专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP5175152B2 Mems sensors 有权
公开(公告)号：JP5175152B2
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：JP2008242020
申请日：2008-09-22
申请人：アルプス電気株式会社
发明人：清佐藤 , 潔小林 , 宜隆宇都 , 勝也菊入 , 一好高橋 , 潤鈴木 , 英紀牛膓
IPC分类号： B81B3/00 , H01L23/02

2. 发明专利

JP5314979B2 Mems sensors 有权
公开(公告)号：JP5314979B2
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：JP2008242026
申请日：2008-09-22
申请人：アルプス電気株式会社
发明人：清佐藤 , 勝也菊入 , 潔小林 , 宜隆宇都
IPC分类号： G01P15/125 , G01P15/08 , H01L29/84
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a MEMS sensor having a thin shape as a whole, and a high sealing degree of the inside, capable of securing an operation margin of a movable electrode portion. SOLUTION: A functional layer 10 has a fixed electrode portion, the movable electrode portion and a frame body layer 25 separated from a silicon wafer. A conductive supporting portion 12 of the fixed electrode portion, a conductive supporting portion 17 of the movable electrode portion, the frame body part 25, and the first substrate 1 are fixed by the first insulating layers 3a, 3b, 3c. In the functional layer 10, a surface on the Z2 side is retreated as long as a distance T2 on a portion excluding the conductive supporting portions 12, 17 and the frame body layer 25. The conductive supporting portions 12, 17 and the frame body layer 25 are bonded to the surface 101 of an IC package 100 by eutectic bonding or diffusion bonding of a metal. In addition, a metal seal layer 45 is formed by eutectic bonding or diffusion bonding. A movable margin of a movable part such as a weight part 20 of the movable electrode portion can be secured by the retreating distance T2. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

3. 发明专利

JP5191927B2 Mems sensor and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5191927B2
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：JP2009044669
申请日：2009-02-26
申请人：アルプス電気株式会社
发明人：潔小林 , 宜隆宇都 , 一好高橋 , 潤鈴木 , 勝也菊入
IPC分类号： G01P15/08 , G01P15/125 , G01P15/18 , H01L23/02 , H01L29/84
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a MEMS sensor detecting especially a bonding state of a sealing part simply and properly, and to provide a method for manufacturing the sensor. SOLUTION: The sealing part 8 for sealing a periphery of sensor domains 15-17 is provided between a sensor unit 20 and a cap member 4. The sealing part 8 is formed by eutectic bonding or diffusion bonding of a first metal layer provided on the sensor unit 20 side and a second metal layer provided on the cap member 4 side. A bonding determination monitor part 55 capable of detecting a bonding state of the sealing part 8 is constituted by extracting the second metal layer to an exposed surface of the cap member 4 projecting to the outside of the sensor unit 20. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

4. 发明专利

JPWO2010032821A1 ＭＥＭＳセンサ有权
公开(公告)号：JPWO2010032821A1
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：JP2010529807
申请日：2009-09-18
申请人：アルプス電気株式会社
发明人：小林　潔 , 潔小林 , 宜隆宇都 , 宜隆宇都 , 一好高橋 , 一好高橋 , 鈴木　潤 , 潤鈴木 , 高橋　亨 , 亨高橋
IPC分类号： B81B3/00 , G01P15/125 , H01L29/84
CPC分类号： G01C19/5719 , B81B7/007 , B81B2203/0307 , B81B2207/092 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/082 , G01P2015/084
摘要：【課題】特に、従来に比べて、安定した支持導通部と配線基板間の接合構造を得ることが出来るMEMSセンサを提供することを目的としている。【解決手段】支持導通部(接合層)12は、酸化絶縁層3aに固定支持される。酸化絶縁層3aの幅寸法T10は、支持導通部12の幅寸法T11よりも狭い。支持導通部12の表面12bには第1の接続金属層41が形成される。配線基板側には第2の接続金属層31が形成され、各接続金属層31,41間が接合される。第1の接続金属層41の幅寸法T12は、第2の接続金属層31の幅寸法T13及び酸化絶縁層3aの幅寸法T10より小さくなっている。【選択図】図5

5. 发明专利

JP5627669B2 ＭＥＭＳセンサ有权
标题翻译： MEMS传感器
公开(公告)号：JP5627669B2
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：JP2012504402
申请日：2011-02-24
申请人：アルプス電気株式会社
发明人：亨宮武 , 亨宮武 , 俊宏小林 , 俊宏小林 , 宜隆宇都 , 宜隆宇都 , 矢澤　久幸 , 久幸矢澤 , 高橋　亨 , 亨高橋
IPC分类号： B81B3/00 , G01P15/08 , G01P15/125 , H01L23/02 , H01L29/84
CPC分类号： H01L23/10 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/035 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

