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热词
    • 2. 发明专利
    • 晶圓之兩面研磨方法
    • 晶圆之两面研磨方法
    • TW200707571A
    • 2007-02-16
    • TW095125111
    • 2006-07-10
    • 信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
    • 上野淳一小林修一
    • H01L
    • B24B37/08H01L21/02024
    • 一種晶圓之兩面研磨方法,係以貼付研磨布之一上定盤與一下定盤包夾保持於載具之一晶圓,從位於該上定盤之複數個研磨劑供給孔供給研磨劑至該上定盤與該下定盤間,同時研磨該晶圓之兩面,研磨該晶圓之兩面時,相對於該上定盤迴轉中心之外側的研磨劑供給孔供給之研磨劑量,大於內側的研磨劑供給孔供給之研磨劑量,以調整該晶圓外緣部的研磨量,抑制晶圓的外緣缺陷。藉此,進行晶圓之兩面研磨加工時,抑制晶圓的外緣缺陷的發生。
    • 一种晶圆之两面研磨方法,系以贴付研磨布之一上定盘与一下定盘包夹保持于载具之一晶圆,从位于该上定盘之复数个研磨剂供给孔供给研磨剂至该上定盘与该下定盘间,同时研磨该晶圆之两面,研磨该晶圆之两面时,相对于该上定盘回转中心之外侧的研磨剂供给孔供给之研磨剂量,大于内侧的研磨剂供给孔供给之研磨剂量,以调整该晶圆外缘部的研磨量,抑制晶圆的外缘缺陷。借此,进行晶圆之两面研磨加工时,抑制晶圆的外缘缺陷的发生。
    • 3. 发明专利
    • 晶圓保持用載具以及使用此之雙面研磨裝置及晶圓之雙面研磨方法
    • 晶圆保持用载具以及使用此之双面研磨设备及晶圆之双面研磨方法
    • TW200422138A
    • 2004-11-01
    • TW093107485
    • 2004-03-19
    • 信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
    • 上野淳一
    • B24B
    • B24B37/28
    • 一種晶圓保持用載具1,其特徵為:除了擁有收容並保持前述晶圓用的保持孔2外,擁有通過研磨劑用的研磨劑穿通孔3、4,且該研磨劑穿通孔的面積佔載具主面的15%以上。最好研磨劑穿通孔佔載具主面之總面積的30%以下,且分別為直徑5mm至30mm的圓形研磨穿通孔,在載具整體被配列呈同心圓狀或格子狀。藉此,提供一種研磨裝置,特別是一種具備做成不自轉的圓周運動的載具之雙面研磨裝置,在於使用硬質研磨布進行研磨時,不需大幅地改造裝置,也可以加工成不會發生錐形或外周下垂等的高平坦度的晶圓之技術。
    • 一种晶圆保持用载具1,其特征为:除了拥有收容并保持前述晶圆用的保持孔2外,拥有通过研磨剂用的研磨剂穿通孔3、4,且该研磨剂穿通孔的面积占载具主面的15%以上。最好研磨剂穿通孔占载具主面之总面积的30%以下,且分别为直径5mm至30mm的圆形研磨穿通孔,在载具整体被配列呈同心圆状或格子状。借此,提供一种研磨设备,特别是一种具备做成不自转的圆周运动的载具之双面研磨设备,在于使用硬质研磨布进行研磨时,不需大幅地改造设备,也可以加工成不会发生锥形或外周下垂等的高平坦度的晶圆之技术。