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1. 发明申请

WO2007099689A1 有機トランジスタ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：有机晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2007099689A1
公开(公告)日：2007-09-07
申请号：PCT/JP2006/326093
申请日：2006-12-27
申请人：パイオニア株式会社 , 大田悟
发明人：大田悟
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/312 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： H01L21/02118 , H01L21/022 , H01L21/02282 , H01L21/312 , H01L51/0533 , H01L51/0541 , H01L51/0545
摘要：【課題】プロセス中のゲート絶縁層へのダメージを防ぐ高性能の有機トランジスタを提供する。【解決手段】基板１、一対のソース電極４とドレイン電極５、ソース電極４とドレイン電極５間に設けられる有機半導体層６、及び有機半導体層６にゲート絶縁層３を介して設けられるゲート電極２を備える有機トランジスタであって、ゲート絶縁層３は、絶縁性を有する有機材料を含む有機絶縁層３ａ、及び有機絶縁層表面を被覆するプロセス耐性を有するバリア層３ｂを含む。
摘要翻译： [问题]提供一种高性能的有机晶体管，防止正在处理的栅极绝缘层被损坏。有机晶体管设置有基板（1）; 一对源电极（4）和漏电极（5）; 布置在源电极（4）和漏极电极（5）之间的有机半导体层（6）; 和布置在有机半导体层（6）上的栅电极（2），栅极绝缘层（3）之间。栅极绝缘层（3）包括含有有机绝缘材料的有机绝缘层（3a）和覆盖有机绝缘层表面并具有工艺电阻特性的阻挡层（3b）。

2. 发明申请

WO2010010609A1 コンタクトホールの形成方法、及び回路基板审中-公开
标题翻译：形成接触孔和电路板的方法
公开(公告)号：WO2010010609A1
公开(公告)日：2010-01-28
申请号：PCT/JP2008/063138
申请日：2008-07-22
申请人：パイオニア株式会社 , 大田悟
发明人：大田悟
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05K3/40
CPC分类号： H05K3/4069 , H05K3/4647 , H05K2203/0514 , H05K2203/0551 , H05K2203/1173
摘要：【課題】コンタクトホール構造の配線を簡易なウエットプロセスによって形成する【解決手段】第１の導電性部材（３１，４１）が形成された下地面（２）に、導電性材料を含有する撥液性感光樹脂又は撥液性成分を混合した感光樹脂を塗布して塗膜（７１）を形成し、フォトリソグラフィ法によって塗膜（７１）をパターニングして、コンタクトホールの導通部分（７２）を形成する。その後、コンタクトホールの導通部分（７２）及び第１の導電性部材（３１，４１）が形成された下地面に、絶縁性材料を塗布して絶縁膜（８）を形成し、最後に絶縁膜（８）上に第２の導電性部材（３２，３３，４２，４３）を形成する。
摘要翻译： [问题]通过简单的湿法形成接触孔结构的布线。 [解决问题的手段]在形成有第一导电部件（31,41）的基面（2）上，涂布通过混合含有导电性材料的防液性感光性树脂或疏液性成分而得到的感光性树脂，涂膜（71）。通过光刻将涂膜（71）图案化，以形成接触孔的导电部分（72）。然后，在其上形成有接触孔的导电部分（72）的基底表面和第一导电部件（31,41）之间，施加绝缘材料以形成绝缘膜（8）。最后，在绝缘膜（8）上形成第二导电构件（32,33,42,43）。

