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1. 发明专利

TWI509107B 利用氧族元素源將金屬先驅物薄膜熱轉變成半導體薄膜之方法及裝置有权
简体标题：利用氧族元素源将金属先驱物薄膜热转变成半导体薄膜之方法及设备
公开(公告)号：TWI509107B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW099106408
申请日：2010-03-05
申请人：中心熱光電股份公司 , CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人：科茨考伊莫 , KOETSCHAU, IMMO , 倫茲萊因哈德 , LENZ, REINHARD , 施密德迪特爾 , SCHMID, DIETER , 哈同羅伯特麥可 , HARTUNG, ROBERT MICHAEL
IPC分类号： C23C8/06 , H01L21/36 , H01L31/18
CPC分类号： C23C14/0623 , C23C14/5866

2. 发明专利

TWI509824B 生產化合物半導體層之方法與裝置有权
简体标题：生产化合物半导体层之方法与设备
公开(公告)号：TWI509824B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW099137191
申请日：2010-10-29
申请人：中心熱光電股份公司 , CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人：科茨考伊莫 , KOETSCHAU, IMMO , 施密德迪特爾 , SCHMID, DIETER
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L21/02568 , H01L21/02614

3. 发明专利

TW201038769A 具氧化物之半導體層溫度轉變金屬前驅物用裝置及方法 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR THERMISCHEN UMSETZUNG METALLISCHER PRECURSORSCHICHTEN IN HALBLEITENDE SCHICHTEN MIT CHALKOGENRUECKGEWINNUNG 审中-公开
简体标题：具氧化物之半导体层温度转变金属前驱物用设备及方法 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR THERMISCHEN UMSETZUNG METALLISCHER PRECURSORSCHICHTEN IN HALBLEITENDE SCHICHTEN MIT CHALKOGENRUECKGEWINNUNG
公开(公告)号：TW201038769A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW099103930
申请日：2010-02-09
申请人：中心熱光電股份公司
发明人：科茨考伊莫 , 施密德迪特爾 , 哈同羅伯特麥可
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/02568 , C23C14/5866 , H01L21/02614 , H01L31/0322 , Y02E10/541
摘要：本發明係有關一種利用氧族元素回收將平坦基板上的金屬先驅物薄膜熱轉變成半導體薄膜之方法及一種進行該方法之裝置。本發明之目的在於,提供一種將平坦基板上的金屬先驅物薄膜熱簡單及快速轉變成半導體薄膜之方法及一種以最低氧族元素用量進行該方法之裝置。本發明使一基板在一爐中之大氣壓力環境下,被加熱至400℃至600℃之終溫度,並在一載氣與氧族元素蒸氣之混合物中被轉變成半導體薄膜,未被使用於反應之氧族元素蒸氣被回收到製程中。
简体摘要：本发明系有关一种利用氧族元素回收将平坦基板上的金属先驱物薄膜热转变成半导体薄膜之方法及一种进行该方法之设备。本发明之目的在于,提供一种将平坦基板上的金属先驱物薄膜热简单及快速转变成半导体薄膜之方法及一种以最低氧族元素用量进行该方法之设备。本发明使一基板在一炉中之大气压力环境下,被加热至400℃至600℃之终温度,并在一载气与氧族元素蒸气之混合物中被转变成半导体薄膜,未被使用于反应之氧族元素蒸气被回收到制程中。

