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1. 发明专利

JP2016125911A 元素分析方法有权
公开(公告)号：JP2016125911A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：JP2015000283
申请日：2015-01-05
申请人：信越化学工業株式会社 , 株式会社イアス
发明人：荻原勤 , 岩淵元亮 , 種田義則 , 森澤拓 , 星征朗 , 川端克彦 , 小林理朗 , 狩野光正
IPC分类号： G01N31/12 , G01N27/62 , G01N1/28 , G01N31/00
摘要：【課題】ケイ素マトリックスの析出による元素分析装置の閉塞を防止しながら、ケイ素含有化合物を含む試料中の不純物元素を従来の1,000倍の精度で分析することができる元素分析方法を提供する。【解決手段】ケイ素含有化合物を含む試料中の不純物元素を分析する方法であって、少なくとも加熱機構、送液機構、及び搬送機構が具備された自動気相分解装置を用いて、前記試料中に含まれるケイ素含有化合物を分解し、該分解後の試料中のケイ素分を除去して元素分析用試料を調製し、該調製した元素分析用試料を自動で元素分析装置に注入して、前記元素分析用試料中の不純物元素を分析する元素分析方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种元素分析方法，其能够分析与含硅化合物的样品中的杂质元素相比，与常规方法相比精度为1,000倍，同时防止元素分析仪被硅基质的沉积阻挡。解决方案：用于分析包含含硅化合物的样品中的杂质元素的方法包括：使用至少包括加热机构，送液机构和输送机构的自动气相分解装置分解样品中包含的含硅化合物; 在分解后除去样品中的硅部分，以制备用于元素分析的样品; 自动将准备的元素分析样品注入元素分析仪; 并分析样品中的杂质元素进行元素分析。选择图：图1

2. 发明专利

JP6491883B2 元素分析方法有权
公开(公告)号：JP6491883B2
公开(公告)日：2019-03-27
申请号：JP2015000283
申请日：2015-01-05
申请人：信越化学工業株式会社 , 株式会社イアス
发明人：荻原勤 , 岩淵元亮 , 種田義則 , 森澤拓 , 星征朗 , 川端克彦 , 小林理朗 , 狩野光正
IPC分类号： G01N31/12 , G01N27/62 , G01N1/28 , G01N31/00

3. 发明专利

JP2015072418A レジスト組成物の製造方法有权
标题翻译：耐蚀组合物的生产方法
公开(公告)号：JP2015072418A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2013208915
申请日：2013-10-04
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：岩淵元亮 , 荻原勤 , 星征朗 , 美谷島祐介
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/11 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/26 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/16
摘要：【課題】塗布欠陥の低減されたレジスト組成物を製造することのできるレジスト組成物の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置製造工程で使用されるレジスト組成物の製造方法であって、前記レジスト組成物の製造装置を洗浄液で洗浄し、該洗浄液を前記製造装置から取り出して分析し、該洗浄液中に含まれる不揮発成分の濃度が10ppm以下となるまで洗浄した後に、前記製造装置で前記レジスト組成物を製造するレジスト組成物の製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供抗蚀剂组合物的制造方法，通过该方法可以制造具有减少的涂层缺陷的抗蚀剂组合物。溶液：提供用于制造半导体器件的方法的抗蚀剂组合物的制造方法其包括以下步骤：用清洁溶液清洗用于制备抗蚀剂组合物的装置; 从生产设备中提取清洗液并进行分析; 进一步清洗装置，直到包含在清洁溶液中的非挥发性组分的浓度降低到10ppm或更低; 然后在制造装置中制造抗蚀剂组合物。

4. 发明专利

JP6199686B2 レジスト組成物の製造方法有权
公开(公告)号：JP6199686B2
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：JP2013208915
申请日：2013-10-04
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：岩淵元亮 , 荻原勤 , 星征朗 , 美谷島祐介
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/11 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/26 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/16

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