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1. 发明专利

JP6975296B1 半導体記憶装置および動作方法有权
公开(公告)号：JP6975296B1
公开(公告)日：2021-12-01
申请号：JP2020137324
申请日：2020-08-17
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：須藤直昭
IPC分类号： G11C29/44 , G06F12/00 , G06F12/06 , G11C29/14
摘要：【課題】パワーオン動作時に設定情報の読出しが正しく行われたか否かを知ることができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリは、電源電圧がパワーオン検出レベルになったことを検出したとき(S200)、フューズメモリの読出しを行い(S210)、フューズメモリの読出しが正しく行われたか否かを判定し(S220)、読出しが正しく行われなかったと判定した場合には、規定回数の範囲内でフューズメモリの再度読出を行い、フューズメモリから読み出した設定情報をCFレジスタにセットする(S240、S270)。さらに、フューズメモリの読出しが規定回数まで行われたか否かを識別する識別情報(POFAI=0、POFAIL=1)をステータスレジスタに格納する。【選択図】図4

2. 发明专利

JP6970769B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6970769B2
公开(公告)日：2021-11-24
申请号：JP2020024853
申请日：2020-02-18
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：須藤直昭
IPC分类号： G11C16/30 , G11C5/14

3. 发明专利

JP6103787B1 半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP6103787B1
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：JP2016007261
申请日：2016-01-18
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：須藤直昭
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/06
CPC分类号： G11C16/26 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3427 , G11C7/02 , G11C7/106 , G11C7/1087 , G11C7/18 , G11C2207/002 , G11C2207/005
摘要：【課題】 FGカップリングによる影響を抑制した信頼性の高いNAND型フラッシュメモリを提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリは、複数のNANDストリングが形成されたメモリアレイと、メモリアレイの行を選択する行選択手段と、選択された行の偶数ページまたは奇数ページを選択するビット線選択回路200とを含む。偶数ページ(BL0、BL1、BL4、BL5)は、隣接する一対のビット線の複数対から構成され、奇数ページ(BL2、BL3、BL6、BL7)は、隣接する一対のビット線の複数対から構成され、偶数ページのビット線対と奇数ページのビット線対とが交互に配置される。【選択図】図7

4. 发明专利

JP2016184450A 半導体記憶装置有权
标题翻译：半导体存储器
公开(公告)号：JP2016184450A
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：JP2015065425
申请日：2015-03-27
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：須藤直昭
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/02
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/3427 , G11C7/1006
摘要：【課題】パーシャルページプログラムとデータスクランブルとを両立し、信頼性を向上させるフラッシュメモリを提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリにおいて、同一ページにn回連続してデータをプログラムする場合、入力されたアドレス情報に基づき選択されたページにデータをプログラムするときの記憶位置を示す位置情報と当該位置情報により規定される記憶領域がプログラムされたものであること識別するフラグ情報とを生成し、スクランブルされたデータ、位置情報およびフラグ情報をメモリアレイの選択されたページにプログラムする。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供实现部分页面编程和数据加扰的闪存，并提高可靠性。解决方案：当数据被连续编程到页面n时，本发明的闪速存储器生成指示存储位置的位置信息用于将数据编程到基于输入地址信息选择的页面，以及标识信息，以标识由位置信息指定的存储区域被编程，并且将加密数据，位置信息和标志信息编程到所选择的页面中存储器阵列。图8

5. 发明专利

JP6908762B1 パワーダウン検出回路および半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP6908762B1
公开(公告)日：2021-07-28
申请号：JP2020114633
申请日：2020-07-02
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：須藤直昭
IPC分类号： G11C5/14
摘要：【課題】供給電圧の低下をより正確に検出することができるパワーダウン検出回路を提供する。【解決手段】本発明のパワーダウン検出回路180は、基準電圧VREFを生成するBGR回路200と、供給電圧VCCに基づき第1の内部電圧VCC_DIV1、第2の内部電圧VCC_DIV2を生成する抵抗分割回路210と、VCC_DIV1
【選択図】図5

6. 发明专利

JP2020187810A 半導体記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020187810A
公开(公告)日：2020-11-19
申请号：JP2019090633
申请日：2019-05-13
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：須藤直昭
IPC分类号： G11C29/12 , G11C16/22
摘要：【課題】消費電力を低減しつつテスト動作時に正確にパワーダウン動作を実行することができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリは、供給電圧が一定電圧に降下したことを検出する低電力電圧検出回路210と、供給電圧が一定電圧に降下したことを高精度電圧検出回路220と、内部回路がテスト状態であるとき高精度電圧検出回路220を選択し、内部回路がテスト状態でないとき低電力検出回路210を選択し、低電力電圧検出回路210または高精度電圧検出回路230の検出結果に応答してパワーダウン動作を実行するコントローラ140とを有する。【選択図】図5