4. 发明专利

TW201145555A 製造化合物半導體層之製程 PROCESS FOR THE PRODUCTION OF A COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER 审中-公开
简体标题：制造化合物半导体层之制程 PROCESS FOR THE PRODUCTION OF A COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER
公开(公告)号：TW201145555A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100112775
申请日：2011-04-13
申请人：中心熱光電股份公司
发明人：艾森曼羅倫斯 , 卡普曼安德列亞斯 , 科茨考伊莫 , 施密德迪特爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02568 , C23C8/62 , C23C14/16 , C23C14/5866 , H01L21/02422 , H01L21/02491 , H01L21/02614 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：本發明係關於一種I-III-VI-化合物半導體層(80)之製備方法,包括:步驟(10,12):提供一包括有一金屬前趨物層(57)之塗佈層(63)之基板(50);步驟(16):將該塗佈層(63)加熱至至少350℃並維持一段作業期間,以於氧族元素(58;72)的存在環境下,將金屬前趨物層(57)轉換成化合物半導體層(80);以及步驟(14;24),於至少一部分作業期間,該塗佈層(63)之自由表面(15a,15b;25)的主要部分(15a)與該蓋板(60;70)之間係形成面積接觸。
简体摘要：本发明系关于一种I-III-VI-化合物半导体层(80)之制备方法,包括:步骤(10,12):提供一包括有一金属前趋物层(57)之涂布层(63)之基板(50);步骤(16):将该涂布层(63)加热至至少350℃并维持一段作业期间,以于氧族元素(58;72)的存在环境下,将金属前趋物层(57)转换成化合物半导体层(80);以及步骤(14;24),于至少一部分作业期间,该涂布层(63)之自由表面(15a,15b;25)的主要部分(15a)与该盖板(60;70)之间系形成面积接触。

5. 发明专利

TW201121090A 生產化合物半導體層之方法與裝置 METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING A COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER 审中-公开
简体标题：生产化合物半导体层之方法与设备 METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING A COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER
公开(公告)号：TW201121090A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW099137191
申请日：2010-10-29
申请人：中心熱光電股份公司
发明人：科茨考伊莫 , 施密德迪特爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02568 , H01L21/02614
摘要：本發明係有關於一種I-III-VI化合物半導體層之製造方法，其中：提供具有一塗層之一基板，該塗層具有一金屬前驅物層；以及維持該塗層於溫度至少350℃下持續一處理時間，且於氧族元素存在下且介於500mbar至1500mbar之室壓下，使金屬前驅物層轉換為化合物半導體層；且當溫度達到至少一活化阻障溫度時，維持該塗層於此溫度下持續一活化時間，且活化阻障溫度係為至少600℃。
简体摘要：本发明系有关于一种I-III-VI化合物半导体层之制造方法，其中：提供具有一涂层之一基板，该涂层具有一金属前驱物层；以及维持该涂层于温度至少350℃下持续一处理时间，且于氧族元素存在下且介于500mbar至1500mbar之室压下，使金属前驱物层转换为化合物半导体层；且当温度达到至少一活化阻障温度时，维持该涂层于此温度下持续一活化时间，且活化阻障温度系为至少600℃。

6. 发明专利

TW201038770A 氧化物源半導體之溫度轉變金屬前驅物用裝置及方法 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR THERMISCHEN UMSETZUNG METALLISCHER PRECUSORSCHICHTEN IN HALBLEITENDE SCHICHTEN MIT CHALKOGENQUELLE 审中-公开
简体标题：氧化物源半导体之温度转变金属前驱物用设备及方法 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR THERMISCHEN UMSETZUNG METALLISCHER PRECUSORSCHICHTEN IN HALBLEITENDE SCHICHTEN MIT CHALKOGENQUELLE
公开(公告)号：TW201038770A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW099106408
申请日：2010-03-05
申请人：中心熱光電股份公司
发明人：科茨考伊莫 , 倫茲萊因哈德 , 施密德迪特爾 , 哈同羅伯特麥可
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C14/0623 , C23C14/5866
摘要：本發明係有關一種將平坦基板上的金屬先驅物薄膜熱轉變成半導體薄膜之方法及一種進行該方法之裝置。本發明之目的在於提供一種熱轉變金屬先驅物薄膜之快速及簡單方法,及進行該方法之適當裝置,而將氧族元素原始使用量降至最低。本目的如下而達成:設一入口側氣體閘門及一出口側氣體閘門(4.1,4.2,4.3,4.4)而使爐室(1)氧密封;將一或多個至少具有一層金屬先驅物薄膜的基板(6)送入爐室(1)中;將一均勻分佈於基板(6)寬度上的氧族元素蒸氣/載氣混合物(10)輸送到基板上方;在蒸氣/載氣混合物環境下將基板(6)加熱至一終溫度,而使金屬先驅物薄膜轉變成半導體薄膜;排出未使用於反應之氧族元素蒸氣/載氣混合物(10);冷卻基板(6)並將其送出爐室(10)。基板(6)在一保護氣體環境下被加熱至一儘量不會出現氧族元素蒸發之溫度。(圖1)
简体摘要：本发明系有关一种将平坦基板上的金属先驱物薄膜热转变成半导体薄膜之方法及一种进行该方法之设备。本发明之目的在于提供一种热转变金属先驱物薄膜之快速及简单方法,及进行该方法之适当设备,而将氧族元素原始使用量降至最低。本目的如下而达成:设一入口侧气体闸门及一出口侧气体闸门(4.1,4.2,4.3,4.4)而使炉室(1)氧密封;将一或多个至少具有一层金属先驱物薄膜的基板(6)送入炉室(1)中;将一均匀分布于基板(6)宽度上的氧族元素蒸气/载气混合物(10)输送到基板上方;在蒸气/载气混合物环境下将基板(6)加热至一终温度,而使金属先驱物薄膜转变成半导体薄膜;排出未使用于反应之氧族元素蒸气/载气混合物(10);冷却基板(6)并将其送出炉室(10)。基板(6)在一保护气体环境下被加热至一尽量不会出现氧族元素蒸发之温度。(图1)

