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    • 6. 发明专利
    • CMP用研磨液
    • 抛光液用于CMP
    • JP2015065260A
    • 2015-04-09
    • JP2013197809
    • 2013-09-25
    • コニカミノルタ株式会社
    • 午菴 一賀奥山 奥士藤田 美千代藤枝 洋一
    • B24B37/00C09K3/14C09G1/02H01L21/304
    • 【課題】本発明の課題は、研磨傷やディッシングを抑制するとともに、より高い研磨速度及び選択比を得ることができるCMP用研磨液を提供することである。 【解決手段】本発明のCMP用研磨液は、球形状を有する研磨材粒子と、水不溶性化合物と、水とを含む研磨液であって、研磨材粒子が、少なくともCeを含有し、かつ、Ce、La、Pr、Nd、Sm及びEuから選ばれる少なくとも1種類の元素の含有量の合計が、研磨材粒子に含有される希土類元素全体量に対して、81mol%以上であり、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuから選ばれる少なくとも1種類の元素の含有量が、研磨材粒子に含有される希土類元素全体量に対して、19mol%以下であり、かつ、水不溶性化合物が、炭素数5〜2000の飽和炭化水素から選ばれる少なくとも1種類の化合物であることを特徴とする。 【選択図】なし
    • 要解决的问题:提供一种用于CMP的抛光液,其能够在抑制抛光缺陷和凹陷的同时实现更高的抛光速度和更高的选择率。解决方案:根据本发明的用于CMP的抛光液是抛光液 其包括:球形抛光材料颗粒; 水不溶性化合物; 和水。 抛光材料颗粒至少包括Ce。 抛光材料颗粒还包括:选自Ce,La,Pr,Nd,Sm和Eu中的至少一种元素,其总含量为包含在抛光材料颗粒中的稀土元素总量的81mol%或更大 ; 和选自Y,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb和Lu中的至少一种元素,其含量为包括在抛光材料颗粒中的稀土元素的总量的19mol%或更小 。 水不溶性化合物是选自碳原子数为5〜2000的饱和烃中的至少一种化合物。
    • 7. 发明专利
    • CMP用研磨液
    • 抛光液用于CMP
    • JP2016178099A
    • 2016-10-06
    • JP2013166065
    • 2013-08-09
    • コニカミノルタ株式会社
    • 午菴 一賀奥山 奥士藤田 美千代藤枝 洋一
    • B24B37/00C09K3/14C09G1/02H01L21/304
    • H01L21/31053C09G1/02C09K3/1445C09K3/1463C01P2004/84
    • 【課題】本発明の課題は、研磨傷やディッシングを抑制し、より高い研磨速度及び洗浄性を得ることができるCMP用研磨液を提供することである。 【解決手段】本発明のCMP用研磨液は、研磨材、分散剤及び水を含む研磨材スラリーと、カルボン酸又はカルボン酸塩基を有する水溶性有機高分子を含む添加剤、無機酸又は無機酸塩及び水を含む添加液とを研磨時に混合して被研磨膜の研磨に用いる研磨液であって、研磨材に用いられる研磨材粒子(10)が、コア・シェル構造を有する粒子であり、コア層(2)には、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物が含有され、かつ、シェル層(4)には、酸化セリウムが含有されていることを特徴とする。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种用于CMP的抛光液体,其可以抑制抛光划痕和凹陷,并获得更高的抛光速度和清洁性能。解决方案:本发明的CMP抛光液用于 通过在抛光时将包含抛光材料,分散剂和水的抛光材料浆料与含有添加剂的添加剂混合来抛光待抛光的膜,所述添加剂溶液包括羧酸或水溶性有机聚合物,其具有 羧酸酯基,无机酸或无机酸盐和水。 用于研磨材料的抛光材料颗粒(10)是具有核/壳结构的颗粒,含有选自Al,Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe中的至少一种元素的氧化物的芯层(2) ,Co,Ni,Cu,Zn,Ga,Ge,Zr,In,Sn,Y,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,W,Bi,Th和碱土金属, 含有氧化铈的层(4)。选择图:图1