7. 发明专利

JP6249504B1 半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP6249504B1
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：JP2016163678
申请日：2016-08-24
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：妹尾真言 , 須藤直昭
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/34
CPC分类号： G11C16/16 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/3445 , G11C16/3459 , G11C7/04
摘要：【課題】データの高温保持特性を改善した半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリは、メモリセルアレイの選択されたメモリセルを消去する消去手段を含み、消去手段はさらに、選択されたメモリセルの消去動作を開始する前に、監視用メモリセルに監視用消去パルスを印加する印加手段と、監視用消去パルスが印加された監視用メモリセルのベリファイを行うベリファイ手段と、ベリファイ手段のベリファイ結果に基づきISPE条件を決定する決定手段とを含む。消去手段は、決定されたISPE条件に従いメモリセルを消去する。【選択図】図6

8. 发明专利

JP2017130243A 半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP2017130243A
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：JP2016007261
申请日：2016-01-18
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：須藤直昭
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/02 , G11C16/06
CPC分类号： G11C16/26 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3427 , G11C7/02 , G11C7/106 , G11C7/1087 , G11C7/18 , G11C2207/002 , G11C2207/005
摘要：【課題】 FGカップリングによる影響を抑制した信頼性の高いNAND型フラッシュメモリを提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリは、複数のNANDストリングが形成されたメモリアレイと、メモリアレイの行を選択する行選択手段と、選択された行の偶数ページまたは奇数ページを選択するビット線選択回路200とを含む。偶数ページ(BL0、BL1、BL4、BL5)は、隣接する一対のビット線の複数対から構成され、奇数ページ(BL2、BL3、BL6、BL7)は、隣接する一対のビット線の複数対から構成され、偶数ページのビット線対と奇数ページのビット線対とが交互に配置される。【選択図】図7

9. 发明专利

JP5940705B1 半導体記憶装置有权
标题翻译：一种半导体存储器件
公开(公告)号：JP5940705B1
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：JP2015065425
申请日：2015-03-27
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：須藤直昭
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/02
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/3427 , G11C7/1006
摘要：【課題】パーシャルページプログラムとデータスクランブルとを両立し、信頼性を向上させるフラッシュメモリを提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリにおいて、同一ページにn回連続してデータをプログラムする場合、入力されたアドレス情報に基づき選択されたページにデータをプログラムするときの記憶位置を示す位置情報と当該位置情報により規定される記憶領域がプログラムされたものであること識別するフラグ情報とを生成し、スクランブルされたデータ、位置情報およびフラグ情報をメモリアレイの選択されたページにプログラムする。【選択図】図8
摘要翻译：兼容的和部分页程序和数据加扰，以提供一个闪速存储器，以提高可靠性。在闪存中的本发明中，在同一页上连续n次编程数据时，指示基于输入地址信息的数据到所选择的页编程时的存储位置的位置信息和产生的是什么被编程用于识别由所述位置信息定义的存储区域中的标志信息，所述加扰数据，所述位置信息和所述标记信息到所述存储器阵列的所选页面进行编程。点域8

10. 发明专利

JP2021140841A 半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP2021140841A
公开(公告)日：2021-09-16
申请号：JP2020035985
申请日：2020-03-03
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：須藤直昭
IPC分类号： G11C16/30 , G11C5/14
摘要：【課題】ディープパワーダウンモードを解除するための専用のコマンドを必要とすることなくディープパワーダウンモードからの復帰時間を短縮する半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリ100は、外部電源電圧VCCによって動作される標準コマンドI/F回路110およびDPDコントローラ120と、外部電源電圧VCCから第1の電流経路を介して電力を供給される電圧供給ノードINTVDDと、外部電源電圧VCCから第2の電流経路を介して電力を供給される電圧供給ノードINTVDDCPと、電圧供給ノードINTVDDに接続された内部回路グループ140〜170と、電圧供給ノードINTVDDCPに接続されたチャージポンプ回路180とを含む。DPDモードが解除されたとき、チャージポンプ回路180をイネーブルした後に、内部回路グループ140〜170をイネーブルする。【選択図】図3

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