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1. 发明专利

JP2018085360A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018085360A
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：JP2016225807
申请日：2016-11-21
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：黒田圭児
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/48 , H01L23/29
CPC分类号： H01L2224/33
摘要：【課題】Ni食われを抑制するために構成部品とSn系はんだ材料の間に配設されるCu層の成膜サイズ公差に起因して、封止樹脂体とCu層が密着し、双方の剥離を解消できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置100を構成する複数の部品のうち、Sn系はんだ層4にて第一部品1と第二部品2と、を接続する半導体装置の製造方法であって、重力方向の下方から順に、第一部品1、Sn系はんだ材料4’、Cu層3’、 Cu層3’と接合されている第二部品2を積層し、Sn系はんだ材料4’の固相線温度以上で液相線温度以下の温度雰囲気下で30秒以上加熱してSn系はんだ層4を形成し、Sn系はんだ層4と第一部品1の間に、Cu 6 Sn 5 もしくは(Cu,Ni) 6 Sn 5 の金属間化合物層3Aを形成し、樹脂モールドして封止樹脂体10を成形する。【選択図】図2

2. 发明专利

JP2016219479A 半導体装置の製造方法及び半導体装置有权
标题翻译：一种制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016219479A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2015099657
申请日：2015-05-15
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：黒田圭児 , 高野雅幸
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/48 , B23K35/28 , H01L25/07
CPC分类号： H01L2224/33 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265
摘要：【課題】Zn−Al系はんだを用いて、はんだ接合率が高く、かつ、接合部にクラックが発生し難い製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置10の製造方法は、第1金属体22の第1主面にZn−Al系はんだを成分とする第1はんだ材料層21を配置し、第1主面と対向する第2主面にZn−Al系はんだを成分とする第2はんだ材料層23を配置して仮積層体を形成する第1工程、仮積層体に圧力及び振動等を加え、第1はんだ材料層の第1主面及び第2はんだ材料層の第2主面と接触する領域に存在する酸化膜を破壊しながら第1金属体、第1はんだ材料層及び第2はんだ材料層を接合させる第2工程及び第1金属体と半導体素子13とを第1はんだ材料層を用いて、第1金属体と第2金属体31とを第2はんだ材料層を用いてはんだ付けする工程であって、Zn−Al系はんだの融点以上でZnの融点未満である温度に加熱する第3工程、を有する。【選択図】図1
摘要翻译：阿与基于Zn-Al的焊料，高焊料接合率和裂缝是提供一种制造方法和半导体器件几乎不发生的交界处。一种用于制造半导体器件10中，第一焊料材料层21的方法，Zn-Al的基于焊料的部件与第一金属体22的第一主表面设置，面向第一主表面通过将焊料材料层23临时层叠体形成第二的第一步骤Zn类Al-基焊料的组分2主表面上，除了临时层叠体中，第一焊料材料层的压力和振动所述第一主表面和而破坏存在于与所述第二焊接材料层中，第一焊料材料层和粘结焊料材料层的所述第二第二步骤的第二主表面接触的区域中的氧化膜的第一金属部件和第一金属和使用所述第一焊接材料层，第一金属构件和第二金属体31，其包括使用第二焊接材料层，含有Zn的钎焊的步骤的半导体器件13 加热的第三步到小于Zn的具有上述熔点的Al系钎料的熔点的温度，。点域1

3. 发明专利

JP6874645B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6874645B2
公开(公告)日：2021-05-19
申请号：JP2017213058
申请日：2017-11-02
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：黒田圭児
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/50

4. 发明专利

JP2020035982A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020035982A
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：JP2018163776
申请日：2018-08-31
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：黒田圭児
IPC分类号： H01L21/52
摘要：【課題】半導体装置を破壊することなく、かつ、精度よく半導体装置を検査することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】メイン部分3aと、第1および第2サブ部分3b、3cと、を備えたリードフレーム3を準備する。メイン部分3aに第1はんだ材2を介して半導体素子4を配置し、第2サブ部分に第2はんだ材2aを配置した状態で、第1および第2はんだ材2、2aを溶融して半導体素子4をメイン部分3aに接合した後、メイン部分3aと半導体素子4とを覆うように樹脂体5を成形し、半導体装置1を製造する。第1および第2サブ部分3b、3cを、メイン部分3aから切断し、これらから第1および第2拡散量を測定し、第1および第2拡散量に基づいて、リードフレーム3に作用した熱の履歴となる加熱時間および加熱温度を推定し、推定した加熱時間および加熱温度に基づいて、半導体装置1の良否を判定する。【選択図】図2

