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2. 发明专利

TWI444498B 依電漿ＣＶＤ法所得之含矽膜形成用有機矽烷化合物及含矽膜之成膜方法有权
简体标题：依等离子ＣＶＤ法所得之含硅膜形成用有机硅烷化合物及含硅膜之成膜方法
公开(公告)号：TWI444498B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW098140987
申请日：2009-12-01
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：濱田吉隆 , HAMADA, YOSHITAKA
IPC分类号： C23C16/40 , H01L21/316 , H01L29/78
CPC分类号： C07F7/184 , B05D1/62 , C07F7/1844 , C23C16/401 , C23C16/505 , H01L21/02123 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02214 , H01L21/02274 , H01L21/31604

3. 发明专利

TWI363773B 倍半氧矽烷系化合物混合物及水解性矽烷化合物，其製造方法及使用其之光阻組成物以及圖型之形成方法及基板之加工方法 SILSESQUIOXANE COMPOUND MIXTURE, HYDROLYZABLE SILANE COMPOUND, MAKING METHODS, RESIST COMPOSITION, PATTERNING PROCESS, AND SUBSTRATE PROCESSING 有权
简体标题：倍半氧硅烷系化合物混合物及水解性硅烷化合物，其制造方法及使用其之光阻组成物以及图型之形成方法及基板之加工方法 SILSESQUIOXANE COMPOUND MIXTURE, HYDROLYZABLE SILANE COMPOUND, MAKING METHODS, RESIST COMPOSITION, PATTERNING PROCESS, AND SUBSTRATE PROCESSING
公开(公告)号：TWI363773B
公开(公告)日：2012-05-11
申请号：TW096136049
申请日：2007-09-27
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：中島睦雄 , 濱田吉隆 , 竹村勝也 , 野田和美
IPC分类号： C08G , G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0757 , C08G77/045 , C08G77/06 , G03F7/0397 , Y10S430/106
摘要：【解決手段】本發明係提供一種倍半氧矽烷系化合物混合物，其係含有具側鏈之倍半氧矽烷單位且縮合度為實質上100%者，其特徵為該倍半氧矽烷系化合物混合物具有之側鏈，係具有一部份伸甲基可被氧取代之原菠烷骨架與矽原子直接結合之結構；該原菠烷骨架未與矽結合之一側之二伸甲基鏈係可由1個以上之氫以外之取代基所取代，且該二伸甲基鏈上之高體積密度取代基占有exo位之異構體比率係更高者。
【效果】本發明係提供一種特別適合於化學增幅正型光阻組成物之具有實質上100%縮合度之倍半氧矽烷系化合物或其混合物。進而，使用藉由本發明所得到之具有100%縮合度之倍半氧矽烷系化合物混合物之光阻組成物，其與傳統物質相比較，係具有高解像性、且特別是對於微小重複之圖型形成具有高性能者。
简体摘要：【解决手段】本发明系提供一种倍半氧硅烷系化合物混合物，其系含有具侧链之倍半氧硅烷单位且缩合度为实质上100%者，其特征为该倍半氧硅烷系化合物混合物具有之侧链，系具有一部份伸甲基可被氧取代之原菠烷骨架与硅原子直接结合之结构；该原菠烷骨架未与硅结合之一侧之二伸甲基链系可由1个以上之氢以外之取代基所取代，且该二伸甲基链上之高体积密度取代基占有exo位之异构体比率系更高者。【效果】本发明系提供一种特别适合于化学增幅正型光阻组成物之具有实质上100%缩合度之倍半氧硅烷系化合物或其混合物。进而，使用借由本发明所得到之具有100%缩合度之倍半氧硅烷系化合物混合物之光阻组成物，其与传统物质相比较，系具有高解像性、且特别是对于微小重复之图型形成具有高性能者。

4. 发明专利

TW554348B 導電性粉末及其製法失效
简体标题：导电性粉末及其制法
公开(公告)号：TW554348B
公开(公告)日：2003-09-21
申请号：TW089109183
申请日：2000-05-12
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：福島基夫 , 伊藤邦雄 , 森滋 , 笠匡樹 , 濱田吉隆 , 荒又幹夫
IPC分类号： H01B , C08K
CPC分类号： H01B1/22 , H05K3/323 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993 , Y10T428/2995 , Y10T428/2996
摘要：一種導電性粉末，其中各粒子表面上具有有機矽聚合物層，以及一種包圍該矽聚合物層之金屬層，即使在高溫下，其於該粒子底質與該金屬間之結合力較強，而且顯示高度且安定導電性與耐熱性。
简体摘要：一种导电性粉末，其中各粒子表面上具有有机硅聚合物层，以及一种包围该硅聚合物层之金属层，即使在高温下，其于该粒子底质与该金属间之结合力较强，而且显示高度且安定导电性与耐热性。

5. 发明专利

TWI596167B 導電性電路描繪用油墨組成物，導電性電路形成方法及藉此方法所形成之導電性電路有权
简体标题：导电性电路描绘用油墨组成物，导电性电路形成方法及借此方法所形成之导电性电路
公开(公告)号：TWI596167B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW102131040
申请日：2013-08-29
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：濱田吉隆 , HAMADA, YOSHITAKA , 山川直樹 , YAMAKAWA, NAOKI
IPC分类号： C09D11/02 , C09D5/24 , H05K1/09 , H05K3/12
CPC分类号： H05K1/095 , H05K3/1216

