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1. 发明申请

WO2002078144A1 半導体装置及び結晶成長方法审中-公开
标题翻译：半导体器件和晶体生长方法
公开(公告)号：WO2002078144A1
公开(公告)日：2002-10-03
申请号：PCT/JP2002/002739
申请日：2002-03-22
申请人：シャープ株式会社 , 高橋幸司
发明人：高橋幸司
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/02395 , H01L21/02458 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/182 , H01S5/1003 , H01S5/2231 , H01S5/32366 , H01S5/343 , H01S5/34306 , H01S5/34346 , H01S2304/00
摘要： A semiconductor laser device (100), characterized in that it has, as its well layer, a III-V compound semiconductor layer (106) comprising nitrogen, antimony and one or more V Group elements except nitrogen and antimony as the V Group components thereof; and a method for crystal growth for forming the III-V compound semiconductor layer, characterized in that it comprises a step comprising supplying a plurality of materials including indium simultaneously and a step comprising supplying a plurality of materials including antimony and excluding indium simultaneously, and the two steps are repeatedly carried out.
摘要翻译：一种半导体激光装置（100），其特征在于，作为其阱层，具有除了氮和锑之外的包含氮，锑和一种或多种V族元素的III-V族化合物半导体层（106）作为其V族组分 ; 以及用于形成III-V族化合物半导体层的晶体生长方法，其特征在于，其包括同时提供多种包括铟的材料的步骤，以及包括同时供给多种包括锑和不含铟的材料的步骤，以及反复进行两个步骤。

2. 发明申请

WO2004073125A1 半導体レーザ素子、光学ヘッド、及び情報記録装置审中-公开
标题翻译：半导体激光器件，光学头和信息记录器
公开(公告)号：WO2004073125A1
公开(公告)日：2004-08-26
申请号：PCT/JP2004/001037
申请日：2004-02-03
申请人：シャープ株式会社 , 高橋幸司 , 河西秀典
发明人：高橋幸司 , 河西秀典
IPC分类号： H01S5/227
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/227 , H01S5/341
摘要：　この発明の半導体レーザ素子（１００）は、或る形状の断面をもって一方向に延びる高屈折率部（１０４）と、この高屈折率部（１０４）の周りを囲む低屈折率部（１０２，１０５）とを有する共振器を備える。高屈折率部（１０４）の断面の寸法（Ｄ，Ｗ）は、共振器が出射するレーザ光の近視野像の面積が極小となるような値またはその値の近傍に設定されている。これにより、既存の化合物半導体材料を用いつつ青色半導体レーザ素子よりも小さな光スポットを得ることができる。また、近接記録方式に用いられる金属アパーチャを備えた半導体レーザ素子よりも実用上十分な光出力で微小な光スポット（近視野像）を得ることができる。また、この発明の半導体レーザ素子は簡単に構成される。
摘要翻译：半导体激光装置（100）包括具有高折射率部分（104）的谐振器，所述高折射率部分（104）在一个方向上延伸并具有一定形状的横截面和围绕高折射率部分（104,104）的低折射率部分（102,105））。将高折射率折射率部分（104）的横截面的尺寸（D，W）设定为使得从谐振器发射的激光束的近场图案的面积最小等等价值。因此，在使用现有的化合物半导体材料的同时，产生的光点小于蓝色半导体激光装置的光点。因此，与具有用于接近记录的金属孔的半导体激光装置相比，可以产生具有实际足够的光功率的小光斑（近场图案）。本发明的半导体激光装置简单地制造。

3. 发明专利

JP6652829B2 発光装置および照明装置有权
公开(公告)号：JP6652829B2
公开(公告)日：2020-02-26
申请号：JP2015246757
申请日：2015-12-17
申请人：シャープ株式会社
发明人：高橋幸司 , 川口佳伸
IPC分类号： F21S2/00 , F21S41/176 , F21S41/692 , F21V7/26 , F21V9/30 , F21V23/00 , F21V7/00 , B60Q1/00 , B60Q1/04 , F21W102/10 , F21Y115/30 , B60Q1/14

4. 发明专利

JP2019153783A 画像表示素子审中-公开
公开(公告)号：JP2019153783A
公开(公告)日：2019-09-12
申请号：JP2019015837
申请日：2019-01-31
申请人：シャープ株式会社
发明人：井口勝次 , 高橋幸司 , 河西秀典 , ジョンロバーツ , ネイサンコール
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/10 , H01L33/50
摘要：【課題】容易かつ安定して製造することができる画像表示素子を提供する。【解決手段】画像表示素子(200)は、駆動回路基板(50)上に、マイクロLED素子(100)と、マイクロLED素子(100)の発する励起光を変換して、駆動回路基板(50)と反対側に射出する波長変換層と、を順に積層した画像表示素子であって、マイクロLED素子(100)は、波長変換層によって変換された長波長光を反射する第1の多層膜(10)を有している。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6513803B2 発光装置および制御システム有权
公开(公告)号：JP6513803B2
公开(公告)日：2019-05-15
申请号：JP2017524726
申请日：2016-05-11
申请人：シャープ株式会社
发明人：川口佳伸 , 高平宜幸 , 高橋幸司
IPC分类号： H01S5/0683 , F21V23/00 , F21S2/00 , F21V8/00 , F21V13/00 , F21V14/04 , F21Y115/30 , H01S5/022

