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1. 发明专利

JP5970875B2 三次元集積回路用の層間充填材組成物、塗布液及び三次元集積回路の製造方法有权
标题翻译：用于三维集成电路层间填料组合物，涂布液和三维集成电路的制造方法的
公开(公告)号：JP5970875B2
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：JP2012053177
申请日：2012-03-09
申请人：三菱化学株式会社
发明人：河瀬康弘 , 池本慎
IPC分类号： C09J11/04 , C09J11/06 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , C09J163/00
CPC分类号： H01L2924/0002

2. 发明专利

JP2015143315A 積層型半導体装置の層間充填材用の組成物、積層型半導体装置、および積層型半導体装置の製造方法有权
标题翻译：层压型半导体器件的层间填料的组合物，层压型半导体器件和层压型半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2015143315A
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：JP2014066824
申请日：2014-03-27
申请人：三菱化学株式会社
发明人：杉山雅哉 , 河瀬康弘 , 池本慎 , 山崎正典 , 桐谷秀紀
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/29 , H01L23/31 , C08G59/50
摘要：【課題】高K1c値、高ガラス転移温度、且つ低粘度を両立し、環境変化によっても安定した接合が維持されるような積層型半導体装置用の層間充填材層を形成することができる組成物を提供する。【解決手段】25℃での粘度が50Pa・s以下であるエポキシ化合物(A)と、融点または軟化点が80℃以上であるアミン化合物(B)と、融点または軟化点が80℃未満であるアミン化合物(C)とを含有する組成物であって、該アミン化合物(C)の割合が、前記アミン化合物(B)と前記アミン化合物(C)との合計を100重量部としたときに、1重量部以上40重量部未満である組成物。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供能够形成具有高K1c值，高玻璃化转变温度和低粘度并且保持稳定的接头在环境变化中的层压型半导体器件的层间填料层的组合物。解决方案：提供含有（A）在25℃下的粘度为50Pa·s以下的环氧化合物，（B）熔点或软化点为80℃以上的胺化合物和（C）具有熔点的胺化合物或软化点小于80℃，胺化合物（C）的百分比为1重量份。或更多且小于40重量份基于100重量的胺化合物（B）和胺化合物（C）的总量。

3. 发明专利

JP5915509B2 窒化ホウ素凝集粒子、窒化ホウ素凝集粒子を含有する組成物、及び該組成物からなる層を有する三次元集積回路有权
标题翻译：氮化硼凝集粒子，含有氮化硼聚集颗粒组合物，以及具有包含该组合物的层的三维集成电路
公开(公告)号：JP5915509B2
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：JP2012261361
申请日：2012-11-29
申请人：三菱化学株式会社
发明人：山崎正典 , 松下泰典 , 桐谷秀紀 , 河瀬康弘 , 池本慎 , 村瀬友英 , 阿部麻理
IPC分类号： C08L101/00 , C08K3/38 , C01B21/064
CPC分类号： C09K5/14 , C01B21/064 , C01B21/0648 , C01B35/146 , C08G59/4042 , C08L101/00 , C08L63/00 , C09D201/00 , H01L21/77 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L27/04 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/45 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/32 , C01P2006/80 , C08K2003/385 , C08K3/38 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , Y10T156/10 , Y10T428/25 , Y10T428/2982

