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1. 发明专利

JP6964830B2 磁気センサ装置有权
公开(公告)号：JP6964830B2
公开(公告)日：2021-11-10
申请号：JP2021537664
申请日：2020-07-17
申请人：三菱電機株式会社
发明人：尾込智和 , 山内一輝
IPC分类号： G01R33/02

2. 发明专利

JPWO2017195864A1 バイアス電流回路、信号処理装置及びバイアス電流制御方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017195864A1
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2017564151
申请日：2017-05-11
申请人：三菱電機株式会社
发明人：加賀野未来 , 尾込智和
IPC分类号： H03F3/343 , G05F3/24 , G05F3/26 , G07D7/00 , G07D7/04
CPC分类号： G05F3/26 , G07D7/00 , H03F3/343 , H03K17/687
摘要：バイアス電流回路(116)は、電流源(201)をドレイン端子とゲート端子に接続したN形MOSFET(202)と、バイアス電流の出力端子(212,213)をドレイン端子に接続しソース端子を接地したN形MOSFET(203,204)と、を備える。さらに、バイアス電流回路(116)は、N形MOSFET(202)及びN形MOSFET(203,204)のゲート端子にドレイン端子とソース端子のいずれか一方及び他方を接続するN形MOSFET(205)と、N形MOSFET(203,204)のゲート端子にドレイン端子を接続しソース端子を接地するN形MOSFET(206)と、を備える。バイアス電流を供給時にLowとなり、停止時にHighとなる制御信号をN形MOSFET(206)のゲート端子に入力し、制御信号の反転信号をN形MOSFET(205)のゲート端子に入力する。

3. 发明专利

JP6049948B2 磁気センサ装置及びその製造方法有权
标题翻译：的磁传感器装置及其制造方法
公开(公告)号：JP6049948B2
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：JP2016529416
申请日：2015-06-17
申请人：三菱電機株式会社
发明人：松井秀樹 , 國枝達也 , 尾込智和 , 岡田正明 , 吉岡貞明
IPC分类号： G01R33/02 , G01R33/09
CPC分类号： G01R33/02 , G01R33/09

4. 发明专利

JP5921257B2 情報読取装置有权
公开(公告)号：JP5921257B2
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：JP2012043488
申请日：2012-02-29
申请人：三菱電機株式会社
发明人：佐桑千尋 , 山中聡 , 豊田善隆 , 尾込智和
IPC分类号： G07D7/04

5. 发明专利

JP6980166B1 磁気センサ装置有权
公开(公告)号：JP6980166B1
公开(公告)日：2021-12-15
申请号：JP2021542557
申请日：2021-02-17
申请人：三菱電機株式会社
发明人：尾込智和 , 山内一輝 , 下畑賢司
IPC分类号： G01R33/02
摘要：搬送路(7)を搬送される被検知物(8)に交差する磁界を生成する第1の磁界発生部(1a)と、第1の磁界発生部(1a)と搬送路(7)に対して反対側に配置され、被検知物(8)に交差する磁界を生成する第2の磁界発生部(1b)と、第1の磁界発生部(1a)と搬送路(7)との間に設けられ、被検知物(8)が搬送されることにより生じる磁束密度の変化を抵抗値の変化として出力する第1の磁気抵抗効果素子(2a)とを備える。第1の磁界発生部(1a)と第2の磁界発生部(1b)とは、搬送路(7)に対向する磁極が異なる磁極であり、被検知物(8)の搬送方向における中心が異なる位置に配置される。第1の磁気抵抗効果素子(2a)は、第1の抵抗体(21a)と第2の抵抗体(22a)とを有し、第1の抵抗体(21a)と第2の抵抗体(22a)との搬送方向の間隔の中心が、第1の磁界発生部(1a)の搬送方向の中心と異なる位置に配置されている。

6. 发明专利

JP6843925B2 静電容量検出装置及び画像読取装置有权
公开(公告)号：JP6843925B2
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：JP2019117192
申请日：2019-06-25
申请人：三菱電機株式会社
发明人：尾込智和 , 時田直幸 , 松井秀樹 , 國枝達也
IPC分类号： B65H7/02 , G06T1/00 , G07D7/12 , G07D7/189 , G07D7/026