6. 发明专利

JPWO2017043122A1 波長変換部材および発光装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017043122A1
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：JP2017538884
申请日：2016-05-12
申请人：シャープ株式会社
发明人：高平宜幸 , 高橋幸司 , 川口佳伸 , 安念一規 , 前村要介 , 坂上智洋 , 森田隆敏
IPC分类号： G02B5/20 , H01S5/022 , H01S5/40
CPC分类号： C09K11/00 , G02B5/20 , H01L33/50 , H01S5/022
摘要：単結晶の蛍光体を含み、かつ高い歩留まりを有する波長変換部材を提供する。発光部(1)は、レーザ光源から出射されたレーザ光の波長を変換する波長変換部材であって、単結晶の蛍光体からなる蛍光体層(1a)を含み、上記蛍光体層の、分割面(1d)より面積の広い主平面(1b)の面方位は{111}であり、複数の分割面のうちの、一部の分割面の面方位は{1−10}である。

7. 发明专利

JP6297268B2 照明装置有权
公开(公告)号：JP6297268B2
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：JP2013119190
申请日：2013-06-05
申请人：シャープ株式会社
发明人：高橋幸司 , 高平宜幸 , 前村要介
IPC分类号： F21S43/00 , F21S45/00 , F21W103/00 , F21W104/00 , F21W105/00 , F21W102/00 , F21Y115/30 , F21S41/00
CPC分类号： F21S41/337 , F21S41/16 , F21S41/24 , F21S41/275

8. 发明专利

JP2018010783A 移動体の前照灯审中-公开
公开(公告)号：JP2018010783A
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：JP2016138708
申请日：2016-07-13
申请人：シャープ株式会社
发明人：金子和昭 , 森田隆敏 , 高橋幸司
IPC分类号： F21S43/00 , F21S45/00 , F21V29/503 , F21V29/75 , F21V29/502 , F21V23/00 , F21W103/00 , F21W104/00 , F21W105/00 , F21Y115/30 , F21S41/00
CPC分类号： F21S41/176 , F21S41/16 , F21S41/255
摘要：【課題】簡単で低コストな構造でありながら、半導体レーザを効率的に冷却することのできる移動体の前照灯を提供する。【解決手段】車両用灯具10は、光源である半導体レーザ11と、放熱用フィン141の形成面14bとは反対側の搭載面14aに半導体レーザ11を搭載するヒートシンク14と、半導体レーザ11から出射されるレーザ光を白色散乱光に変換して反射する反射型波長変換部材12と、白色散乱光を透過させて車両用灯具10の前方へ投射する投光レンズ13とを備えている。ヒートシンク14は、車両用灯具の前面において放熱用フィン141を前方に露出させるように配置されている。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2017213952A 照明装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017213952A
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：JP2016107769
申请日：2016-05-30
申请人：シャープ株式会社
发明人：川口佳伸 , 尾崎信二 , 高橋幸司
IPC分类号： F21S8/12 , F21Y115/30 , B60Q1/04
摘要：【課題】光源部の点灯・非点灯のタイミングを規定することで、光源部の信頼性を向上させる。【解決手段】励起光を出射する複数の光源部(2A,2B)と、励起光を受けて発光する蛍光体を含む発光部(6)と、発光部(6)に入射する励起光のスポット(6a,6b)を発光部(6)上で走査する励起光走査部(4A,4B)と、発光部(6)での発光を所望の投光形状に投光する投光部(7)と、を備え、スポット(6a,6b)のそれぞれは、複数の光源部のそれぞれの励起光に由来しており、複数の光源部(2A,2B)に点灯と非点灯とを行わせるとともに、同一時刻において、1つの光源部のみを点灯させる光源制御部(9)を備える。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2017211665A 光学系审中-公开
公开(公告)号：JP2017211665A
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：JP2017151000
申请日：2017-08-03
申请人：シャープ株式会社
发明人：高橋幸司
IPC分类号： H01S5/022 , G02B6/42
摘要：【課題】1つの導光部材に対して配置することが出来る光源の個数の制限を小さくし、その結果、導光部材の出射端部から得られる光の出力を高めることができる光学系を提供する。【解決手段】複数の半導体レーザ(22)から出射された光の進行方向を第2の反射ミラー(23)および第1の反射ミラー(24)にて変化させることにより、その光を集光レンズ(4)で集光し、導光部材(27)へ入射させる。【選択図】図4

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