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1. 发明专利

JP2020191319A 画像読取装置および固体撮像装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020191319A
公开(公告)日：2020-11-26
申请号：JP2019094340
申请日：2019-05-20
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：関澤充生 , 桑澤和伸
IPC分类号： H04N1/028 , H01L27/146
摘要：【課題】遮光層が腐食する可能性が低い固体撮像装置を含む画像読取装置を提供する。【解決手段】光源と、固体撮像装置と、を含み、前記固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板に配置された複数の画素と、前記半導体基板に配置され、前記画素に電気的に接続された回路と、を有し、前記回路は、複数の層間絶縁層と、平面視において隣り合う前記画素の間に位置する遮光層と、複数の前記層間絶縁層のうちの最上層に配置された配線層と、前記最上層に配置され、前記配線層を覆う被覆層と、を有し、前記被覆層は、窒化シリコン層を有し、前記被覆層には、平面視において前記画素および前記遮光層と重なる位置に、前記窒化シリコン層を貫通する第1開口部が設けられ、前記遮光層は、前記最上層よりも下層の前記層間絶縁層に配置され、前記遮光層は、前記第1開口部の底面よりも下方に位置している、画像読取装置。【選択図】図2

2. 发明专利

JP2020181972A 固体撮像素子および画像読取装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020181972A
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：JP2020000689
申请日：2020-01-07
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：関澤充生 , 桑澤和伸 , 伊藤尚輝
IPC分类号： H04N1/03 , H01L27/146
摘要：【課題】高い感度を有することができる固体撮像素子を提供する。【解決手段】第1導電型の第1不純物領域と、前記第1不純物領域に配置され、第1方向に並んだ複数の第2導電型の第2不純物領域と、平面視において、前記第1不純物領域と重なり、前記第2不純物領域と重ならない遮光層と、を含み、前記第1不純物領域は、隣り合う前記第2不純物領域の間の第1部分を有し、前記遮光層は、平面視において、前記第1部分と重なる第2部分を有し、前記第2部分の前記第1方向の大きさは、前記第1部分の前記第1方向の大きさよりも小さい、固体撮像素子。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2018046088A 固体撮像装置及び電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2018046088A
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：JP2016178287
申请日：2016-09-13
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：中村紀元 , 桑澤和伸 , 関澤充生
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H04N5/369 , H04N5/374 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14678 , H04N5/3577 , H04N5/361 , H04N5/3694 , H04N5/37452 , H04N5/37457
摘要：【課題】浮遊拡散領域とバッファートランジスターとを電気的に接続する配線と半導体層又は他の配線との間の寄生容量を低減して、信号電荷を信号電圧に変換する際の変換ゲインの低下による固体撮像装置の感度の低下を改善する。【解決手段】この固体撮像装置は、受光素子、転送ゲート、浮遊拡散領域、及び、バッファートランジスターを含む画素領域と、第N層の配線層に配置されて(Nは2以上の整数)、浮遊拡散領域とバッファートランジスターとを電気的に接続する配線とを備える。【選択図】図9

4. 发明专利

JP2017041566A 半導体装置及びその製造方法、電子機器並びに移動体审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法，电子装置和所述移动
公开(公告)号：JP2017041566A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015163100
申请日：2015-08-20
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：桑澤和伸 , 新田博明 , 遠藤剛廣 , 関澤充生
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/04 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/07 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/15 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/43 , H01L24/47 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/0391 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05541 , H01L2224/05552 , H01L2224/05555 , H01L2224/05556 , H01L2224/05557 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/48463 , H01L2224/81191 , H01L2224/81201 , H01L2924/00014
摘要：【課題】素子上にパッドを形成しても素子の破壊を防止できる。【解決手段】半導体装置は、基板11に配置された素子と、第1絶縁層17と、第1絶縁層上に配置され、素子の上方に位置する第1パッド18a及び第2パッド18bと、第1絶縁層上、前記第1及び第2パッドそれぞれの側面上及び上面上に配置された第2絶縁層19を含み、第2絶縁層は、前記第1及び第2パッドそれぞれの上面に位置する開口部19a,19bを有し、前記第1及び第2パッドそれぞれの厚さは2μm以上であり、前記第2絶縁層の厚さは、前記第1及び第2パッドそれぞれの厚さの2/5倍以下であり、前記第1パッドと前記第2パッドとの間の距離は、前記第1及び第2パッドそれぞれの厚さの4倍以上である。【選択図】図1
摘要翻译：阿地形成在装置上垫片可以防止元件的损坏。一种半导体器件，包括：设置于基板11，17被设置在第一绝缘层，第一衬垫18a和定位在元件上方的第二焊盘18B上的第一绝缘层上的元件，第一绝缘层包括设置在第一和第二衬垫上各侧上和在上表面的第二绝缘层19，第二绝缘层被定位在每一个的上表面上，所述第一和第二焊盘开口19a和19b中具有，每个所述第一和第二焊盘的厚度是2微米处或以上，在第二绝缘层的厚度，每个所述第一和第二焊盘的第二厚度 / 5倍或更小，所述第一焊盘和所述第二焊盘之间的距离为4倍以上，每个第一和第二焊盘的厚度。点域1

