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1. 发明专利

TWI365889B 旋塗玻璃組合物及使用其於半導體製程中形成二氧化矽層之方法 SPIN-ON GLASS COMPOSITION AND METHOD OF FORMING SILICON OXIDE LAYER IN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS USING THE SAME 失效
简体标题：旋涂玻璃组合物及使用其于半导体制程中形成二氧化硅层之方法 SPIN-ON GLASS COMPOSITION AND METHOD OF FORMING SILICON OXIDE LAYER IN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS USING THE SAME
公开(公告)号：TWI365889B
公开(公告)日：2012-06-11
申请号：TW093122287
申请日：2004-07-26
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：李禎浩 , 趙俊賢 , 崔晶植 , 李東峻
IPC分类号： C08G
CPC分类号： C23C18/1212 , C23C18/122 , C23C18/1279 , C23C18/1283
摘要：本發明揭示一種旋塗玻璃(SOG)組合物及使用該SOG組合物形成一二氧化矽層之方法。該方法包括在具有一表面間斷性之一半導體基板上，塗佈包含聚矽氮烷之一SOG組合物以形成一平坦的SOG層，該聚矽氮烷之化合物化學式為-(SiH2NH)n-，其中n表示一正整數，其重量平均分子量在約3,300至3,700範圍內。藉由固化該SOG層而將該SOG層轉換成具有一平坦表面之一二氧化矽層。還揭示一種藉由該方法而製作的半導體裝置。
简体摘要：本发明揭示一种旋涂玻璃(SOG)组合物及使用该SOG组合物形成一二氧化硅层之方法。该方法包括在具有一表面间断性之一半导体基板上，涂布包含聚硅氮烷之一SOG组合物以形成一平坦的SOG层，该聚硅氮烷之化合物化学式为-(SiH2NH)n-，其中n表示一正整数，其重量平均分子量在约3,300至3,700范围内。借由固化该SOG层而将该SOG层转换成具有一平坦表面之一二氧化硅层。还揭示一种借由该方法而制作的半导体设备。

2. 发明专利

TWI476293B 有機金屬前驅物、具該前驅物的薄膜、包含該薄膜的金屬繞線、形成薄膜的方法以及使用該方法製造金屬繞線的方法有权
简体标题：有机金属前驱物、具该前驱物的薄膜、包含该薄膜的金属绕线、形成薄膜的方法以及使用该方法制造金属绕线的方法
公开(公告)号：TWI476293B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW097129542
申请日：2008-08-04
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：曹侖廷 , CHO, YOUN-JOUNG , 李禎浩 , LEE, JUNG-HO , 趙俊賢 , CHO, JUN-HYUN , 柳承旻 , RYU, SEUNG-MIN , 曹圭徹 , CHO, KYOO-CHUL , 崔晶植 , CHOI, JUNG-SIK
IPC分类号： C23C16/18 , C07F5/06 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/18 , C07F5/006 , C07F5/069 , C23C16/20 , Y10T428/24331

3. 发明专利

TW506016B 利用旋塗式玻璃組成物在半導體製程中形成氧化矽層之方法與運用此方法的分離方法有权
简体标题：利用旋涂式玻璃组成物在半导体制程中形成氧化硅层之方法与运用此方法的分离方法
公开(公告)号：TW506016B
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：TW090120370
申请日：2001-08-20
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：李禎浩 , 李東峻 , 姜大源 , 文成澤 , 李基鶴 , 崔晶植
IPC分类号： H01L
摘要：揭示一種使用旋塗式玻璃(SOG)組合物形成半導體元件之氧化矽層之方法，該氧化矽層可掩蓋具有高縱橫比的 VLST間隙間的間隙，且可獲得與CVD氧化物層相同特性。於具有表面非連續性之半導體基板上塗覆SOG組合物而形成平面SOG層，該SOG組合物包括具有式(SiH2NH2)n化合物之全氫聚矽胺烷，此處n表示正整數，重量平均分子量係於約4,000至8,000之範圍，分子量分散程度係於約3.0至4.0之範圍。經由執行第一加熱處理將SOG溶液轉成氧化矽以及第二加熱處理而密化如此轉化後的氧化矽。SOG層被轉成具有平坦面的氧化矽層。主動區的矽氧化作用受限制俾確保獲得形穩性。也揭示藉該方法製造的半導體元件。
简体摘要：揭示一种使用旋涂式玻璃(SOG)组合物形成半导体组件之氧化硅层之方法，该氧化硅层可掩盖具有高纵横比的 VLST间隙间的间隙，且可获得与CVD氧化物层相同特性。于具有表面非连续性之半导体基板上涂覆SOG组合物而形成平面SOG层，该SOG组合物包括具有式(SiH2NH2)n化合物之全氢聚硅胺烷，此处n表示正整数，重量平均分子量系于约4,000至8,000之范围，分子量分散程度系于约3.0至4.0之范围。经由运行第一加热处理将SOG溶液转成氧化硅以及第二加热处理而密化如此转化后的氧化硅。SOG层被转成具有平坦面的氧化硅层。主动区的硅氧化作用受限制俾确保获得形稳性。也揭示藉该方法制造的半导体组件。

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