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1. 发明申请

WO2009140676A2 COMPOSITIONS AND METHODS FOR INHIBITION OF RETROVIRUSES 审中-公开
标题翻译：用于抑制肝炎病毒的组合物和方法
公开(公告)号：WO2009140676A2
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：PCT/US2009/044339
申请日：2009-05-18
申请人： IMMUNE DISEASE INSTITUTE, INC. , DANA-FARBER CANCER INSTITUTE, INC. , YAN, Nan , ENGELMAN, Alan , LIEBERMAN, Judy
发明人： YAN, Nan , ENGELMAN, Alan , LIEBERMAN, Judy
IPC分类号： A61K39/395 , A61K48/00 , A61P31/18 , A61K31/7105
CPC分类号： A61K31/00 , A61K31/7105 , C12N2740/16011
摘要： Described herein are methods and compositions for the inhibition of retroviral integration and replication. The methods and compositions inhibit the activity of one or more components of the SET complex or base excision repair enzymes and induce autointegration of retroviral double-stranded nucleic acid.
摘要翻译：本文描述了用于抑制逆转录病毒整合和复制的方法和组合物。方法和组合物抑制SET复合物或碱基切除修复酶的一种或多种组分的活性并诱导逆转录病毒双链核酸的自动整合。

2. 发明申请

WO2009140676A3 COMPOSITIONS AND METHODS FOR INHIBITION OF RETROVIRUSES 审中-公开
标题翻译：用于抑制肝炎病毒的组合物和方法
公开(公告)号：WO2009140676A3
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/US2009044339
申请日：2009-05-18
申请人： IMMUNE DISEASE INST INC , DANA FARBER CANCER INST INC , YAN NAN , ENGELMAN ALAN , LIEBERMAN JUDY
发明人： YAN NAN , ENGELMAN ALAN , LIEBERMAN JUDY
IPC分类号： A61K39/395 , A61K31/00 , A61K31/7105 , A61K38/17 , A61K48/00 , A61P31/18
CPC分类号： A61K31/00 , A61K31/7105 , C12N2740/16011
摘要： Described herein are methods and compositions for the inhibition of retroviral integration and replication. The methods and compositions inhibit the activity of one or more components of the SET complex or base excision repair enzymes and induce autointegration of retroviral double-stranded nucleic acid.
摘要翻译：本文描述的是用于抑制逆转录病毒整合和复制的方法和组合物。方法和组合物抑制SET复合物或碱基切除修复酶的一种或多种组分的活性并诱导逆转录病毒双链核酸的自动整合。

3. 发明授权

US07772650B2 Layout structure of electrostatic discharge protection circuit 有权
标题翻译：静电放电保护电路的布局结构
公开(公告)号：US07772650B2
公开(公告)日：2010-08-10
申请号：US11558446
申请日：2006-11-10
申请人： Hsueh-Li Chiang , Yan-Nan Li
发明人： Hsueh-Li Chiang , Yan-Nan Li
IPC分类号： H01L23/62
CPC分类号： H01L27/0251
摘要： A layout structure of an electrostatic discharge protection circuit and a fabrication process thereof are provided. The electrostatic discharge protection circuit includes a substrate, a protection element and a resistor, wherein a part of or all of the area of the resistor is disposed in the region of the protection element, which saves the footprint of the resistor and reduces a junction parasitic capacitance formed in the protection element. Thus, the production cost of the electrostatic discharge protection circuit is reduced, and the influence of the electrostatic discharge protection circuit on the property of the entire internal circuit is minimized.
摘要翻译：提供了静电放电保护电路的布局结构及其制造工艺。静电放电保护电路包括衬底，保护元件和电阻器，其中电阻器的一部分或全部区域设置在保护元件的区域中，这节省了电阻器的覆盖区域并且减少了结的寄生在保护元件中形成的电容。因此，静电放电保护电路的制造成本降低，并且使静电放电保护电路对整个内部电路的性能的影响最小化。

