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1. 发明专利

JP6686730B2 導電酸化物膜および導電積層膜有权
公开(公告)号：JP6686730B2
公开(公告)日：2020-04-22
申请号：JP2016123918
申请日：2016-06-22
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：齋藤淳 , 歳森悠人 , 張守斌 , 塩野一郎
IPC分类号： B32B15/04 , H01B5/14 , B32B9/00 , C23C14/08

2. 发明专利

JP2017172039A スパッタリングターゲット审中-公开
公开(公告)号：JP2017172039A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：JP2017038734
申请日：2017-03-01
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：齋藤淳 , 井尾謙介 , 塩野一郎 , 張守斌
IPC分类号： C04B35/45 , C22C1/05 , C22C29/12 , C23C14/34
摘要：【課題】DC(直流)スパッタが可能であり、均一な酸化銅被膜を成膜可能なスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】金属銅相と酸化銅相とを有し、酸化銅相の体積率が80vol%を超えて90vol%以下の範囲内とされており、ターゲットスパッタ面における比抵抗値の平均値に対するばらつきが50%以下とされ、ターゲット組織中の前記金属銅相の粒径が10μm以上200μm以下の範囲内とされていることを特徴とする。また、p型半導体の性質を有していることが好ましい。【選択図】なし

3. 发明专利

JP5943226B2 透明膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法有权
标题翻译：溅射靶和用于透明的薄膜及其制造方法
公开(公告)号：JP5943226B2
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：JP2015096983
申请日：2015-05-12
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：山口剛 , 張守斌 , 近藤佑一
IPC分类号： C04B35/453 , C23C14/34
CPC分类号： C04B35/453 , C04B35/645 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L31/02168 , C04B2235/3217 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/604 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , Y02E10/50

4. 发明专利

JP2016065309A スパッタリングターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译：溅射目标及其生产方法
公开(公告)号：JP2016065309A
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：JP2015181053
申请日：2015-09-14
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：梅本啓太 , 張守斌 , 浦山恒太郎
IPC分类号： C22C9/00 , C22C28/00 , B22F1/00 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/1007 , B22F9/082 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C1/0425 , C22C1/0483 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22C32/00 , C23C14/0623 , C23C14/14 , H01J37/3426 , B22F3/10 , B22F2201/04
摘要：【課題】本発明は、高濃度のGaを含有していても、加工の際に割れ難いCu−Ga合金スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、30.0〜67.0原子%のGaを含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Cu−Ga合金のγ相マトリックス中に、Cu−Ga合金のθ相が分散している組織を備えた焼結体からなる。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供即使含有高浓度Ga.也不易于加工的龟裂的Cu-Ga合金溅射靶。解决方案：溅射靶包括具有30.0-67.0原子的组成成分的烧结体％Ga，并且具有包含Cu和不可避免的杂质的残渣，并且包括其中Cu-Ga合金的θ相分散在Cu-Ga合金的γ相基体中的构象。选择图：无

5. 发明专利

JP2016027195A スパッタリングターゲット、光学機能膜、及び、積層配線膜审中-公开
标题翻译：溅射目标，光学功能膜和多层布线
公开(公告)号：JP2016027195A
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：JP2015116826
申请日：2015-06-09
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：齋藤淳 , 張守斌 , 塩野一郎
IPC分类号： C23C14/08 , G06F3/041 , B32B9/00 , H01L21/28 , H01L21/285 , C23C14/34
CPC分类号： C04B35/00 , C22C27/04 , C22C28/00 , C22C38/00 , C22C38/12 , C22C9/00 , C22C9/05 , C22C9/06 , C23C14/08 , C23C14/34 , G02B1/113
摘要：【課題】本発明は、タッチパネルにおける金属薄膜の配線等に積層して、タッチパネル画面における配線パターン等の金属光沢を低減するための薄膜を形成するスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】本発明によるスパッタリングターゲットは、金属元素として、Mo及びInのいずれか1種又は2種及びCu及びFeのいずれか1種又は2種を主成分とし、Mo及びInのいずれか1種又は2種:5〜80at%と、Cu及びFeのいずれか1種又は2種:20〜95at%とを含有し、前記金属元素の一部又は全部が酸化物からなり、該スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜すると、金属光沢を低減できる光学機能膜が得られる。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过在触摸面板屏幕上层叠布线图案等来形成用于减少触摸面板屏幕上的布线图案等的金属光泽的薄膜的溅射靶。解决方案：溅射目标具有一种或两种Mo和In中的一种或两种的主要成分，作为金属元素的Cu和Fe中的一种或两种，一种或两种以上的5〜80at％ Mo和In，以及20〜95at％的一种或两种Cu和Fe，并且所述金属元素部分或全部由氧化物制成。当通过使用所述溅射靶进行溅射成膜时，获得能够减少金属光泽的光学功能膜。选择图：无