7. 发明专利

JPWO2019017219A1 磁気センサ装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019017219A1
公开(公告)日：2019-07-25
申请号：JP2018025673
申请日：2018-07-06
申请人：三菱電機株式会社
发明人：尾込智和 , 下畑賢司 , 松井秀樹 , 吉岡貞明
IPC分类号： G01R33/09 , G07D7/04 , G01R33/02
摘要：磁気センサ装置(10)は、長手方向に延在するセンサ基板に実装した磁気抵抗効果素子及びセンサ基板の磁気抵抗効果素子の反対側に備えた磁石(3)を備える磁気センサ部と、磁気センサ部を支持する筐体と、筐体の側面と下面を覆う磁気シールド部(4)と、筐体の上方を覆うカバー部と、を備える。磁気シールド部(4)は、磁気抵抗効果素子から検出対象の搬送路を向かうZ軸方向に開口部(4o)を有し、開口部(4o)は、長手方向に沿った長手方向二辺と、短手方向に沿った短手方向二辺とを有する。磁気シールド部(4)の長手方向二辺の方が短手方向二辺よりも、Z軸方向において、検出対象に近い。

8. 发明专利

JP6377882B1 磁気抵抗効果素子デバイスおよび磁気抵抗効果素子装置有权
公开(公告)号：JP6377882B1
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：JP2018528361
申请日：2018-01-15
申请人：三菱電機株式会社 , 北陸電気工業株式会社
发明人：尾込智和 , 下畑賢司 , 井上甚 , 今村徹治 , 山口善紀 , 大門貴史
IPC分类号： H01L43/08 , G01R33/09
CPC分类号： G01R33/09 , H01L43/08
摘要：本発明は、磁気抵抗効果素子デバイス(1)において、異方性磁気抵抗効果素子(2)あたりのリセット電圧を小さくすることを目的とする。磁気抵抗効果素子デバイス(1)は、異方性磁気抵抗効果素子(2)と、異方性磁気抵抗効果素子(2)の感磁方向x’および容易磁化方向y’の両方に直交する方向に見て、異方性磁気抵抗効果素子(2)の中心を通り、容易磁化方向y’となす角度が1/2直角以下で容易磁化方向y’から傾斜する方向に延び、感磁方向x’および容易磁化方向y’を含む平面に平行な、導体のリセットライン(3)と、を備える。感磁方向x’および容易磁化方向y’の両方に直交する方向に見て、リセットライン(3)は、異方性磁気抵抗効果素子(2)の全体を覆う幅を有する。

9. 发明专利

JP6352570B2 静電容量検出装置及び画像読取装置有权
公开(公告)号：JP6352570B2
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：JP2018029816
申请日：2018-02-22
申请人：三菱電機株式会社
发明人：加賀野未来 , 荒木宏 , 庄司俊明 , 松井秀樹 , 真壁和也 , 宮田智之 , 尾込智和
IPC分类号： G07D7/121 , G07D7/189 , G07D7/026
CPC分类号： G07D7/026 , G07D7/121 , G07D7/189

10. 发明专利

JP2018092655A 静電容量検出装置及び画像読取装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018092655A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2018029816
申请日：2018-02-22
申请人：三菱電機株式会社
发明人：加賀野未来 , 荒木宏 , 庄司俊明 , 松井秀樹 , 真壁和也 , 宮田智之 , 尾込智和
IPC分类号： G07D7/189
CPC分类号： G07D7/026 , G07D7/121 , G07D7/189
摘要：【課題】静電容量検出装置の構造の簡易化及び小型化を行う。【解決手段】静電容量検出装置20は、搬送路5を挟んで、少なくとも一部が対向する第1電極1及び第2電極2を備える。発振回路は、第1電極1と第2電極2との間に電界を形成させる。検出回路は、第1電極1と第2電極2との間の静電容量の変化を検出する。第1平板6は、第1電極1が形成された絶縁性の平板である。第2平板7は、第2電極2が形成された絶縁性の平板である。第1平板6及び第2平板7の少なくとも一方における、光源18aから出射される光の透過率は閾値以上である。【選択図】図8

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