4. 发明申请

US20080067598A1 LAYOUT STRUCTURE OF ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION CIRCUIT AND PRODUCTION METHOD THEREOF 有权
标题翻译：静电放电保护电路布置结构及其生产方法
公开(公告)号：US20080067598A1
公开(公告)日：2008-03-20
申请号：US11558446
申请日：2006-11-10
申请人： Hsueh-Li Chiang , Yan-Nan Li
发明人： Hsueh-Li Chiang , Yan-Nan Li
IPC分类号： H01L23/62 , H02H3/20
CPC分类号： H01L27/0251
摘要： A layout structure of an electrostatic discharge protection circuit and a fabrication process thereof are provided. The electrostatic discharge protection circuit includes a substrate, a protection element and a resistor, wherein a part of or all of the area of the resistor is disposed in the region of the protection element, which saves the footprint of the resistor and reduces a junction parasitic capacitance formed in the protection element. Thus, the production cost of the electrostatic discharge protection circuit is reduced, and the influence of the electrostatic discharge protection circuit on the property of the entire internal circuit is minimized.
摘要翻译：提供了静电放电保护电路的布局结构及其制造工艺。静电放电保护电路包括衬底，保护元件和电阻器，其中电阻器的一部分或全部区域设置在保护元件的区域中，这节省了电阻器的覆盖区域并且减少了结的寄生在保护元件中形成的电容。因此，静电放电保护电路的制造成本降低，并且使静电放电保护电路对整个内部电路的性能的影响最小化。

5. 发明申请

US20070081282A1 ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION APPARATUS FOR PROGRAMMABLE DEVICE 审中-公开
标题翻译：用于可编程器件的静电放电（ESD）保护装置
公开(公告)号：US20070081282A1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：US11308310
申请日：2006-03-16
申请人： Yan-Nan Li , Chyh-Yih Chang , Chun-Ming Wu , Chin-Huang Lai , Wen-Pin Chou
发明人： Yan-Nan Li , Chyh-Yih Chang , Chun-Ming Wu , Chin-Huang Lai , Wen-Pin Chou
IPC分类号： H02H9/00
CPC分类号： G11C17/18 , H01L27/0248
摘要： An electrostatic discharge (ESD) protection apparatus for programmable device is provided. This ESD protection device provides a high impedance along the electrical path from the pad to the power system for preventing the programmable device from damages induced by ESD event; and the impedance can be intentionally decreased during the normal reading and writing operations.
摘要翻译：提供了一种用于可编程器件的静电放电（ESD）保护装置。该ESD保护装置沿着从焊盘到电力系统的电路径提供高阻抗，以防止可编程装置由ESD事件引起的损害; 并且在正常的读取和写入操作期间可以有意地减小阻抗。

6. 发明申请

US20120081821A1 ESD Protection Device for Multi-Voltage System 审中-公开
标题翻译：多电压系统ESD保护装置
公开(公告)号：US20120081821A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：US13237935
申请日：2011-09-21
申请人： Yan-Nan Li
发明人： Yan-Nan Li
IPC分类号： H02H9/00
CPC分类号： H02H9/046
摘要： An ESD protection device for a multi-voltage system includes a first circuit block, a second circuit block, a first power clamp circuit and a second power clamp circuit. The first and second circuit blocks respectively operate at a first power voltage and a second power voltage smaller than the first power voltage. The first power clamp circuit, coupled to the first circuit block, has a breakdown voltage between the first and second power voltages and a holding voltage greater than or equal to the first power voltage. The second power clamp circuit is smacked on the first power clamp circuit and coupled to the second circuit block. A total breakdown voltage of the first and second power clamp circuits is greater than the second power voltage, and a total holding voltage of the first and second power clamp circuits is greater than or equal to the second power voltage.
摘要翻译：用于多电压系统的ESD保护装置包括第一电路块，第二电路块，第一功率钳位电路和第二功率钳位电路。第一和第二电路块分别在小于第一电源电压的第一电源电压和第二电源电压下工作。耦合到第一电路块的第一功率钳位电路具有第一和第二电源电压之间的击穿电压和大于或等于第一电源电压的保持电压。第二功率钳位电路在第一功率钳位电路上被击穿并耦合到第二电路块。第一和第二功率钳位电路的总击穿电压大于第二电源电压，并且第一和第二功率钳位电路的总保持电压大于或等于第二电源电压。

