒包含：一磊晶結構(120)，其係配置在一基板(160)上，該磊晶結構形成一主動光產生區域(140)，其係在該主動區域之一第一側上並且具有一第一導電率類型的一第一層(120n)，與在該主動區域之一第二側上並且具有一第二導電率類型的一第二層(120p)之間，該主動區域之該第二側係與該主動區域之該第一側相對，並且該第二導電率類型不同於該第一導電率類型；一第一接點(180n)，其係經由該磊晶結構中的該第一層與該主動區域進行操作式電性通信，該第一接點係配置在與該基板相對的該磊晶結構之一側上；一第二接點(180p)，其係經由該磊晶結構中的該第二層與該主動區域進行操作式電性通信，該第二接點係配置在與該基板相對的該磊晶結構之一側上；一第一接點跡線，其對應於該第一接點並且定義在遠離該基板的一表面上，該第一跡線包含至少一個指定用於結合的區域(320n)；以及一第二接點跡線，其對應於該第二接點並且定義在遠離該基板的一表面上，該第二跡線包含至少一個指定用於結合的區域(320p)。相應地，該第一接點跡線實質上係封裝於該第二接點跡線內。
简体摘要：本发明揭示一种包含一半导体晶粒(100)之发光组件(A)。该半导体晶粒包含：一磊晶结构(120)，其系配置在一基板(160)上，该磊晶结构形成一主动光产生区域(140)，其系在该主动区域之一第一侧上并且具有一第一导电率类型的一第一层(120n)，与在该主动区域之一第二侧上并且具有一第二导电率类型的一第二层(120p)之间，该主动区域之该第二侧系与该主动区域之该第一侧相对，并且该第二导电率类型不同于该第一导电率类型；一第一接点(180n)，其系经由该磊晶结构中的该第一层与该主动区域进行操作式电性通信，该第一接点系配置在与该基板相对的该磊晶结构之一侧上；一第二接点(180p)，其系经由该磊晶结构中的该第二层与该主动区域进行操作式电性通信，该第二接点系配置在与该基板相对的该磊晶结构之一侧上；一第一接点迹线，其对应于该第一接点并且定义在远离该基板的一表面上，该第一迹线包含至少一个指定用于结合的区域(320n)；以及一第二接点迹线，其对应于该第二接点并且定义在远离该基板的一表面上，该第二迹线包含至少一个指定用于结合的区域(320p)。相应地，该第一接点迹线实质上系封装于该第二接点迹线内。

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