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1. 发明专利

JP2015007230A ポリビニルブチラールバインダーを含む導電性金属インク审中-公开
标题翻译：导电金属墨与聚乙烯丁二烯键
公开(公告)号：JP2015007230A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2014123746
申请日：2014-06-16
申请人：ゼロックスコーポレイションXerox Corporation , Xerox Corp , ゼロックスコーポレイションXerox Corporation
发明人： CHOPRA NAVEEN , IFTIME GABRIEL , MAYO JAMES D , MICHAEL DAMATO , SANDRA J GARDNER , VONG CUONG , PIN LIU , WU YILIANG
IPC分类号： C09D11/52 , C09D11/10 , H01B1/00 , H01B1/22
CPC分类号： C09D11/52 , C09D11/106
摘要：【課題】コストを低減し、基材上に形成されるより細かい印刷特性を可能にし、改善した特性、例えば、改善した粘度及び/又は導電特性を示す導電性インクの提供。【解決手段】導電性材料、下記式を有する熱可塑性ポリビニルブチラールターポリマーバインダー及びグリコールエーテル溶媒を含む導電性インク。前記導電性材料は、約0.5〜約10ミクロンの平均サイズ、及び、少なくとも約3対1のアスペクト比を有する導電性粒子、例えば、銀フレークである導電性材料。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供具有改进的性能的导电油墨，例如改进的粘度和/或导电性能，降低成本并且能够在基材上形成更精细的印刷特征。溶液：导电油墨包括导电材料，热塑性塑料具有下式的聚乙烯醇缩丁醛三元共聚物粘合剂和二醇醚溶剂。导电材料是具有约0.5至约10微米的平均尺寸和至少约3比1的纵横比的导电颗粒，例如银薄片。

2. 发明专利

JP2015008136A 金属ナノ粒子分散物を作成する方法およびこれによって作られる分散物审中-公开
标题翻译：形成金属纳米颗粒分散体和形成分散体的方法
公开(公告)号：JP2015008136A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2014121603
申请日：2014-06-12
申请人：ゼロックスコーポレイションXerox Corporation , Xerox Corp , ゼロックスコーポレイションXerox Corporation
发明人： PIN LIU , WU YILIANG , WIGGLESWORTH ANTHONY JAMES
IPC分类号： H01B1/22 , B22F1/00 , B22F1/02 , B22F9/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01B1/00 , H01B13/00
CPC分类号： C09D11/52 , B22F1/0022 , B22F1/02 , B22F3/22 , B22F2998/10 , C09D11/54 , B22F9/24 , B22F2003/248
摘要：【課題】ほとんどの金属ナノ粒子分散物は、空気に安定ではなく、冷温環境又は減圧状態であっても、金属ナノ粒子表面に特定の酸化度の金属酸化物を生成し、熟成した金属ナノ粒子インクでは、導電性が顕著に下がることがあるため、塾成した金属ナノ粒子分散物の導電性を高めるのに有効な方法の提供。【解決手段】溶媒と;金属ナノ粒子の上に形成された酸化物を含む複数の金属ナノ粒子と;還元剤とを含む金属ナノ粒子分散物。還元剤は、酸化物と反応し、堆積させ加熱するプロセスを用いて金属ナノ粒子分散物から作ることができる金属膜の導電性を、同じ堆積させ加熱するプロセスを用い、還元剤を用いない以外は同じナノ粒子組成物から作ることができる金属膜の導電性と比較して顕著に上げるのに十分な量で含まれる。金属ナノ粒子は濃度が15〜90重量%で、Ag、Al、Au、Cu等から選ばれる少なくとも一つの金属である分散物。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供有效提高老化金属纳米粒子分散体的导电性的方法，解决了大多数金属纳米粒子分散体不是空气稳定的问题，并且在金属纳米颗粒的表面上形成一定氧化度的金属氧化物，甚至在冷却的环境中或在真空条件下，这可能导致老化的金属纳米颗粒油墨的电导率显着降低。解决方案：金属纳米颗粒分散体包括：溶剂; 多个金属纳米颗粒，其包含在所述金属纳米颗粒上形成的氧化物; 和足够与氧化物反应的量的还原剂，以显着提高使用沉积和加热方法从金属纳米颗粒分散体形成的金属膜的导电性，与可从相同纳米颗粒组合物形成的金属膜的电导率相比较没有还原剂使用相同的沉积和加热过程。金属纳米粒子是选自Ag，Al，Au，Cu等中的至少一种金属，其浓度为15〜90重量％。