7. 发明申请

US20070053121A1 ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION APPARATUS FOR PROGRAMMABLE DEVICE 审中-公开
标题翻译：用于可编程器件的静电放电（ESD）保护装置
公开(公告)号：US20070053121A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：US11308509
申请日：2006-03-31
申请人： Chyh-Yih Chang , Yan-Nan Li , Kun-Tai Wu
发明人： Chyh-Yih Chang , Yan-Nan Li , Kun-Tai Wu
IPC分类号： H02H9/00
CPC分类号： H02H9/046
摘要： An electronic static discharge (ESD) protection apparatus for a programmable device is provided. The apparatus can improve the turn-on efficiency and reduce the surface area of the chip efficiently by providing a low impedance current path which can sufficiently lower the voltage of the programmable device when ESD occurs. The ESD protection apparatus includes an ESD protection device, a programmable device, a first circuit, a second circuit, and a third circuit.
摘要翻译：提供了一种用于可编程器件的电子静电放电（ESD）保护装置。该装置可以通过提供低阻抗电流路径来有效地提高开启效率并降低芯片的表面积，这可以在ESD发生时充分降低可编程器件的电压。 ESD保护装置包括ESD保护装置，可编程装置，第一电路，第二电路和第三电路。

8. 发明授权

US07919821B2 Method and integrated circuits capable of saving layout areas 有权
标题翻译：方法和集成电路能够节省布局面积
公开(公告)号：US07919821B2
公开(公告)日：2011-04-05
申请号：US12100394
申请日：2008-04-09
申请人： Yan-Nan Li , Hsueh-Li Chiang
发明人： Yan-Nan Li , Hsueh-Li Chiang
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/49 , H01L29/92
CPC分类号： H01L27/0285
摘要： An integrated circuit includes a diffusion layer, a first poly-silicon layer, and a second poly-silicon layer. The first poly-silicon layer is located on the diffusion layer to form a transistor. The second poly-silicon includes a first section and a second section. The first section of the second poly-silicon layer is located on the first poly-silicon layer to form a capacitor. The second section of the second poly-silicon layer is located on the diffusion layer to form a resistor.
摘要翻译：集成电路包括扩散层，第一多晶硅层和第二多晶硅层。第一多晶硅层位于扩散层上以形成晶体管。第二多晶硅包括第一部分和第二部分。第二多晶硅层的第一部分位于第一多晶硅层上以形成电容器。第二多晶硅层的第二部分位于扩散层上以形成电阻。

9. 发明申请

US20090179271A1 METHOD AND INTEGRATED CIRCUITS CAPABLE OF SAVING LAYOUT AREAS 有权
标题翻译：方法和集成电路可以节省布局面积
公开(公告)号：US20090179271A1
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：US12100394
申请日：2008-04-09
申请人： Yan-Nan Li , Hsueh-Li Chiang
发明人： Yan-Nan Li , Hsueh-Li Chiang
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/0285
摘要： An integrated circuit includes a diffusion layer, a first poly-silicon layer, and a second poly-silicon layer. The first poly-silicon layer is located on the diffusion layer to form a transistor. The second poly-silicon includes a first section and a second section. The first section of the second poly-silicon layer is located on the first poly-silicon layer to form a capacitor. The second section of the second poly-silicon layer is located on the diffusion layer to form a resistor.
摘要翻译：集成电路包括扩散层，第一多晶硅层和第二多晶硅层。第一多晶硅层位于扩散层上以形成晶体管。第二多晶硅包括第一部分和第二部分。第二多晶硅层的第一部分位于第一多晶硅层上以形成电容器。第二多晶硅层的第二部分位于扩散层上以形成电阻。

10. 发明申请

US20070120146A1 DIFFERENTIAL INPUT/OUTPUT DEVICE INCLUDING ELECTRO STATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：差分输入/输出装置，包括电子静电放电（ESD）保护电路
公开(公告)号：US20070120146A1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：US11307071
申请日：2006-01-23
申请人： Chyh-Yih Chang , Yan-Nan Li
发明人： Chyh-Yih Chang , Yan-Nan Li
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L27/0266 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A differential input/output device including an electro static discharge protection circuit is provided. The differential input/output device includes a P-type differential pair. The P-type differential pair includes two P-type transistors. The gate of each P-type transistor is coupled to an N-type transistor to protect the P-type transistor when CDM ESD occurs. Compared with the conventional technology, the protection device of the present invention provides a lower impedance current path when CDM ESD occurs in the input device.
摘要翻译：提供了包括静电放电保护电路的差分输入/输出装置。差分输入/输出装置包括P型差分对。 P型差分对包括两个P型晶体管。每个P型晶体管的栅极耦合到N型晶体管，以在CDM ESD发生时保护P型晶体管。与传统技术相比，本发明的保护装置在输入装置中发生CDM ESD时提供较低的阻抗电流路径。

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