JPWO2012014792A1 物理量センサ及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2012014792A1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：JP2012526464
申请日：2011-07-22
申请人：アルプス電気株式会社
发明人：宜隆宇都 , 宜隆宇都 , 亨宮武 , 亨宮武 , 高橋　亨 , 亨高橋 , 俊宏小林 , 俊宏小林 , 千秋解良 , 千秋解良 , 矢澤　久幸 , 久幸矢澤 , 尚信大川 , 尚信大川
IPC分类号： G01P15/08 , G01C19/5733 , G01P15/125 , H01L29/84
CPC分类号： H01L23/10 , B81B2207/07 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , B81C2203/035 , G01C19/5733 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H01L21/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：【課題】特に、気密性と電気的安定性の双方に優れた物理量センサを提供することを目的としている。【解決手段】センサ基板26の枠体部8の裏面8aには、枠状で形成された第1の封止層56と、第1の封止層56から分離され、機能部材9及び絶縁層25を貫いて、機能部材9及び第1の基材10に電気的に接続される第1のコンタクト層57とが形成される。配線基板30の表面には第1の封止層と対向する位置に形成された第2の封止層65と、第2の封止層65から分離され、絶縁層30bを貫いて第2の基材30aに電気的に接続される第2のコンタクト層66とが形成される。各封止層56,65が共晶接合される。各コンタクト層57,66が電気的に接続されて、第1の基材10、第2の基材30a及び枠体部8が同電位とされている。【選択図】図6

7. 发明专利

JP5223003B2 Physical quantity sensor 有权
公开(公告)号：JP5223003B2
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：JP2011518374
申请日：2010-05-18
申请人：アルプス電気株式会社
发明人：亨宮武 , 亨高橋 , 尚信大川 , 勝也菊入 , 久幸矢澤 , 俊宏小林 , 宜隆宇都
IPC分类号： G01P15/125 , H01L29/84
CPC分类号： G01P15/08 , B81B3/001 , B81B3/0021 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0837 , G01P2015/0871

8. 发明专利

JPWO2010140468A1 物理量センサ有权
公开(公告)号：JPWO2010140468A1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：JP2011518374
申请日：2010-05-18
申请人：アルプス電気株式会社
发明人：亨宮武 , 亨宮武 , 高橋　亨 , 亨高橋 , 尚信大川 , 尚信大川 , 菊入　勝也 , 勝也菊入 , 矢澤　久幸 , 久幸矢澤 , 俊宏小林 , 俊宏小林 , 宜隆宇都 , 宜隆宇都
IPC分类号： G01P15/125 , H01L29/84
CPC分类号： G01P15/08 , B81B3/001 , B81B3/0021 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0837 , G01P2015/0871
摘要：【課題】センサ感度に優れ、且つ耐スティッキング性に優れた物理量センサを提供することを目的としている。【解決手段】固定支持されるアンカ部5〜7と、高さ方向に変位する可動部2と、アンカ部と可動部とに回動自在に連結された支持部3,4と、可動部の変位を検知するための検知部とを有している。支持部3,4は、アンカ部と可動部2間を連結する第1連結腕3a,4aと、アンカ部から第1連結腕とは逆方向に延び、支持部3,4が回動して可動部2が高さ方向に変位したときに可動部2の変位方向に対し逆方向に変位する脚部3b,4bとを有して構成される。脚部3b,4bが可動部2の変位方向に対し逆方向に変位したときに、脚部の先端部が当接可能な位置にストッパ面が設けられており、脚部の先端部がストッパ面に当接することで、可動部2の変位が抑制される。【選択図】図4

9. 发明专利

JP5442277B2 Mems sensor and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5442277B2
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：JP2009044694
申请日：2009-02-26
申请人：アルプス電気株式会社
发明人：潔小林 , 宜隆宇都 , 一好高橋 , 潤鈴木 , 清佐藤 , 勝也菊入
IPC分类号： H01L29/84 , G01P15/125 , H01L23/02

10. 发明专利

JPWO2011111541A1 ＭＥＭＳセンサ有权
公开(公告)号：JPWO2011111541A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：JP2012504402
申请日：2011-02-24
申请人：アルプス電気株式会社
发明人：亨宮武 , 亨宮武 , 俊宏小林 , 俊宏小林 , 宜隆宇都 , 宜隆宇都 , 矢澤　久幸 , 久幸矢澤 , 高橋　亨 , 亨高橋
IPC分类号： B81B3/00 , G01P15/08 , G01P15/125 , H01L23/02 , H01L29/84
CPC分类号： H01L23/10 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/035 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：【課題】特に、封止接合部のAl−Ge共晶接合界面での接合強度及び封止気密性を向上させることが可能なMEMSセンサを提供することを目的としている。【解決手段】第1基材と、第2基材と、前記第1基材と前記第2基材間に位置し、前記第1基材側に形成された第1の接続金属層と前記第2基材側に形成された第2の接続金属層とを共晶接合してなる封止接合部と、を有して構成され、前記封止接合部50は、前記第1基材側から前記第2基材側にかけて、Ti層52、Ta層53、AlあるいはAl合金で形成された前記第1の接続金属層54、及び、Geで形成された前記第2の接続金属層55の順に積層されている。【選択図】図2

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式