3. 发明专利

JP2014232318A 電気流体力学を用いる印刷装置审中-公开
标题翻译：使用电动力印刷设备
公开(公告)号：JP2014232318A
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：JP2014099969
申请日：2014-05-13
申请人：ゼロックスコーポレイションXerox Corporation , Xerox Corp , ゼロックスコーポレイションXerox Corporation
发明人： U RIU , WU YILIANG , JOHANN JUNGINGER , PIN LIU
IPC分类号： G03G15/10
CPC分类号： G03G13/10 , B41J2/06 , G03G15/10
摘要：【課題】画質を下げることなく、インクの量を正確に制御することが可能な、作像部材面にインクを塗布するための方法およびシステムを提供する。【解決手段】作像装置は、表面を有する作像部材と、作像部材と物理的に接触しない現像部材130と、作像部材面と現像部材との間に電界を生成する電源131とを備える。インクは、電界が発生した場合に、現像部材から作像部材面110に、電気流体力学的に転写される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供用于将油墨施加到成像构件表面的系统和方法，其允许精确地控制油墨量而不降低图像质量。解决方案：成像装置包括具有表面的成像构件，显影组件130 其不与成像构件物理接触，以及用于在成像构件表面和显影部件之间产生电场的电源131。当产生电场时，油墨从显影组分电动态转移到成像构件表面110。