5. 发明专利

JP2016178143A 固体撮像素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：固态成像元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016178143A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2015055694
申请日：2015-03-19
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：桑澤和伸 , 中村紀元 , 関澤充生 , 遠藤剛廣
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14607 , H01L27/14612 , H01L27/14616 , H01L27/14689
摘要：【課題】電荷転送を行う際にポテンシャル井戸及びポテンシャル障壁の両者の発生を抑制できる固体撮像素子を提供する。【解決手段】Pウェル12と、ゲート絶縁膜19と、ゲート電極20と、前記ゲート電極の第1の端部20aより外側のPウェルに位置するP + 型のピニング層22と、少なくともゲート電極の第1の端部より内側の前記Pウェルに位置し、かつ前記ピニング層に接するP − 型不純物領域17と、前記ピニング層及び前記P − 型不純物領域の下方の前記Pウェルに位置し、かつ前記P − 型不純物領域に接するとともに前記ゲート絶縁膜に接するN − 型不純物領域15と、前記ゲート電極の第2の端部20bの下方の前記Pウェルに位置するN + 型不純物領域24を含む固体撮像素子である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在执行电荷转移时能够抑制势阱和势垒的产生的固态成像元件。解决方案：固态成像元件包括：P阱12; 栅极绝缘膜19; 栅电极20; P型钉扎层22，其位于比栅电极的第一端部20a更靠外侧的P阱上; P型杂质区17，其位于P阱的至少比栅极的第一端更靠内侧并与钉扎层接触的位置; N型杂质区域15位于P阱低于钉扎层和P型杂质区并且与P型杂质区域接触并且还与栅极绝缘膜接触; 以及位于P阱下方的N型杂质区24，栅极电极的第二端部20b下方。图1

6. 发明专利

JP6641958B2 半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6641958B2
公开(公告)日：2020-02-05
申请号：JP2015242058
申请日：2015-12-11
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：桑澤和伸 , 佐久間盛敬 , 新田博明 , 関澤充生 , 遠藤剛廣
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/8224 , H01L27/082 , H01L21/8228 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L29/868 , H01L21/331 , H01L29/73 , H01L29/732 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/822

7. 发明专利

JP2018046089A 固体撮像装置及びその製造方法、並びに、電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2018046089A
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：JP2016178288
申请日：2016-09-13
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：関澤充生 , 中村紀元 , 桑澤和伸
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/522 , H04N5/374 , H04N5/378 , H04N5/369 , H04N1/028 , H01L27/14
摘要：【課題】浮遊拡散領域の接合容量値をあまり大きくすることなく、浮遊拡散領域とコンタクトプラグとの接続部の抵抗値を低下させると共に、浮遊拡散領域への信号電荷の転送における電荷の転送残りを改善した固体撮像装置を提供する。【解決手段】この固体撮像装置は、受光素子、転送ゲート、及び、バッファートランジスターと、転送ゲートの端部に沿った第1の辺と第1の辺よりも短い第2の辺とが対向して配置された主面を有する浮遊拡散領域と、浮遊拡散領域において第2の辺よりも第1の辺に近い位置に配置され、周囲よりも高い不純物濃度を有するコンタクト領域と、層間絶縁膜のコンタクトホール内に配置され、コンタクト領域に接続されたコンタクトプラグと、層間絶縁膜上に配置され、コンタクトプラグを介して浮遊拡散領域とバッファートランジスターとを電気的に接続する配線とを備える。【選択図】図5

8. 发明专利

JP2017152438A 固体撮像装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017152438A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2016031261
申请日：2016-02-22
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：関澤充生 , 中村紀元 , 桑澤和伸
IPC分类号： H01L27/146
摘要：【課題】浮遊拡散層の容量低下または転送残りを抑制できる固体撮像装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様は、第1の第2導電型拡散層18と第1のゲート絶縁膜11dと第1のゲート電極35と第2の第2導電型拡散層19と第2のゲート絶縁膜11bと第2のゲート電極22と第3の第2導電型拡散層20を有し、前記第1のゲート電極のゲート長L2は、前記第2のゲート電極のゲート長L1と略同一であり、前記第1のゲート電極のゲート幅W2は、前記第2のゲート電極のゲート幅W1と略同一であり、第1のゲート電極35を含む第1のトランジスターのしきい値電圧は、第2のゲート電極22を含む第2のトランジスターのしきい値電圧と略同一である固体撮像装置である。【選択図】図6

9. 发明专利

JP2017054947A 固体撮像素子及びその製造方法、並びに、電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2017054947A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015178231
申请日：2015-09-10
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：関澤充生 , 桑澤和伸 , 中村紀元 , 遠藤剛廣
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14616 , H01L27/1461 , H01L27/14689
摘要：【課題】フォトダイオードから信号電荷が転送される不純物領域に残留した電荷による暗電流を低減すると共に、信号電荷の転送経路におけるポテンシャルの障壁の発生を抑制して転送不良を低減することが可能な固体撮像装置を提供する。【解決手段】この固体撮像素子は、第1導電型の半導体層と、半導体層上に位置するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、ゲート電極の第1の端部よりも平面視で少なくとも外側の半導体層に位置する第2導電型の第1の不純物領域と、ゲート電極の第1の端部に対向する第2の端部よりも平面視で少なくとも外側の半導体層に位置する第2導電型の第2の不純物領域と、ゲート電極の第2の端部から平面視で離れて半導体層における第2の不純物領域の上層に位置し、第2の不純物領域に接する第1導電型の第3の不純物領域とを備える。【選択図】図1

10. 发明专利

JP6679908B2 半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6679908B2
公开(公告)日：2020-04-15
申请号：JP2015242057
申请日：2015-12-11
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：桑澤和伸 , 佐久間盛敬 , 新田博明 , 関澤充生 , 遠藤剛廣
IPC分类号： H01L27/082 , H01L21/8228 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L21/331 , H01L29/732 , H01L29/868 , H01L29/73 , H01L21/8224

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