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1. 发明专利

TW201742940A Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材之製造方法以及Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材审中-公开
简体标题：Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶材之制造方法以及Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶材
公开(公告)号：TW201742940A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106101888
申请日：2017-01-19
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：吉田勇気 , YOSHIDA, YUKI , 植田稔晃 , UEDA, TOSHIAKI , 森曉 , MORI, SATORU
IPC分类号： C23C14/34 , B22F3/10 , C22C9/00
摘要：本發明之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法，係由Cu-Ga合金所構成，且具有中空部之Cu-Ga合金濺鍍靶材(10)，其特徵係具有如下步驟：預燒步驟(S02)，其係將至少含有CuGa合金粉之原料粉填充於具有中間體(32)之成形模具，在還原環境下進行加熱而形成預燒體(13)；及，本燒結步驟(S03)，其係從前述預燒體(13)取出前述中間體(32)，在還原環境中加熱前述預燒體(13)而形成燒結體；在前述預燒步驟(S02)中，係使用以線熱膨脹係數比構成前述Cu-Ga合金濺鍍靶材(10)之Cu-Ga合金大之材質所構成者作為前述中間體(32)，在100℃以上600℃以下之溫度維持10分鐘以上10小時以下，以形成前述預燒體(13)。
简体摘要：本发明之Cu-Ga合金溅镀靶材之制造方法，系由Cu-Ga合金所构成，且具有中空部之Cu-Ga合金溅镀靶材(10)，其特征系具有如下步骤：预烧步骤(S02)，其系将至少含有CuGa合金粉之原料粉填充于具有中间体(32)之成形模具，在还原环境下进行加热而形成预烧体(13)；及，本烧结步骤(S03)，其系从前述预烧体(13)取出前述中间体(32)，在还原环境中加热前述预烧体(13)而形成烧结体；在前述预烧步骤(S02)中，系使用以线热膨胀系数比构成前述Cu-Ga合金溅镀靶材(10)之Cu-Ga合金大之材质所构成者作为前述中间体(32)，在100℃以上600℃以下之温度维持10分钟以上10小时以下，以形成前述预烧体(13)。

2. 发明专利

TWI617681B Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI617681B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW103125861
申请日：2014-07-29
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：吉田勇気 , YOSHIDA, YUUKI , 石山宏一 , ISHIYAMA, KOUICHI , 森曉 , MORI, SATORU
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/34 , C22C9/00 , C22C28/00 , B22F3/14
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F3/16 , B22F5/00 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2302/45 , B22F2303/01 , B22F2303/15 , B22F2304/10 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C32/00 , C23C14/14 , H01J37/3429

3. 发明专利

TW201704482A Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶及Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶之製造方法审中-公开
简体标题：Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶及Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶之制造方法
公开(公告)号：TW201704482A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105107920
申请日：2016-03-15
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：吉田勇気 , YOSHIDA, YUKI , 植田稔晃 , UEDA, TOSHIAKI , 森曉 , MORI, SATORU
IPC分类号： C22C9/00 , C22C1/04 , C23C14/14 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F1/00 , B22F3/14 , C22C9/00 , C23C14/34
摘要：本發明之Cu-Ga合金濺鍍靶為，由Cu-Ga合金所形成之Cu-Ga合金濺鍍靶中，使碳濃度為30質量ppm以下，使組織觀察結果中粒徑10μm以下之結晶粒所佔有之面積率為5%以上50%以下，粒徑100μm以上之結晶粒所佔有之面積率為1%以上30%以下之範圍內。
简体摘要：本发明之Cu-Ga合金溅镀靶为，由Cu-Ga合金所形成之Cu-Ga合金溅镀靶中，使碳浓度为30质量ppm以下，使组织观察结果中粒径10μm以下之结晶粒所占有之面积率为5%以上50%以下，粒径100μm以上之结晶粒所占有之面积率为1%以上30%以下之范围内。

