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1. 发明专利

JP2015050923A ゲート駆動装置审中-公开
标题翻译：门驱动装置
公开(公告)号：JP2015050923A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2014088857
申请日：2014-04-23
申请人：エルエス産電株式会社Lsis Co.,Ltd. , Lsis Co Ltd , エルエス産電株式会社Lsis Co.,Ltd.
发明人： NAM GYOUNG HUN , KANG SUNG HEE , KIM JONG BAE
IPC分类号： H02M1/08 , H02M7/48 , H02M7/537 , H03K17/16
CPC分类号： H03K17/08128 , H03K17/0828 , H03K17/163 , H03K17/168
摘要：【課題】高電圧による各相の干渉を最小化するゲート駆動装置を提供すること。【解決手段】ゲート駆動装置100は、入力された制御信号を増幅して上側トランジスタのゲート及び下側トランジスタのゲートを駆動する。上側駆動チップは上側トランジスタを制御するための上側制御信号を増幅し、増幅された上側制御信号を上側トランジスタのゲートに出力する。下側駆動チップは下側制御信号を増幅して下側トランジスタのゲートに出力する。上側トランジスタのゲートのエミッタ端子は下側トランジスタのコレクタ端子に接続される。上側駆動チップは下側駆動チップとは別個である。下側駆動チップは、下側制御信号をデッドタイム制御してデッドタイム制御された下側制御信号を生成するデッドタイム制御部と、デッドタイム制御された下側制御信号を増幅して出力する出力ドライバと、を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种栅极驱动装置，其使由于高电压引起的各相之间的干扰最小化。解决方案：门驱动装置100放大输入控制信号以驱动上侧晶体管的栅极和栅极下侧晶体管。上侧驱动芯片放大用于控制上侧晶体管的上侧控制信号，并将放大的上侧控制信号输出到上侧晶体管的栅极。下侧驱动芯片放大下侧控制信号，并将放大的信号输出到下侧晶体管的栅极。上侧晶体管的栅极的发射极端子连接到下侧晶体管的集电极端子。上侧驱动芯片与下侧驱动芯片不同。下侧驱动芯片包括：死区时间控制部，其通过对下侧控制信号进行死区时间控制来生成死区时间控制的下侧控制信号; 以及输出驱动器，其对死区时间控制的下侧控制信号进行放大并输出放大的信号。

2. 发明专利

JP2013230081A Gate drive device 有权
标题翻译：门驱动装置
公开(公告)号：JP2013230081A
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：JP2013084792
申请日：2013-04-15
申请人： Ls Industrial Systems Co Ltd , エルエス産電株式会社Lsis Co., Ltd
发明人： CHOUNG JAE SEOK , NAM GYOUNG HUN , KANG SUNG HEE , KIM JOONG BAE
IPC分类号： H02M1/08
CPC分类号： H03K17/161 , H03K17/04123 , H03K17/06 , H03K19/01721
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gate drive device, preventing an output voltage effect and reducing a chip size.SOLUTION: The gate drive device comprises: a first switching element; a second switching element for charging the electric capacity of the first switching element; a third switching element, connected in parallel with the second switching element, for preventing an output voltage drop of the second switching element; and a fourth switching element for discharging the electric capacity of the first switching element. By the use of an NMOS transistor as a main switching element and a PMOS transistor as an auxiliary switching element, a chip size can be reduced without dropping the output voltage of the gate drive device. Also, by the prevention of the output voltage drop in the gate drive device, the loss in the switching element can be prevented.
摘要翻译：要解决的问题：提供栅极驱动装置，防止输出电压效应并降低芯片尺寸。解决方案：栅极驱动装置包括：第一开关元件; 用于对第一开关元件的电容充电的第二开关元件; 第三开关元件，与第二开关元件并联连接，用于防止第二开关元件的输出电压降; 以及用于放电第一开关元件的电容的第四开关元件。通过使用NMOS晶体管作为主开关元件和PMOS晶体管作为辅助开关元件，可以降低芯片尺寸而不会降低栅极驱动器件的输出电压。此外，通过防止栅极驱动装置中的输出电压降，可以防止开关元件的损耗。

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