3. 发明申请

WO2008117355A1 半導体基板製造装置、半導体基板製造方法及び半導体基板审中-公开
标题翻译：半导体基板制造设备，半导体基板制造方法和半导体基板
公开(公告)号：WO2008117355A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/JP2007/055877
申请日：2007-03-22
申请人：パイオニア株式会社 , 越智英夫 , 吉澤淳志 , 佐藤英夫 , 中馬隆 , 大田悟 , 原田千寛
发明人：越智英夫 , 吉澤淳志 , 佐藤英夫 , 中馬隆 , 大田悟 , 原田千寛
IPC分类号： H01L21/428 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0097 , H01L21/681 , H01L27/1292 , H01L51/56 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：プラスチック基板などの伸縮性を有する基板の表面に広範囲に亘って形成される多数の半導体形成領域に対して、基板が伸縮しても、アニール処理や半導体材料の塗布などの所定の処理を高精度に行う半導体基板製造装置を提供する。トラッキングしながら基板表面に光を照射する発光部（３４）と、この発光部（３４）から照射されて前記基板表面に反射した光を受光する受光部（３５）と、受光した光のスペクトルまたは強度に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出する位置検出部（３６）と、を有するトラッキング手段（３３）と、前記トラッキング手段（３３）からの位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う半導体処理手段として、例えばアニール光照射手段（３７）やインクジェットノズルを備えた構成とする。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种半导体衬底制造装置，其对于在诸如塑料的柔性衬底的表面上广泛形成的许多半导体形成区域以高精度进行诸如退火处理和半导体材料涂覆的预定处理衬底，即使衬底膨胀或收缩。半导体衬底制造装置包括：跟踪装置（33），其设置有用于在跟踪的同时向衬底表面照射光的发光单元（34）;用于接收从衬底表面反射的光的光接收装置（35）通过来自发光单元（34）的光和位置检测单元（36），用于基于所接收的光的光谱或强度来检测半导体形成区域的位置; 以及作为用于对每个半导体形成区域进行预定处理的半导体处理装置的结构，例如退火光照射装置（37）和喷墨嘴。

4. 发明申请

WO2007114254A1 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：有机薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2007114254A1
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：PCT/JP2007/056870
申请日：2007-03-29
申请人：パイオニア株式会社 , 中馬隆 , 大田悟
发明人：中馬隆 , 大田悟
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/283 , H01L21/312 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： H01L51/0541
摘要：　有機薄膜トランジスタは、有機薄膜トランジスタは、互いに分離して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極の間に介在する有機半導体層と、ソース電極及びドレイン電極の間の有機半導体層に対向してゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、を有する有機薄膜トランジスタであって、有機半導体層とゲート電極との間におけるゲート絶縁膜の膜厚を規定する高さを有するスペーサを有する。ゲート絶縁膜はインプリンティング法により成膜される。
摘要翻译：有机薄膜晶体管设置有单独排列的源电极和漏电极; 布置在源电极和漏电极之间的有机半导体层; 以及栅极电极，其通过在其间具有栅极绝缘膜而与源极电极和漏极电极之间的有机半导体层面对。有机薄膜晶体管还具有限定栅极绝缘膜在有机半导体层与栅电极之间的厚度的高度的间隔物。栅极绝缘膜通过压印方法形成。

5. 发明申请

WO2006046676A1 電子回路基板及びその製造方法审中-公开
标题翻译：电子电路板及其制造方法
公开(公告)号：WO2006046676A1
公开(公告)日：2006-05-04
申请号：PCT/JP2005/019845
申请日：2005-10-21
申请人：パイオニア株式会社 , 中馬隆 , 大田悟 , 宮口敏
发明人：中馬隆 , 大田悟 , 宮口敏
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/768 , G09F9/00 , H01L21/283 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/26
CPC分类号： H01L21/02258 , H01L21/02183 , H01L21/31683 , H01L21/76888 , H01L27/3244 , H01L51/0525 , H01L51/0545 , H01L51/055 , H01L51/56 , H05K1/0293 , H05K3/02 , H05K2203/0315 , H05K2203/1142 , H05K2203/175 , Y10T428/24355
摘要：　電子回路基板の製造方法は、基板上に各々が陽極酸化の可能な導電体パターン及び導電体パターンに接続された配電パターンを形成するパターン工程と、導電体パターン及び配電パターン上に化成液を接触させて、それらを陽極として通電しつつ陽極酸化を行い、導電体パターン及び配電パターンから酸化膜を生成する陽極酸化工程と、を含み、配電パターンの幅又は膜厚は、陽極酸化工程において配電パターンの１つの側壁に生じる酸化膜が他の側壁に生じる酸化膜と一体となった絶縁体部分が形成されるように、少なくとも部分的には設定されている。
摘要翻译：电子电路板的制造方法包括形成阳极氧化导体图案的图案形成步骤和与导体图案连接的分布图案以及使形成溶液与导体图案和分布图案接触的阳极氧化步骤，通过使用图案作为阳极进行阳极氧化，以及从导体图案和分布图案形成氧化膜。分布图案的至少一部分的宽度和厚度被确定为使得形成在分布图案的一个侧壁上的氧化膜和形成在另一个侧壁上的氧化膜一体化以形成绝缘体部分。

