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    • 4. 发明专利
    • Method of separating the layer system that includes a wafer
    • JP2012513684A
    • 2012-06-14
    • JP2011542832
    • 2009-12-23
    • シン マテリアルズ アクチェンゲゼルシャフト
    • フランツ リヒター
    • H01L21/683
    • H01L21/6835H01L21/6836H01L2221/68318H01L2221/68327H01L2221/68386H01L2221/6839
    • 本発明は、ウェーハ(7)と任意的に第2の延伸可能な担体(20)とを含む層状構造体(8)を第1の担体(1)を含むか又はそれから構成された担体アセンブリ(1a)から機械的に分離する方法であって、a)担体アセンブリ(1a)と層状構造体(8)とを含む層システム(1a、8)を準備する段階と、b)i)以下の段階:ia)分離補助具(29)を準備する段階、ib)分離作業中に第2の担体(20)が分離中に生じる分離前面(33)のすぐ背後で分離補助具(29)上に固定されたままに留まるように、第2の担体(20)上に分離補助具(29)を固定する段階、及びic)分離前面(33)を利用して層状構造体(8)を担体アセンブリ(1a)から機械的に分離する段階、及び/又はii)以下の段階:(ii)層システム(1a、8)において振動を生成する段階、及び/又は(iii)以下の段階:iii)層システム(1a、8)又は層システム(1a、8)の各部の温度を変える段階を含む方法によって層状構造体(8)が担体アセンブリ(1a)から分離されるように、担体アセンブリ(1a)と層状構造体(8)の間のインタフェースの領域に機械的応力を作成する段階とを含み、段階ia)〜ic)がこの方法に含まれない時には、段階ii)及び/又はiii)が、担体アセンブリからの層状構造体の完全をもたらすことを条件とする方法に関するものである。
      【選択図】図3