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    • 3. 发明授权
    • Magnetic memory devices
    • 磁存储器件
    • US09276198B2
    • 2016-03-01
    • US13967340
    • 2013-08-14
    • Woo Chang LimSangyong KimWhankyun KimSang Hwan ParkJeongheon Park
    • Woo Chang LimSangyong KimWhankyun KimSang Hwan ParkJeongheon Park
    • H01L43/08G11C11/16
    • H01L43/08G11C11/161G11C11/1659
    • A magnetic memory device according to embodiments includes a first reference magnetic layer on a substrate, a second reference magnetic layer on the first reference magnetic layer, a free layer between the first reference magnetic layer and the second reference magnetic layer, a first tunnel barrier layer between the first reference magnetic layer and the free layer, and a second tunnel barrier layer between the second reference magnetic layer and the free layer. The first reference magnetic, second reference magnetic and free layers each have a magnetization direction substantially perpendicular to a top surface of the substrate. A resistance-area product (RA) value of the first tunnel barrier layer is greater than that of the second tunnel barrier layer.
    • 根据实施例的磁存储器件包括衬底上的第一参考磁性层,第一参考磁性层上的第二参考磁性层,第一参考磁性层和第二参考磁性层之间的自由层,第一隧道势垒层 在第一参考磁性层和自由层之间,以及在第二参考磁性层和自由层之间的第二隧道势垒层。 第一参考磁性,第二参考磁性和自由层各自具有基本上垂直于衬底顶表面的磁化方向。 第一隧道势垒层的电阻面积乘积(RA)值大于第二隧道势垒层的电阻面积积(RA)值。