4. 发明专利

TWI665317B Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶及Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶之製造方法有权
简体标题：Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶及Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶之制造方法
公开(公告)号：TWI665317B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW105107920
申请日：2016-03-15
申请人：日商三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：吉田勇気 , YOSHIDA, YUKI , 植田稔晃 , UEDA, TOSHIAKI , 森曉 , MORI, SATORU
IPC分类号： C22C9/00 , C22C1/04 , C23C14/14 , C23C14/34

5. 发明专利

TWI586824B 濺鍍靶材及其製造方法有权
简体标题：溅镀靶材及其制造方法
公开(公告)号：TWI586824B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW102136527
申请日：2013-10-09
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：五十嵐和則 , IGARASHI, KAZUNORI , 渡辺宗明 , WATANABE, MUNEAKI , 吉田勇気 , YOSHIDA, YUUKI , 石山宏一 , ISHIYAMA, KOUICHI , 森曉 , MORI, SATORU
IPC分类号： C23C14/34 , B22F3/14 , C22C9/00

6. 发明专利

TWI647319B Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI647319B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW103140988
申请日：2014-11-26
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：吉田勇気 , YOSHIDA, YUUKI , 石山宏一 , ISHIYAMA, KOUICHI , 森曉 , MORI, SATORU
IPC分类号： C22C9/00 , C23C14/34 , B22F3/10

7. 发明专利

TW201700758A 圓筒型濺鍍靶之製造方法审中-公开
简体标题：圆筒型溅镀靶之制造方法
公开(公告)号：TW201700758A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105108671
申请日：2016-03-21
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：吉田勇気 , YOSHIDA, YUKI , 植田稔晃 , UEDA, TOSHIAKI , 森曉 , MORI, SATORU
IPC分类号： C23C14/34 , C22C9/00 , B22F3/14 , B22F5/10
CPC分类号： C23C14/34
摘要：本發明之圓筒型濺鍍靶之製造方法係：以相對於燒結體的線熱膨脹係數αM，成形模具的線熱膨脹係數αD、以及芯的線熱膨脹係數αC成為αD≦αM≦αC之方式，設定前述成形模具及前述芯的材質；具有將原料粉末加熱到燒結溫度TS(℃)並進行燒結之燒結步驟，與在該燒結步驟之後從前述成形模具拔出前述芯之芯拔出步驟；芯拔出步驟之芯拔出溫度TR(℃)，相對於燒結溫度TS(℃)，在0.5×TS≦TR≦1.0×TS的範圍內。
简体摘要：本发明之圆筒型溅镀靶之制造方法系：以相对于烧结体的线热膨胀系数αM，成形模具的线热膨胀系数αD、以及芯的线热膨胀系数αC成为αD≦αM≦αC之方式，设置前述成形模具及前述芯的材质；具有将原料粉末加热到烧结温度TS(℃)并进行烧结之烧结步骤，与在该烧结步骤之后从前述成形模具拔出前述芯之芯拔出步骤；芯拔出步骤之芯拔出温度TR(℃)，相对于烧结温度TS(℃)，在0.5×TS≦TR≦1.0×TS的范围内。

8. 发明专利

TW201534741A Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201534741A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103140988
申请日：2014-11-26
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：吉田勇気 , YOSHIDA, YUUKI , 石山宏一 , ISHIYAMA, KOUICHI , 森曉 , MORI, SATORU
IPC分类号： C22C9/00 , C23C14/34 , B22F3/10
CPC分类号： H01J37/3429 , B22F1/0003 , B22F1/0011 , B22F3/10 , B22F3/24 , B22F2201/01 , B22F2302/45 , B22F2998/10 , C22C1/0425 , C22C1/0491 , C22C9/00 , C23C14/3414 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：本發明之Cu-Ga合金濺鍍靶，其係具有Ga：29.5~43.0原子%、以及剩餘部分：Cu及不可避免的雜質之組成之燒結體，該燒結體中的Cu-Ga合金結晶粒，具有γ相粒子分散於γ1相結晶粒中之組織。
简体摘要：本发明之Cu-Ga合金溅镀靶，其系具有Ga：29.5~43.0原子%、以及剩余部分：Cu及不可避免的杂质之组成之烧结体，该烧结体中的Cu-Ga合金结晶粒，具有γ相粒子分散于γ1相结晶粒中之组织。