6. 发明申请

WO2007111352A1 有機エレクトロルミネセンス表示パネル及びその製造方法审中-公开
标题翻译：有机电致发光显示面板及其制造方法
公开(公告)号：WO2007111352A1
公开(公告)日：2007-10-04
申请号：PCT/JP2007/056700
申请日：2007-03-28
申请人：パイオニア株式会社 , 中馬隆 , 大田悟 , 原田千寛
发明人：中馬隆 , 大田悟 , 原田千寛
IPC分类号： H05B33/22 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/10 , H05B33/12
CPC分类号： H01L27/3246 , H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L51/56
摘要：　リーク電流の発生を防止した構造の有機ＴＦＴを含むアクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示パネルその製造方法を提供する。　有機ＥＬ表示パネルは、基板と、該基板から第１の表示電極、有機機能層及び第２の表示電極の順に形成されている有機ＥＬ素子と、該基板からゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース／ドレイン電極及び有機半導体層の順に形成されていて該有機ＥＬ素子を駆動制御する有機ＴＦＴと、を含む。該有機ＥＬ表示パネルは、該第１の表示電極上において該有機機能層が載置される発光領域を画定する第１の窓部と該ソース／ドレイン電極間において該有機半導体層が載置されるトランジスタ領域を画定する第２の窓部とを有する第１のバンクと、該第２の窓部の外周に配置されかつ該基板の主面に交差する方向に突出する第２のバンクと、を含む。
摘要翻译：包括具有防止漏电流产生的结构的有机TFT的有源矩阵驱动有机EL显示面板及其制造方法。有机EL显示面板包括基板，包括从基板顺序形成的第一显示电极，有机功能层和第二显示电极的有机EL元件，以及执行有机EL元件的驱动控制的有机TFT，并且包括栅极电极，栅极绝缘膜，源/漏电极和从衬底顺序形成的有机半导体层。有机EL显示面板包括第一组，其具有限定用于将有机功能层安装在第一显示电极上的发光区域的第一窗口和限定用于将有机功能层安装在源/漏电极之间的晶体管区域的第二窗口，以及第二堤，其布置在所述第二窗口的外周上，以沿与所述基板的主表面相交的方向突出。

7. 发明申请

WO2007099690A1 有機トランジスタ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：有机晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2007099690A1
公开(公告)日：2007-09-07
申请号：PCT/JP2006/326094
申请日：2006-12-27
申请人：パイオニア株式会社 , 大田悟
发明人：大田悟
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/312 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： H01L51/0529 , H01L21/02123 , H01L21/022 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/312 , H01L21/3125 , H01L51/052 , H01L51/0545
摘要：【課題】ゲート電極からのリーク電流を低減することができる有機トランジスタを提供する。【解決手段】基板１、一対のソース電極４とドレイン電極５、ソース電極４とドレイン電極５間に設けられる有機半導体層６、及び有機半導体層６にゲート絶縁層３を介して設けられるゲート電極２を備える有機トランジスタであって、ゲート絶縁層３は有機絶縁層３ａ及び無機バリア層３ｂを少なくとも含む積層構造であることを特徴とする有機トランジスタ。
摘要翻译：提供一种其中来自栅电极的漏电流减小的有机晶体管。有机晶体管设置有基板（1）; 一对源电极（4）和漏电极（5）; 布置在源电极（4）和漏极电极（5）之间的有机半导体层（6）; 和布置在有机半导体层（6）上的栅电极（2），栅极绝缘层（3）之间。栅绝缘层（3）具有至少包含有机绝缘层（3a）和有机阻挡层（3b）的叠层结构。

8. 发明申请

WO2004021446A1 有機半導体素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：有机半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2004021446A1
公开(公告)日：2004-03-11
申请号：PCT/JP2003/010724
申请日：2003-08-26
申请人：パイオニア株式会社 , 中村健二 , 大田悟
发明人：中村健二 , 大田悟
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L51/0516 , H01L24/02 , H01L51/0545 , H01L2224/02166 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079
摘要：真空装置を用いずに、絶縁性が高く緻密な高分子絶縁膜をゲート絶縁膜として容易に作成でき、そのゲート絶縁膜パターニングする工程が必要ない有機半導体素子及びその製造方法を提供する。ガラス基板１１上にゲート電極１２を形成し、例えば、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレートを０．１ｍｏｌ／ｌ含有したベンゾニトリルにポリ（１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン）（ｂｉｓ−ＭＳＢ）を溶解させたのち、溶解中にゲート電極１２が形成されたガラス基板１１を入れ、電気化学的重合法により緻密なポリ（ｂｉｓ−ＭＳＢ）膜を形成する。
摘要翻译：一种包括具有高绝缘性的致密聚合物绝缘膜的有机半导体器件。绝缘膜形成为不使用真空系统的栅极绝缘膜，而不形成图案化栅极绝缘膜的步骤。还显示了制造有机半导体器件的方法。栅电极（12）形成在玻璃基板（11）上。例如，将聚（1,4-双（2-甲基苯基）苯）（双-MSB）溶解在含有0.1mol / l四氟硼酸四丁基铵的苄腈中。将具有栅电极（12）的玻璃基板（11）浸入溶液中，通过电化学聚合形成致密的聚（双-MSB）膜。