4. 发明专利

JP2015183093A 積層型半導体装置用の層間充填材に好適な組成物、積層型半導体装置、および積層型半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：用于层压型半导体器件的层间填料的组合物，层压型半导体器件及其制造层压型半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015183093A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：JP2014060707
申请日：2014-03-24
申请人：三菱化学株式会社
发明人：河瀬康弘 , 池本慎 , 杉山雅哉 , 桐谷秀紀
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , C08K3/36 , C08K3/00 , C08L101/00
摘要：【課題】熱伝導性に優れ、半導体の積層プロセスにも適合し、半導体基板同士の確実な接合も可能であって、しかも各種の環境変化によっても安定した接合が維持されるような層間充填層を形成することができる積層型半導体装置用の層間充填材組成物と、積層型半導体装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】120℃における溶融粘度が0.001〜1Pa・sである樹脂、体積平均粒径0.1μm以上10μm以下のシリカフィラー、および体積平均粒径0.1μm以上10μm以下であって該シリカフィラーの体積平均粒径とは異なる体積平均粒径を有する無機フィラーを含有する積層型半導体装置用の層間充填材組成物。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：为了提供能够形成具有优异导热性的层间填充层的层叠型半导体器件的层间填充剂组合物，甚至适合于半导体的层压工艺，也能够确保半导体衬底之间的接合并保持根据各种环境变化的稳定接合，层压型半导体器件及其制造方法。提供一种层叠型半导体器件的层间填充剂组合物，其包含：在120℃下的熔融粘度为 0.001〜1Pa·s，体积平均粒径为0.1〜10μm的二氧化硅填料; 以及体积平均粒径为0.1〜10μm的体积平均粒径与二氧化硅填料的平均粒径不同的无机填料。

5. 发明专利

JP5970859B2 三次元集積回路用の層間充填材組成物、塗布液及び三次元集積回路の製造方法有权
公开(公告)号：JP5970859B2
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：JP2012043800
申请日：2012-02-29
申请人：三菱化学株式会社
发明人：河瀬康弘 , 池本慎
IPC分类号： C09J11/04 , C09J11/06 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , C09J163/00

6. 发明专利

JP2016079404A 半導体デバイス用層間充填剤組成物及び半導体デバイスの製造法审中-公开
标题翻译：用于半导体器件的中间层填料组合物，以及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016079404A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：JP2015202150
申请日：2015-10-13
申请人：三菱化学株式会社
发明人：河瀬康弘 , 池本慎 , 山本英広 , 杉山雅哉
IPC分类号： C08K5/09 , C08K3/36 , C08K3/22 , C08K3/38 , C08K5/1539 , C08L63/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/60 , C08G59/40
CPC分类号： C08G59/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/83191
摘要：【課題】硬化接着層にボイドを発生させることなく、充填剤のはみ出しが極力少なく、接着性に優れ、かつ十分に硬化した硬化接着層の形成が可能な層間充填剤組成物を提供する。【解決手段】エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、フィラー(C)及びフラックス(D)を含有し、100〜150℃において粘度の極小値を有し、かつ、下記式(1)及び(2)を同時に満たす半導体デバイス用層間充填剤組成物。 10 1000 (但し、η50、η120及びη150は、それぞれ50℃、120℃及び150℃における該層間充填剤組成物の粘度を示す。) 【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种能够形成固化粘合剂层的层间填料组合物，其防止固化粘合剂层中的空隙的发生，使填料的突起最小化，具有优异的粘附性并且被充分固化。溶液：层间填料组合物对于包含环氧树脂（A），固化剂（B），填料（C）和助熔剂（D））的半导体装置在100-150℃下具有最小粘度值，同时满足以下表达式（1）：10 <η50 /η120 <500和（2）：1,000 <η150/η120。在该式中，η50，η120和η150分别代表在50℃，120℃和150℃下层间填料组合物的粘度。选择图1：

7. 发明专利

JP2017101140A 樹脂組成物および該樹脂組成物からなる層を有する半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017101140A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2015234864
申请日：2015-12-01
申请人：三菱化学株式会社
发明人：河瀬康弘 , 池本慎 , 山本英広 , 杉山雅哉
IPC分类号： C08K9/00 , B22F1/02 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/60 , C08L63/00
摘要：【課題】熱伝導性に優れ、使用時の粘度を適当な範囲に制御することが可能であって、半導体基板への接着性に優れ、積層型半導体装置の層間に用いた際に、低い線膨張率を有することにより、基板の積層プロセスに適合するものであって、更に半導体基板同士の確実な電気的接合も可能であって、しかも各種の環境変化によっても安定した接合が維持されるような層を形成することができる樹脂組成物と、当該樹脂組成物からなる層を有する半導体装置を提供する。【解決手段】金属または金属化合物からなるコアの表面に、当該コアとは異なる化合物からなるシェルを有するコアシェル型の複合粒子と、エポキシ化合物と、硬化剤とを含有する樹脂組成物。更に、フラックス、硬化促進剤、無機粒子を含有してもよい。この樹脂組成物からなる層を、半導体基板に隣接する層として有する半導体装置。【選択図】なし

