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1. 发明专利

TWI379156B 半導體光阻用共聚合體之顆粒增加防止方法有权
简体标题：半导体光阻用共聚合体之颗粒增加防止方法
公开(公告)号：TWI379156B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW094127915
申请日：2005-08-16
申请人：丸善石油化學股份有限公司
发明人：山岸孝則 , 水野和彥
IPC分类号： G03F , B01D
CPC分类号： C08F6/003 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/16
摘要：〔課題〕提供一種半導體光阻用共聚合體之顆粒增加防止方法，以使適用於半導體製造之微細圖案形成的光阻膜，由因僅有保存過程中之顆粒析出而出現相當少顯影缺陷的半導體光阻用共聚合體而得到。
〔解決手段〕本發明之半導體光阻用共聚合體之顆粒增加防止方法係含有具含極性基之重覆單位及含脂環結構之重覆單位的半導體光阻用共聚合體且不含有離子性添加劑的半導體光阻用共聚合體溶液，通過具有含氨基及/或氨基化合物鍵結之樹脂的過濾器。
简体摘要：〔课题〕提供一种半导体光阻用共聚合体之颗粒增加防止方法，以使适用于半导体制造之微细图案形成的光阻膜，由因仅有保存过程中之颗粒析出而出现相当少显影缺陷的半导体光阻用共聚合体而得到。〔解决手段〕本发明之半导体光阻用共聚合体之颗粒增加防止方法系含有具含极性基之重复单位及含脂环结构之重复单位的半导体光阻用共聚合体且不含有离子性添加剂的半导体光阻用共聚合体溶液，通过具有含氨基及/或氨基化合物键结之树脂的过滤器。

2. 发明专利

TWI349831B 阻劑聚合物與其製作方法 RESIST POLYMER AND METHOD FOR PRODUCING THE POLYMER 有权
简体标题：阻剂聚合物与其制作方法 RESIST POLYMER AND METHOD FOR PRODUCING THE POLYMER
公开(公告)号：TWI349831B
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW093102596
申请日：2004-02-05
申请人：丸善石油化學股份有限公司
发明人：山岸孝則 , 及川知 , 加藤一郎 , 水野和彥 , 山口賢志
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/085 , G03F7/0397
摘要：為解決先前技藝的問題，本發明提供一阻劑聚合物與其製造方法，此阻劑聚合物在批貨對批貨、反應器對反應器、尺度對尺度的變異小，且不包括高分子聚合物、具有良好的溶解度與儲存穩定度、且適用於半導體微影中微圖案的形成等優點，本發明所提供的阻劑聚合物，至少具有藉由酸分解成溶於強鹼顯影劑的重複單元與具有極性基以增強對基底的附著度的重複單元，藉由凝膠滲透層析儀(Gel Permeation Chromatography，簡稱GPC)的鑑定，分子量為100,000或更高的高分子重量組成(高分子聚合物)的波峰區域佔分子量分佈的整個波峰區域之0.1%或更少。
简体摘要：为解决先前技艺的问题，本发明提供一阻剂聚合物与其制造方法，此阻剂聚合物在批货对批货、反应器对反应器、尺度对尺度的变异小，且不包括高分子聚合物、具有良好的溶解度与存储稳定度、且适用于半导体微影中微图案的形成等优点，本发明所提供的阻剂聚合物，至少具有借由酸分解成溶于强碱显影剂的重复单元与具有极性基以增强对基底的附着度的重复单元，借由凝胶渗透层析仪(Gel Permeation Chromatography，简称GPC)的鉴定，分子量为100,000或更高的高分子重量组成(高分子聚合物)的波峰区域占分子量分布的整个波峰区域之0.1%或更少。

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