9. 发明申请

WO2009072205A1 画素回路及び表示パネル审中-公开
标题翻译：像素电路和显示面板
公开(公告)号：WO2009072205A1
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：PCT/JP2007/073587
申请日：2007-12-06
申请人：パイオニア株式会社 , 越智英夫 , 大田悟 , 平沢明 , 中村健二 , 小山田崇人
发明人：越智英夫 , 大田悟 , 平沢明 , 中村健二 , 小山田崇人
IPC分类号： G09G3/20 , G09G3/30 , G11C16/04 , H01L27/10
CPC分类号： G09G3/3233 , G09G2300/088 , G09G2310/0251
摘要：【課題】非発光時における発光素子にも僅かながら電流が流れてしまっているため、ごく僅かに発光してしまい、発光時と非発光時のコントラストが良くなかった。【解決手段】第１電力を供給する第１電源線１１と、１本の制御線９と、一端が第１電源線１１に接続され他端が制御線９に接続された発光制御抵抗変化型素子５と、第２電力を供給する第２電源線１３と、一端が制御線９に接続され他端が第２電源線１３に接続され、発光制御抵抗変化型素子に５書き込まれたデータに応じて発光する発光素子７と、発光素子７に並列となるように、一端が制御線９に接続され他端が第２電源線１３に接続された並列接続抵抗変化型素子３とを有する。
摘要翻译：为了解决发光元件稍微发光的问题，因为当不发光时在发光元件中流动很小的电流，并且当发光时和当不发光时是不充分的。解决问题的手段像素电路设置有提供第一功率的第一电力线（11），一个控制线（9），一端连接到第一电力的发射控制电阻变化型元件（5）线路（11）和另一端连接到控制线（9），提供第二功率的第二电力线（13），其一端连接到控制线（9）的发光元件（7）和另一端连接到第二电力线（13），并且根据写在发光控制电阻变化型元件（5）中的数据发射光;以及并联连接电阻变化型元件（3），其一端连接到控制线（9）和另一端连接到第二电力线（13），使得它变得平行于发光元件（7）。

10. 发明申请

WO2008117450A1 有機トランジスタの製造方法及び有機トランジスタ审中-公开
标题翻译：生产有机晶体管和有机晶体管的方法
公开(公告)号：WO2008117450A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/JP2007/056425
申请日：2007-03-27
申请人：パイオニア株式会社 , 大田悟
发明人：大田悟
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： H01L51/0516 , H01L51/0558
摘要：【課題】閾値電圧のシフトが小さい有機トランジスタの製造方法およびその構造を提供すること【解決手段】一対のソース電極（４）及びドレイン電極（５）と、このソース電極及びドレイン電極間のチャネルを形成するための有機半導体層（６）と、この有機半導体層に積層されるゲート絶縁膜（３）及びゲート電極（２）と、を有する有機トランジスタの製造するにあたり、ポルフィリン化合物を成膜して前記有機半導体層を形成すると共に、シロキサン化合物またはシラザン化合物を成膜し、硬化させて前記ゲート絶縁膜を形成するようにする。
摘要翻译：提供一种制造有机晶体管的方法，其实现阈值电压的偏移，并提供其结构。用于解决问题的手段有机晶体管的制造方法，包括成对的源电极（4）和漏电极（5）的有机晶体管，用于在源电极和漏电极之间形成沟道的有机半导体层（6）放置在有机半导体层，栅极绝缘膜（3）和栅电极（2）上，该方法包括将卟啉化合物形成膜，从而获得有机半导体层，同时将硅氧烷化合物或硅氮烷化合物形成为膜并使其硬化，从而获得栅极绝缘膜。

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