8. 发明专利

JP2017045973A 半導体デバイスの製造法审中-公开
标题翻译：半导体装置的制造方法
公开(公告)号：JP2017045973A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015200317
申请日：2015-10-08
申请人：三菱化学株式会社
发明人：池本慎 , 河瀬康弘
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： C08G59/18 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/83191
摘要：【課題】硬化接着層にボイドを発生させることなく、接合性、導通性に優れた硬化接着層の形成が可能な半導体デバイスの製造法を提供する。【解決手段】半田バンプを有する半導体チップと電極パッドを有する半導体基板とを、層間充填剤組成物を介して熱圧着接合装置により熱圧着接合して半導体デバイスを製造する方法において、該熱圧着接合装置のヘッド及びステージの温度が、ヘッド温度を縦軸、ステージ温度を横軸としたグラフにおいて、下記4つの式で囲まれた範囲内となる温度条件にて接合する。 H+1.9S=590 …式1 H+0.526S=310 …式2 H+0.8S=580 …式3 H+1.25S=725 …式4 (Hはヘッド温度(℃)であり、Sはステージ温度(℃)である。) 【選択図】図2
摘要翻译：而不产生空隙，从而提供出粘接性的固化性粘接剂层，在形成的导电性优良的制造方法可以是固化的粘合剂层的半导体器件。具有一种半导体芯片和具有电极焊盘的焊料凸块，通过该层间填料组合物，热压缩结合通过热压接合装置通过热压接的半导体装置的制造方法的半导体衬底所述头部和所述装置的阶段的温度，头部温度的垂直轴，在一个曲线图，其中所述阶段的温度和横轴，在接合的温度条件是在由以下四个等式包围的范围内。 H + 1.9S = 590 ...公式1H + 0.526S = 310 ...式2H + 0.8S = 580 ...公式3H + 1.25S = 725 ...式4（H是头温度（℃），S是阶段温度（℃ ）为一个。）装置技术领域2

9. 发明专利

JP5831122B2 三次元集積回路用の層間充填材組成物、塗布液及び三次元集積回路の製造方法有权
标题翻译：用于三维集成电路层间填料组合物，涂布液和三维集成电路的制造方法的
公开(公告)号：JP5831122B2
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：JP2011228311
申请日：2011-10-17
申请人：三菱化学株式会社
发明人：池本慎 , 河瀬康弘 , 村瀬友英 , 高橋淳 , 平井孝好 , 上村以帆
IPC分类号： C08G59/02 , C08K3/00 , C08K5/09 , C08L63/00 , C09D201/00 , C09D7/12 , C09D163/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , C08L101/12
CPC分类号： H01L23/18 , C08L63/00 , C09D163/00 , H01L24/13 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15747

10. 发明专利

JP6089510B2 三次元積層型半導体装置用の層間充填材組成物、三次元積層型半導体装置、および三次元積層型半導体装置の製造方法有权
标题翻译：用于三维堆叠半导体装置中，所述三维堆叠半导体器件，和一个三维堆叠半导体装置的制造方法的层间填料组合物
公开(公告)号：JP6089510B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2012195091
申请日：2012-09-05
申请人：三菱化学株式会社
发明人：河瀬康弘 , 池本慎 , 山崎正典 , 桐谷秀紀
IPC分类号： C08K3/00 , C08L63/00 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , C08L101/00

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