6. 发明专利

TWI390352B 具有含氟環狀構造之矽化合物、及聚矽氧樹脂、使用其之光阻組成物及圖型之形成方法有权
简体标题：具有含氟环状构造之硅化合物、及聚硅氧树脂、使用其之光阻组成物及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI390352B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW095124695
申请日：2006-07-06
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：金生剛 , KINSHO, TAKESHI , 渡邊武 , WATANABE, TAKERU , 中島睦雄 , NAKASHIMA, MUTSUO , 濱田吉隆 , HAMADA, YOSHITAKA
IPC分类号： G03F7/075 , C07D307/20 , C07D319/06 , C08G77/04 , G03F7/004
CPC分类号： C08G77/24 , C07D307/20 , C07D319/06 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0757 , Y10S430/106 , Y10S430/108

7. 发明专利

TWI361954B 光阻組成物及使用其之圖型形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME 有权
简体标题：光阻组成物及使用其之图型形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
公开(公告)号：TWI361954B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：TW096105268
申请日：2007-02-13
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：中島睦雄 , 濱田吉隆 , 竹村勝也 , 野田和美
IPC分类号： G03F , H01L , C08G
CPC分类号： G03F7/0757 , G03F7/0045 , Y10S430/114
摘要：本發明係一種光阻組成物，其係含有：(A)含有下述一般式(1)、(2)及(3)所示之化合物中之水解性矽烷單體混合物藉由共水解．縮合所得之聚矽氧樹脂(B)酸產生劑(C)含氮有機化合物及(D)有機溶劑所成，R5R6qSiX3－q(2) R7R8rSiX3－r(3)(R1、R2、R3為氫原子、氟原子、烷基或氟化之烷基，至少一個含有氟原子。R4為烴基，R5係具有作為官能基之以酸分解性保護基保護之羧基的有機基，R6係與R4相同定義，R7係具有作為官能基之內酯環的有機基，R8係與R4相同定義。X係氫原子、氯原子、溴原子或烷氧基，p為0或1；q為0或1；r為0或1)。
本發明之光阻組成物顯示與以往之接近位置之碳被氟化之醇為極性基之組成物同等以上的解像性，也無氧反應性蝕刻之蝕刻選擇比的問題，適用於ArF曝光之2層光阻法。
简体摘要：本发明系一种光阻组成物，其系含有：(A)含有下述一般式(1)、(2)及(3)所示之化合物中之水解性硅烷单体混合物借由共水解．缩合所得之聚硅氧树脂(B)酸产生剂(C)含氮有机化合物及(D)有机溶剂所成，R5R6qSiX3－q(2) R7R8rSiX3－r(3)(R1、R2、R3为氢原子、氟原子、烷基或氟化之烷基，至少一个含有氟原子。R4为烃基，R5系具有作为官能基之以酸分解性保护基保护之羧基的有机基，R6系与R4相同定义，R7系具有作为官能基之内酯环的有机基，R8系与R4相同定义。X系氢原子、氯原子、溴原子或烷氧基，p为0或1；q为0或1；r为0或1)。本发明之光阻组成物显示与以往之接近位置之碳被氟化之醇为极性基之组成物同等以上的解像性，也无氧反应性蚀刻之蚀刻选择比的问题，适用于ArF曝光之2层光阻法。

8. 发明专利

TW201026810A 基板之接合方法及三維半導體裝置 SUBSTRATE BONDING METHOD, AND 3-D SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：基板之接合方法及三维半导体设备 SUBSTRATE BONDING METHOD, AND 3-D SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201026810A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098127543
申请日：2009-08-14
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：八木橋不二夫 , 濱田吉隆 , 淺野健
IPC分类号： C09J
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , H01L2924/00
摘要：本發明解決問題之方法為一種基板之接合方法，其係於接合之基板間夾著黏著層前驅物層並加熱而形成黏著層之基板之接合方法，其特徵為接合的一者或兩者之基板採用在該基板與黏著層前驅物接觸之面預先形成氣體透過層的基板。本發明之效果：依據本發明，即使在接合用材料採用熱硬化時產生較多量氣體的材料之情況下，在形成有半導體裝置之基板間不會引起氣體發生造成之剝離問題，可形成堅固的接合。
简体摘要：本发明解决问题之方法为一种基板之接合方法，其系于接合之基板间夹着黏着层前驱物层并加热而形成黏着层之基板之接合方法，其特征为接合的一者或两者之基板采用在该基板与黏着层前驱物接触之面预先形成气体透过层的基板。本发明之效果：依据本发明，即使在接合用材料采用热硬化时产生较多量气体的材料之情况下，在形成有半导体设备之基板间不会引起气体发生造成之剥离问题，可形成坚固的接合。

9. 发明专利

TWI576860B 導電性圖型形成用組成物及導電性圖型之形成方法有权
简体标题：导电性图型形成用组成物及导电性图型之形成方法
公开(公告)号：TWI576860B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW101104926
申请日：2012-02-15
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：濱田吉隆 , HAMADA, YOSHITAKA , 八木橋不二夫 , YAGIHASHI, FUJIO
IPC分类号： H01B1/20 , H01B1/22 , C08L83/04 , B05D5/12
CPC分类号： H01B1/22 , C09D7/69 , C09D11/322 , C09D11/52

10. 发明专利

TWI500577B 三矽烷胺的製造方法有权
简体标题：三硅烷胺的制造方法
公开(公告)号：TWI500577B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW100101448
申请日：2011-01-14
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：濱田吉隆 , HAMADA, YOSHITAKA , 平原和弘 , HIRAHARA, KAZUHIRO
IPC分类号： C01B21/087
CPC分类号： C01B21/087

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