9. 发明专利

TW201514328A 濺鍍靶材及其製造方法审中-公开
简体标题：溅镀靶材及其制造方法
公开(公告)号：TW201514328A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW102136527
申请日：2013-10-09
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：五十嵐和則 , IGARASHI, KAZUNORI , 渡辺宗明 , WATANABE, MUNEAKI , 吉田勇気 , YOSHIDA, YUUKI , 石山宏一 , ISHIYAMA, KOUICHI , 森曉 , MORI, SATORU
IPC分类号： C23C14/34 , B22F3/14 , C22C9/00
摘要：提供一種可進一步減低氧含有量，同時可抑制異常放電之Cu-Ga燒結體的濺鍍靶材及其製造方法。具有如下之成分組成，即，含有20at%以上30at%未滿之Ga，剩餘部分由Cu及不可避免雜質所構成；且由燒結體所構成，該燒結體藉由X射線繞射會觀察到CuGa中屬於γ相的繞射峰以及屬於ζ相的繞射峰，屬於前述ζ相的繞射峰之主峰值強度係為屬於前述γ相的繞射峰之主峰值強度的10%以上，氧含有量為100ppm以下，平均粒徑為100μm以下。
简体摘要：提供一种可进一步减低氧含有量，同时可抑制异常放电之Cu-Ga烧结体的溅镀靶材及其制造方法。具有如下之成分组成，即，含有20at%以上30at%未满之Ga，剩余部分由Cu及不可避免杂质所构成；且由烧结体所构成，该烧结体借由X射线绕射会观察到CuGa中属于γ相的绕射峰以及属于ζ相的绕射峰，属于前述ζ相的绕射峰之主峰值强度系为属于前述γ相的绕射峰之主峰值强度的10%以上，氧含有量为100ppm以下，平均粒径为100μm以下。

10. 发明专利

TW201510250A Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201510250A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103125861
申请日：2014-07-29
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：吉田勇気 , YOSHIDA, YUUKI , 石山宏一 , ISHIYAMA, KOUICHI , 森曉 , MORI, SATORU
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/34 , C22C9/00 , C22C28/00 , B22F3/14
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F3/16 , B22F5/00 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2302/45 , B22F2303/01 , B22F2303/15 , B22F2304/10 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C32/00 , C23C14/14 , H01J37/3429
摘要：本發明係提供一種可進一步降低含氧量，同時可抑制異常放電的Cu-Ga燒成體之濺鍍靶及其製造方法。本發明之濺鍍靶係由具有：具有在包含Cu-Ga合金之γ相及ζ相的基質中分散有Na化合物相的組織，含有20原子%以上且未達30原子%的Ga，含有Na：0.05~10原子%，Na以NaF、Na2S、Na2Se、Na3AlF6中至少1種狀態含有，剩餘部分由Cu及不可避免雜質(包含Na化合物中之Na以外的元素)所構成的成分組成，且藉由X光繞射可觀察到歸屬於CuGa之γ相的繞射峰與歸屬於ζ相的繞射峰的燒成體所構成；前述γ相的平均粒徑為100μm以下，前述Na化合物相的平均粒徑為8.5μm以下。
简体摘要：本发明系提供一种可进一步降低含氧量，同时可抑制异常放电的Cu-Ga烧成体之溅镀靶及其制造方法。本发明之溅镀靶系由具有：具有在包含Cu-Ga合金之γ相及ζ相的基质中分散有Na化合物相的组织，含有20原子%以上且未达30原子%的Ga，含有Na：0.05~10原子%，Na以NaF、Na2S、Na2Se、Na3AlF6中至少1种状态含有，剩余部分由Cu及不可避免杂质(包含Na化合物中之Na以外的元素)所构成的成分组成，且借由X光绕射可观察到归属于CuGa之γ相的绕射峰与归属于ζ相的绕射峰的烧成体所构成；前述γ相的平均粒径为100μm以下，前述Na化合物相的平均粒径为8.5μm以下。

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