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    • 3. 发明专利
    • ダミーウェーハ及びその製造方法
    • JP2020178080A
    • 2020-10-29
    • JP2019080409
    • 2019-04-19
    • 信越ポリマー株式会社
    • 須田 信光滝瀬 潔麻生 勉
    • H01L21/02
    • 【課題】ウェーハの欠けや割れを低減することができ、粘着層を省略して粘着成分が汚染源となるのを防止できるダミーウェーハ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】シリコンウェーハからなる再生ウェーハ2と、この再生ウェーハ2の少なくとも周縁部4以外の表裏両面に焼付処理して積層される厚さ10μm以上の被覆保護層10を備え、被覆保護層10に、少なくともポリエーテルエーテルケトン樹脂が含有される。再生ウェーハ2と被覆保護層10を焼付処理して密着するので、再生ウェーハ2の機械的強度が向上し、ダミーウェーハ1の欠けや割れを防止できる。また、焼付処理するので、被覆保護層10が強固となり、しかも、被覆保護層10の密着が安定する。また、被覆保護層10の主成分がポリエーテルエーテルケトン樹脂なので、ダミーウェーハ1の耐熱性、耐薬品性、耐摩耗性、摺動特性を向上させ、優れた低吸水率を得ることが可能となる。 【選択図】図1
    • 4. 发明专利
    • ウェーハ用スペーサ
    • JP2020025010A
    • 2020-02-13
    • JP2018148503
    • 2018-08-07
    • 信越ポリマー株式会社
    • 麻生 勉須田 信光滝瀬 潔
    • H01L21/304B24B41/06H01L21/683
    • 【課題】 例えポリエーテルエーテルケトンフィルムが30μm以下の薄さでも、形態を維持し、容易に製造したり、取り扱うことのできるウェーハ用スペーサを提供する。 【解決手段】 吸着装置1と半導体ウェーハ10の間に介在されるウェーハ用スペーサ20であり、吸着装置1の多孔質テーブル5と半導体ウェーハ10の表面周縁部11の間に介在される平面リング形の敷板21と、この敷板21の裏面の外周縁23寄りに熱プレスで積層されて吸着装置1のケース2の位置決め溝4に嵌合する平面リング形の嵌合壁24とを備え、敷板21と嵌合壁24のうち、少なくとも敷板21をポリエーテルエーテルケトンフィルムにより形成し、この敷板21の厚さを30μm以下とする。例え敷板21が30μm以下の薄さでも、敷板21に補強機能を有する嵌合壁24が積層されて一体化するので、ハンドリング時に薄い敷板21の剛性を確保し、形態を容易に維持できる。 【選択図】 図2
    • 5. 发明专利
    • ダミーウェーハ
    • JP2020017674A
    • 2020-01-30
    • JP2018140596
    • 2018-07-26
    • 信越ポリマー株式会社
    • 須田 信光麻生 勉滝瀬 潔
    • H01L21/02
    • 【課題】吸水性、撥水性、耐溶剤性、耐薬品性、機械的強度に優れ、撓んで反りや変形が生じるのを抑制できるダミーウェーハを提供する。 【解決手段】平面円板形の基材2と、この基材2の表裏両面にそれぞれ積層接着される一対のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム10とを備え、各ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム10の露出した表面11の接触角を90度以上とする。ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム10をダミーウェーハ1に使用するので、ダミーウェーハ1の長期に亘る使用が期待できる他、吸水に伴い、ダミーウェーハ1の寸法や特性が変化して反りや変形が生じるのを防止できる。また、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム10が優れた撥水性、耐溶剤性、耐薬品性、耐アルカリ性を有するので、ダミーウェーハ1をアルカリ溶液や強酸を用いる半導体製造装置の試験や調整にも使用できる。 【選択図】図1