4. 发明专利

JP2012119679A Dielectric composition for thin-film transistors 有权
标题翻译：薄膜晶体管的电介质组成
公开(公告)号：JP2012119679A
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：JP2011253306
申请日：2011-11-18
申请人： Xerox Corp , ゼロックスコーポレイションXerox Corporation
发明人： WU YILIANG , PIN LIU , WIGGLESWORTH ANTHONY , NUNG SHIN HU
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/312 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： H01L21/02126 , H01B3/306 , H01B3/42 , H01B3/447 , H01B3/46 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L51/0036 , H01L51/052 , H01L51/0545
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic device (e.g., a thin-film transistor) including a substrate and a dielectric layer formed from a dielectric composition.SOLUTION: The dielectric composition includes a dielectric material, a crosslinking agent, and a thermal acid generator. In particular embodiments, the dielectric material comprises a lower-k dielectric material and a higher-k dielectric material. When deposited, the lower-k dielectric material and the higher-k dielectric material form separate phases. The thermal acid generator allows the dielectric layer to be cured at lower temperatures and/or shorter time periods, permitting the selection of lower-cost substrate materials that would otherwise be deformed by the curing of the dielectric layer.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包括由电介质组合物形成的基板和电介质层的电子器件（例如，薄膜晶体管）。电介质组合物包括电介质材料，交联剂和热酸发生剂。在特定实施例中，介电材料包括较低介电常数材料和较高介电常数材料。当沉积时，较低k电介质材料和较高介电材料形成分离相。热酸发生器允许电介质层在较低的温度和/或更短的时间周期下固化，允许选择否则通过电介质层的固化而变形的较低成本的基底材料。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2011233886A Semiconductor composition 审中-公开
标题翻译：半导体组成
公开(公告)号：JP2011233886A
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：JP2011093692
申请日：2011-04-20
申请人： Xerox Corp , ゼロックスコーポレイションXerox Corporation
发明人： WU YILIANG , PIN LIU , ANTHONY WIGGLESWORTH , NANXIN FU
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/005 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0094
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor composition that exhibits high electron field-effect mobility and an excellent thin film formation property.SOLUTION: The semiconductor composition comprises a non-amorphous semiconductor material and molecular glass. A thin-film transistor (TFT10), which is an electronic device, comprises a semiconductor layer 70. The semiconductor layer 70 comprises the non-amorphous semiconductor material and the molecular glass.
摘要翻译：解决的问题：提供显示高电子场效应迁移率和优异的薄膜形成性能的半导体组合物。解决方案：半导体组合物包含非非晶半导体材料和分子玻璃。作为电子器件的薄膜晶体管（TFT10）包括半导体层70.半导体层70包括非非晶半导体材料和分子玻璃。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2012227518A Semiconductor composition 审中-公开
标题翻译：半导体组成
公开(公告)号：JP2012227518A
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：JP2012072017
申请日：2012-03-27
申请人： Xerox Corp , ゼロックスコーポレイションXerox Corporation
发明人： WU YILIANG , SANDRA J GARDNER , WIGGLESWORTH ANTHONY , PIN LIU , NUNG SHIN HU
IPC分类号： H01L51/30 , C07D495/04 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0074 , C07D495/04 , H01B1/12 , H01L51/0558
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconducting composition that exhibits high field effect mobility, good film-forming properties, and proper morphology for high performance in a composite system.SOLUTION: A bottom-gate bottom-contact TFT 10 comprises a substrate 16 in contact with a gate electrode 18 and a gate dielectric layer 14. The gate electrode 18 is depicted here atop the substrate 16, but the gate electrode may also be located as a depression within the substrate. It is important that the gate dielectric layer 14 separates the gate electrode 18 from the source electrode 20, drain electrode 22, and the semiconducting layer 12. The semiconducting layer 12 formed of a semiconductor composition extends between the source electrode 20 and drain electrode 22. The semiconductor composition comprises a polymer binder and a small molecule semiconductor. The small molecule semiconductor in the semiconducting layer has a crystallite size of less than 100 nanometers. Devices formed of the composition exhibit high mobility and excellent stability.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在复合体系中表现出高的场效应迁移率，良好的成膜性能和适当的形态以获得高性能的半导体组合物。解决方案：底栅底接触TFT 10包括与栅极电极18和栅极电介质层14接触的衬底16.栅电极18在这里被描绘在衬底16的顶部，但是栅电极也可以位于底物内的凹陷处。栅电介质层14将栅电极18与源电极20，漏电极22和半导电层12分开是重要的。半导体组合物形成的半导体层12在源电极20和漏电极22之间延伸。半导体组合物包含聚合物粘合剂和小分子半导体。半导体层中的小分子半导体的微晶尺寸小于100纳米。由该组合物形成的装置显示高迁移率和优异的稳定性。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2012156502A Electronic device 审中-公开
标题翻译：电子设备
公开(公告)号：JP2012156502A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：JP2012004320
申请日：2012-01-12
申请人： Xerox Corp , ゼロックスコーポレイションXerox Corporation
发明人： WU YILIANG , PIN LIU , NUNG SHIN HU
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , C08G2261/3223 , C08G2261/92 , C08K3/041 , C08K2201/011 , H01L51/0036 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L51/0566 , C08L65/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film transistor exhibiting high mobility and excellent stability, and an electronic device using the same.SOLUTION: An active layer of a thin film transistor comprises two semiconducting layers. A first sublayer includes a polythiophene of a specific structure and carbon nanotubes. A second sublayer includes the polythiophene of the specific structure and does not include carbon nanotubes. After the two semiconducting layers are formed, these semiconducting layers may optionally be annealed together. The carbon nanotubes is filmed by coating with fluid dispersion containing the polythiophene.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种表现出高移动性和优异稳定性的薄膜晶体管，以及使用该薄膜晶体管的电子器件。解决方案：薄膜晶体管的有源层包括两个半导体层。第一子层包括特定结构的聚噻吩和碳纳米管。第二子层包括特定结构的聚噻吩，不包括碳纳米管。在形成两个半导体层之后，这些半导体层可以任选地一起退火。碳纳米管通过用含有聚噻吩的流体分散体涂覆而成膜。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2012134483A Semiconductor composition 有权
标题翻译：半导体组成
公开(公告)号：JP2012134483A
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：JP2011271276
申请日：2011-12-12
申请人： Xerox Corp , ゼロックスコーポレイションXerox Corporation
发明人： WU YILIANG , WIGGLESWORTH ANTHONY , PIN LIU , NUNG SHIN HU
IPC分类号： H01L51/30 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： C07D495/04 , H01L51/0074 , H01L51/0541 , H01L51/0545
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor composition which exhibits high mobility and excellent stability, and also provide a process of manufacturing electronic devices comprising the same.SOLUTION: The semiconductor composition comprises a polymer binder, and a small molecule semiconductor specified by the chemical formula, where Ris selected from alkyl, alkenyl, alkynyl, aryl, heteroaryl, alkoxy, trialkylsilyl, ketonyl, cyano, halogen, etc.; each of m and n is from 0 to 6; X is selected from O, S, and Se; and each of a, b, and c is 0 or 1.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种表现出高移动性和优异稳定性的半导体组合物，并且还提供一种制造包含该半导体组合物的电子器件的工艺。解决方案：半导体组合物包含聚合物粘合剂和由化学式指定的小分子半导体，其中R 1 选自烷基，烯基，炔基，芳基，杂芳基，烷氧基，三烷基甲硅烷基，酮基，氰基，卤素等; m和n各自为0至6; X选自O，S和Se; a，b和c各自为0或1.版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2012119678A Dielectric composition 审中-公开
标题翻译：电介质组成
公开(公告)号：JP2012119678A
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：JP2011253263
申请日：2011-11-18
申请人： Xerox Corp , ゼロックスコーポレイションXerox Corporation
发明人： WU YILIANG , WANG YULIN , PIN LIU , NUNG SHIN HU , WIGGLESWORTH ANTHONY
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/052 , H01L51/0036 , H01L51/0097 , H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin smooth gate dielectric layer without pinholes for an electronic device (e.g., a thin-film transistor) including a substrate and a dielectric layer formed from a dielectric composition.SOLUTION: The dielectric composition comprises a dielectric material and a low surface tension additive. The low surface tension additive allows formation of a thin flat dielectric layer with fewer pinholes and enhanced device yield. In particular embodiments, the dielectric material comprises a lower-k dielectric material and a higher-k dielectric material. When deposited, the lower-k dielectric material and the higher-k dielectric material form separate phases.