5. 发明专利

JP6638626B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6638626B2
公开(公告)日：2020-01-29
申请号：JP2016225807
申请日：2016-11-21
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：黒田圭児
IPC分类号： H01L21/52 , H01L23/29 , H01L23/12 , H01L23/48

6. 发明专利

JP2017130547A 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP2017130547A
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：JP2016008849
申请日：2016-01-20
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：高野雅幸 , 野村卓也 , 黒田圭児
IPC分类号： H01L23/50 , H01L21/52
摘要：【課題】リードフレームに形成されたNi層のNiの消費を抑えることを前提として、接合時のはんだの濡れ性を確保することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】はんだ16に、はんだ全体を100質量%としたときに、Cuを0〜0.7質量%含有し、残部がSnおよび不可避不純物からなるはんだを用い、はんだ16とリードフレーム11との間に、Cu層17を配置しつつ、半導体素子13とリードフレーム11とを、はんだ16により接合した後、1対のリードフレーム11,12、半導体素子13、およびスペーサ14を樹脂モールドする。【選択図】図2

7. 发明专利

JP6874628B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6874628B2
公开(公告)日：2021-05-19
申请号：JP2017194999
申请日：2017-10-05
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：黒田圭児
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/50

8. 发明专利

JP6477517B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6477517B2
公开(公告)日：2019-03-06
申请号：JP2016008849
申请日：2016-01-20
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：高野雅幸 , 野村卓也 , 黒田圭児
IPC分类号： H01L23/50 , B23K35/26 , B23K1/00 , C22C13/00 , H01L21/52

9. 发明专利

JP2018082012A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018082012A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2016222593
申请日：2016-11-15
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：黒田圭児 , 野村卓也
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L2224/33 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：【課題】Zn−Al系はんだ層の濡れ上がりとフィレット不良の双方を解消することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】コレクタリードフレーム1と、半導体素子2と、ターミナル3と、エミッタリードフレーム6と、が順に積層され、各構成部材間にZn−Al系はんだ層7が介在して積層体が形成され、積層体の周囲に封止樹脂体9が形成されてなる半導体装置10において、ターミナル3の側面には凸部3a’’もしくは凹部3a’が形成されており、ターミナル3のうち、封止樹脂体9と接する表面には、Ni、Al、もしくはこれらの酸化物のいずれかからなる第一被膜4が形成され、Zn−Al系はんだ層7と接する表面には、Au、Ag、Cu、Pt、Pdのいずれかからなる第二被膜5が形成されている。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2018078196A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018078196A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2016218974
申请日：2016-11-09
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：黒田圭児 , 野村卓也
IPC分类号： H01L25/18 , H01L25/07
摘要：【課題】半導体装置を構成する部品同士を接合材を介して接合するに当たり、接合材に厚みの分布が生じないようにして部品同士を平行な姿勢で接合することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第一収容部10aと第一収容部10aよりも平面寸法の大きな第二収容部10bとを備えた治具10を用意するステップ、第一収容部10aに第一部品21を収容し、第一収容部10aと第二収容部10bの境界ラインLと第一部品21との間の隙間距離Xを形成するステップ、隙間距離Xよりも大きな厚みYを有する接合材22を載置するステップ、第二収容部10bに第一部品21よりも平面寸法の大きな第二部品23を収容するステップ、接合材22を溶融させ、第二収容部10bの一部に第二部品23が係止され、第一部品21と第二部品23を相互に平行な状態に保った状態で双方が接合材にて接合されてなる半導体装置100を製造するステップとからなる。【選択図】図2

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