6. 发明专利

JP2015212422A In又はIn合金スパッタリングターゲット及びその製造方法有权
标题翻译：在合金爆破目标中的OR或其生产方法
公开(公告)号：JP2015212422A
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：JP2015135188
申请日：2015-07-06
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：陸田雄也 , 梅本啓太 , 張守斌
IPC分类号： C23C14/34
摘要：【課題】バッキングプレートからのCuの拡散を抑制して不純物の含有を低減したIn又はIn合金スパッタリングターゲットの提供。【解決手段】In又はIn合金スパッタリングターゲット7は、Cu又はCu合金製のバッキングプレート又はバッキングチューブ1のターゲット支持基体上に、ターゲット本体となるIn又はIn合金の板体又は円筒体6が、InとCuの合金による結合層4を介して接合され、前記結合層4は、厚さ:5〜100μmを有するIn又はIn合金スパッタリングターゲット。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供抑制来自背板的Cu扩散的In或In合金溅射靶，以减少杂质的含量。解决方案：在In或In合金溅射靶7中，由In或In合金制成的作为目标主体的主体或圆柱体6a通过由Cu或Cu合金制成的背板或背衬管1的目标支撑基底物质经由由 In和Cu。接合层4的厚度为5〜100μm。

7. 发明专利

JP2015212413A スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法有权
标题翻译：溅射目标和溅射目标的制造方法
公开(公告)号：JP2015212413A
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：JP2015056107
申请日：2015-03-19
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：張守斌
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3429 , B22F3/02 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/3414 , C23C4/067 , C23C4/123 , H01L21/203 , B22F2301/052 , B22F2301/15 , B22F2302/45
摘要：【課題】スパッタリングターゲットの抗折強度を高めて、割れ易さを抑制し、異常放電が少なく、安定的に高速成膜できるシリコンを主成分としたスパッタリングターゲットの提供。【解決手段】体積抵抗10Ω・cm以下、理論密度比が85%〜99%、抗折強度が65N/mm 2 以上であって、Ni、Alから選ばれた少なくとも1種類の金属元素:0.5〜10at%と、B又はP:0.01〜10000重量ppmとを含有したリコンスパッタリングターゲットであって、B又はPを含有している平均粒径150μm以下のSi粉末と、Ni及びAlから選ばれた少なくとも1種類の金属元素からなる粉末又は金属元素を含むシリサイト粉末とを混合し、加圧焼結したシリコンスパッタリングターゲット。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有主要成分的Si的溅射靶，其具有提高弯曲强度以抑制裂纹的易感性，并且导致较少的异常放电并且可以提供稳定的高速膜沉积。解决方案：在体积电阻为10Ω的硅溅射靶; cm以下，理论密度比85％-99％，抗弯强度65N / mm以上，含有0.5-10atm％的选自Ni和Al的至少一种金属元素和0.01-10000wt。 ppm的B或P，溅射靶是通过混合平均粒度为150μm以下且包含B或P的Si粉末和由至少一种选自Ni和Al的金属元素组成的粉末或包括金属元素的硅质粉末，然后对混合物进行加压烧结。

8. 发明专利

JP5725610B2 スパッタリングターゲット及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP5725610B2
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：JP2011102587
申请日：2011-04-29
申请人：三菱マテリアル株式会社 , ソーラーフロンティア株式会社
发明人：張守斌 , 小路雅弘
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01L31/18 , B22F3/15 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C23C14/3414 , H01L31/0322 , B22F2999/00 , Y02E10/541 , Y02P70/521

9. 发明专利

JP6876268B2 スパッタリングターゲット有权
公开(公告)号：JP6876268B2
公开(公告)日：2021-05-26
申请号：JP2017038734
申请日：2017-03-01
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：齋藤淳 , 井尾謙介 , 塩野一郎 , 張守斌
IPC分类号： C04B35/45 , C22C1/05 , C22C29/12 , C23C14/34

10. 发明专利

JP6798852B2 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法有权
公开(公告)号：JP6798852B2
公开(公告)日：2020-12-09
申请号：JP2016204630
申请日：2016-10-18
申请人：三菱マテリアル株式会社 , ソーラーフロンティア株式会社
发明人：梅本啓太 , 張守斌 , 陸田雄也
IPC分类号： C22C28/00 , B22F9/08 , B22F3/10 , C22C1/02 , H01L31/0749 , C23C14/34

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