10. 发明专利

JP2014145074A Thixotropic composition 有权
标题翻译： THOOPOPIC COMPOSITION
公开(公告)号：JP2014145074A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：JP2014005903
申请日：2014-01-16
申请人： Xerox Corp , ゼロックスコーポレイションXerox Corporation
发明人： WU YILIANG , PIN LIU , WIGGLESWORTH ANTHONY JAMES
IPC分类号： C08L65/00 , B82Y30/00 , C08G61/12 , C08K3/04
CPC分类号： H01L51/0048 , C01B32/158 , C08G73/20 , C08G2261/1412 , C08G2261/3223 , C08G2261/51 , C08G2261/92 , C08K3/04 , C08K3/041 , H01L29/43 , H01L51/0003 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/105 , C08L65/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thixotropic conductive composition that can be used to form conductive features on an electronic device.SOLUTION: The thixotropic composition comprises a conjugated polymer of the specified formula, a solvent, and multi-wall carbon nanotubes. The conjugated polymer and the solvent are capable of forming a thixotropic fluid. This enables excellent stability of the carbon nanotubes in the composition at very high loading. The composition has a long shelf life.
摘要翻译：要解决的问题：提供可用于在电子设备上形成导电特征的触变性导电组合物。溶液：触变组合物包含具有规定式的共轭聚合物，溶剂和多壁碳纳米管。共轭聚合物和溶剂能够形成触变流体。这使得在非常高的负载下组合物中的碳纳米管具有优异的稳定性。组合物具有长的保存期限。

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