7. 发明专利

TW201038756A 以氧族元素形成平面基板塗覆用之裝置及方法 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BESCHICHTUNG VON FLACHEN SUBSTRATEN MIT CHALKOGENEN 审中-公开
简体标题：以氧族元素形成平面基板涂覆用之设备及方法 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BESCHICHTUNG VON FLACHEN SUBSTRATEN MIT CHALKOGENEN
公开(公告)号：TW201038756A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW099103614
申请日：2010-02-06
申请人：中心熱光電股份公司
发明人：拜爾約克 , 科茨考伊莫 , 倫茲萊因哈德 , 施密德迪特爾 , 哈同羅伯特麥可
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/246 , C23C14/0623 , C23C14/228 , C23C14/56 , C23C14/566
摘要：本發明係有關一種在一製程室內之平坦基板上塗佈一層氧族元素薄膜之方法。本發明可快速及低成本地在平坦基板上塗佈氧族元素,控制及可靠地排出未凝結之氧族元素,並提出一種進行本發明方法之適當設備。其如下而達成:設一入口側氣體閘門及一出口側氣體閘門(6,7)而與一製程室氧密封連接;將一或多個欲塗佈且具一預設溫度之基板以輸送方向送入製程室(5)中;將一均勻分佈於基板寬度上的氧族元素蒸氣/載氣混合物輸送到基板上方具一輸送通道(4)的製程室(5)中;在入口側氣體閘門與出口側氣體閘門(6,7)之間輸送通道(4)上的基板上方產生一氧族元素蒸氣/載氣混合物氣流;以PVD法於預設製程室(5)停留時間內在基板上沈積一氧族元素薄膜;排出未凝結於基板上氣體閘門(6,7)之間多餘的氧族元素蒸氣及載氣;及在預設之製程時間後使基板離開製程室(5)。(圖2)
简体摘要：本发明系有关一种在一制程室内之平坦基板上涂布一层氧族元素薄膜之方法。本发明可快速及低成本地在平坦基板上涂布氧族元素,控制及可靠地排出未凝结之氧族元素,并提出一种进行本发明方法之适当设备。其如下而达成:设一入口侧气体闸门及一出口侧气体闸门(6,7)而与一制程室氧密封连接;将一或多个欲涂布且具一默认温度之基板以输送方向送入制程室(5)中;将一均匀分布于基板宽度上的氧族元素蒸气/载气混合物输送到基板上方具一输送信道(4)的制程室(5)中;在入口侧气体闸门与出口侧气体闸门(6,7)之间输送信道(4)上的基板上方产生一氧族元素蒸气/载气混合物气流;以PVD法于默认制程室(5)停留时间内在基板上沉积一氧族元素薄膜;排出未凝结于基板上气体闸门(6,7)之间多余的氧族元素蒸气及载气;及在默认之制程时间后使基板离开制程室(5)。(图2)

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