    • 8. 发明专利
    • CMP用研磨液
    • CMP抛光液
    • JP2016175949A
    • 2016-10-06
    • JP2013166098
    • 2013-08-09
    • コニカミノルタ株式会社
    • 午菴 一賀奥山 奥士藤田 美千代藤枝 洋一
    • H01L21/304B24B37/00C09G1/02C09K3/14
    • H01L21/31053C09G1/02C09K3/1445C09K3/1463
    • 【課題】研磨傷の発生とディッシングとを抑制しつつ、より高い研磨速度及び分散安定性を得ることができるCMP用研磨液を提供する。 【解決手段】研磨材と、pKaが4〜9の範囲内の官能基を有する添加剤と、特定の非イオン性両親媒性界面活性剤と、水と、を含むpH7以下のCMP用研磨液であって、研磨材粒子は、コア層1及びシェル層3からなるコア・シェル構造を有し、コア層1は、アルミニウム、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ジルコニウム、インジウム、スズ、イットリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、タングステン、ビスマス、トリウム及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物を含有し、かつ、シェル層3は、酸化セリウムを含有するCMP用研磨液。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种能够在抑制抛光缺陷和凹陷的发生的同时实现更高的抛光速度和更高的分散稳定性的CMP抛光液。解决方案:提供一种pH7或更小的含有抛光材料的CMP抛光液, 具有pKa在4〜9范围内的官能团的添加剂,特定的非离子两亲性表面活性剂和水,其中研磨材料颗粒具有由芯层1和壳层构成的核/壳结构 3,芯层1含有选自铝,钪,钛,钒,铬,锰,铁,钴,镍,铜,锌,镓,锗,锆,铟,锡,钇中的至少一种元素的氧化物 ,钆,铽,镝,钬,铒,ium,镱,镥,钨,铋,钍和碱土金属,以及壳层3含有氧化铈。选择图:图1
    • 9. 发明专利
    • CMP用研磨液
    • CMP抛光液
    • JP2016175948A
    • 2016-10-06
    • JP2013166020
    • 2013-08-09
    • コニカミノルタ株式会社
    • 午菴 一賀奥山 奥士藤田 美千代藤枝 洋一
    • H01L21/304B24B37/00C09K3/14
    • B24B37/00B24B37/044C01F17/0043C09G1/02C09K3/1445C09K3/1463H01L21/31053C01P2004/84C01P2004/88
    • 【課題】本発明の課題は、研磨傷やディッシングを抑制し、より高い研磨速度及び分散安定性を得ることができるCMP用研磨液を提供することである。 【解決手段】本発明のCMP用研磨液は、研磨材、分散剤及び水を含む研磨材スラリーと、分散剤及び水を含む添加液とを研磨時に混合して被研磨膜の研磨に用いる研磨液であって、研磨材に用いられる研磨材粒子(10)が、コア・シェル構造を有する粒子であり、コア層(2)には、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物が含有され、かつ、シェル層(4)には、酸化セリウムが含有されていることを特徴とする。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种可以抑制抛光缺陷和凹陷的CMP抛光液,并且实现更高的抛光速度和更高的分散稳定性。本发明的CMP抛光液是用于抛光膜的抛光液 通过在抛光时将含有研磨材料,分散剂和水的研磨材料浆料和含有分散剂和水的添加液混合而研磨,其特征在于,研磨材料粒子( 用于抛光材料的颗粒是具有核/壳结构的颗粒,并且在所述芯层(2)中,选自Al,Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co中的至少一种元素的氧化物, Ni,Cu,Zn,Ga,Ge,Zr,In,Sn,Y,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,W,Bi,Th和碱土金属, 所述壳层(4)包含氧化铈。选择图:图1