专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2015050466A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015050466A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2014178070
申请日：2014-09-02
申请人：三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： KIM TAEKYUNG , SETSU KOSHU , CHO SEONG-SOON , HOE SONG-HWE , KANG JINTAE
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L21/336 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11519 , H01L27/11582 , H01L29/7926
摘要：【課題】メモリセルに格納されたデータの安定度を向上する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置のメモリブロックが有する情報格納部130は、貫通部材PLに隣接するトンネル絶縁膜132、第1ワードラインから第8ワードラインのそれぞれを覆うよう形成されるブロッキング絶縁膜134、及び、トンネル絶縁膜132とブロッキング絶縁膜134との間に形成される電荷格納膜133を有する。第4ワードラインWL4は、厚さLgが第4ワードラインWL4と第3ワードラインWL3との間に形成されているゲート間誘電膜150の厚さLsより大きくなるよう形成されている。これにより、ワードラインの電気的特性の均一性を向上し、貫通部材PLとワードラインとが交差する部位に形成されるメモリセルに格納されたデータの安定度を向上することができる。【選択図】図4C
摘要翻译：要解决的问题：提供一种其中存储在存储单元中的数据的稳定性得到改善的半导体器件。解决方案：半导体器件的存储块的信息存储单元130包括隧道绝缘膜132，其邻接穿透构件PL 分别形成为从第一字线覆盖到第八字线的阻挡绝缘膜134以及形成在隧道绝缘膜132和阻挡绝缘膜134之间的电荷存储膜133.第四字线WL4形成为使得厚度Lg大于形成在第四字线WL4和第三字线WL3之间的栅极间电介质膜150的厚度Ls。因此，提高了字线的电特性的均匀性，并且提高了存储在形成在穿透构件PL和字线之间的交叉部分的部分的存储单元中的数据的稳定性。

2. 发明专利

JP2012015517A Methods of forming nonvolatile memory devices having vertically integrated nonvolatile memory cell sub-strings therein and nonvolatile memory devices formed thereby 有权
标题翻译：形成具有垂直集成的非易失性存储器单元分段的非易失性存储器件的方法和形成的非易失性存储器件
公开(公告)号：JP2012015517A
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：JP2011145588
申请日：2011-06-30
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： SHIM SEON-IL , YI CHANG-HYUN , HOE SONG-HWE , CHANG JAE-HUNG , KIM HAN-SU , KIM GI-HYON
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： G11C16/28 , G11C16/14 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11578 , H01L29/7889 , H01L29/7926
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a three-dimensional nonvolatile memory device and a method for manufacturing the same that can improve the uniformity of electric property of cells.SOLUTION: Methods of forming nonvolatile memory devices according to the present invention include steps to form highly integrated vertical stacks of nonvolatile memory cells. These vertical stacks of memory cells can utilize dummy memory cells to compensate for process artifacts that would otherwise yield relatively poor functioning memory cell strings when memory cells are stacked vertically on a semiconductor substrate using a plurality of vertical sub-strings electrically connected in series.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种三维非易失性存储器件及其制造方法，其可以提高电池的电性能的均匀性。解决方案：根据本发明的形成非易失性存储器件的方法包括形成非易失性存储单元的高度集成的垂直堆叠的步骤。这些垂直堆叠的存储器单元可以利用虚拟存储器单元来补偿当存储器单元使用串联电连接的多个垂直子串在半导体衬底上垂直堆叠时否则会产生相对较差的功能存储单元串的工艺伪像。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2014053615A Semiconductor device and method of manufacturing the same 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014053615A
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：JP2013184773
申请日：2013-09-06
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： KIM SUNGGIL , HOE SONG-HWE , KIM JUNG-HWAN , KIM HONGSUK , YON GUK-HYON , CHOI JAEHO
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8247 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L29/788 , H01L21/764 , H01L27/11521 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11582 , H01L29/42332 , H01L29/4234 , H01L29/66825 , H01L29/66833
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having air gaps, and a method of manufacturing the same.SOLUTION: A semiconductor device according to the present invention includes: a semiconductor substrate having trenches defining active regions; a gate electrode passing over the active regions; a charge storage pattern between the gate electrode and the active regions; a porous insulating film extending above the trenches between the gate electrode and the charge storage pattern; and air gaps formed between the porous insulating film and bottom surfaces of the trenches. A method of manufacturing the semiconductor device according to the present invention includes the steps of: forming the trenches that define the plurality number of active regions in the semiconductor substrate; forming a sacrificial film in the trenches; forming the porous insulating film that extends on a top surface of the sacrificial film above the plurality number of active regions and has a plurality number of air holes; removing the sacrificial film through the air holes of the porous insulating film and forming the air gaps that are defined by the porous insulating film in the trenches under the porous insulating film; and forming the gate electrode above the porous insulating film.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有气隙的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件包括：具有限定有源区的沟槽的半导体衬底; 栅电极穿过有源区; 栅电极和有源区之间的电荷存储图案; 在栅电极和电荷存储图案之间的沟槽上方延伸的多孔绝缘膜; 以及在多孔绝缘膜和沟槽的底表面之间形成的气隙。根据本发明的制造半导体器件的方法包括以下步骤：在半导体衬底中形成限定多个有源区的沟槽; 在沟槽中形成牺牲膜; 形成在多个活性区域上方的牺牲膜的上表面上延伸的多孔绝缘膜，并且具有多个气孔; 通过多孔绝缘膜的空气孔去除牺牲膜，并在多孔绝缘膜下方的沟槽中形成由多孔绝缘膜限定的气隙; 以及在多孔绝缘膜上形成栅电极。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式