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1. 发明申请

US20120280362A1 SIMPLE ROUTE FOR ALKALI METAL INCORPORATION IN SOLUTION-PROCESSED CRYSTALLINE SEMICONDUCTORS 审中-公开
标题翻译：解决方案处理晶体半导体中碱金属的简单路径
公开(公告)号：US20120280362A1
公开(公告)日：2012-11-08
申请号：US13516997
申请日：2010-12-20
申请人： Yang Yang , Wei-Jen Hou , Sheng-Han Li , Chun-Chih Tung
发明人： Yang Yang , Wei-Jen Hou , Sheng-Han Li , Chun-Chih Tung
IPC分类号： H01B1/10 , H01L29/12 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02551 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/0725 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541
摘要： A precursor solution for producing a semiconductor includes at least one of an alkali metal or an alkali metal compound dissolved in a solvent, and a metal chalcogenide dissolved in the solvent. A method of producing a precursor solution for a semiconductor includes preparing a first precursor solution that has at least one of an alkali metal or an alkali metal compound dissolved in a first solvent, preparing a second precursor solution that has a metal chalcogenide dissolved in a second solvent, and combining the first and second precursor solutions to obtain the precursor solution for producing the semiconductor. A method of producing a semiconductor device includes providing a precursor solution for producing a semiconductor layer on a substructure, and forming a layer of the precursor solution on the substructure. The precursor solution includes at least one of an alkali metal or an alkali metal compound dissolved in a solvent, and a metal chalcogenide dissolved in the solvent.
摘要翻译：用于制造半导体的前体溶液包括溶解在溶剂中的碱金属或碱金属化合物和溶解在溶剂中的金属硫族化物中的至少一种。制备半导体前体溶液的方法包括制备具有溶解在第一溶剂中的碱金属或碱金属化合物中的至少一种的第一前体溶液，制备在第二溶剂中溶解有金属硫族化物的第二前体溶液溶剂，并且将第一和第二前体溶液组合以获得用于制备半导体的前体溶液。制造半导体器件的方法包括提供用于在子结构上制造半导体层的前体溶液，以及在子结构上形成前体溶液层。前体溶液包括溶解在溶剂中的碱金属或碱金属化合物和溶解在溶剂中的金属硫族化物中的至少一种。

2. 发明授权

US09190543B2 Solution-processed inorganic photo-voltaic devices and methods of production 有权
标题翻译：溶液处理无机光电装置及生产方法
公开(公告)号：US09190543B2
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：US13376118
申请日：2010-06-04
申请人： Yang Yang , Wei-Jen Hou , Bao Lei , Shenghan Li
发明人： Yang Yang , Wei-Jen Hou , Bao Lei , Shenghan Li
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , C23C18/12 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/0725 , H01L31/0749 , H01L31/0272 , H01L31/036
CPC分类号： H01L31/0322 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1291 , H01L31/022425 , H01L31/03923 , H01L31/0725 , H01L31/0749 , Y02E10/52 , Y02E10/541
摘要： Methods of producing photo-voltaic devices include spray coating deposition of metal chalcogenides, contact lithographic methods and/or metal ion injection. Photo-voltaic devices include devices made by the methods, tandem photo-voltaic devices and bulk junction photovoltaic devices.
摘要翻译：制造光电装置的方法包括金属硫族化物的喷涂沉积，接触光刻方法和/或金属离子注入。光伏器件包括通过方法制造的器件，串联光伏器件和体结光伏器件。

3. 发明申请

US20120073622A1 SOLUTION-PROCESSED INORGANIC PHOTO-VOLTAIC DEVICES AND METHODS OF PRODUCTION 有权
标题翻译：解决方案的无机照相装置及其生产方法
公开(公告)号：US20120073622A1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：US13376118
申请日：2010-06-04
申请人： Yang Yang , Wei-Jen Hou , Bao Lei , Shenghan Li
发明人： Yang Yang , Wei-Jen Hou , Bao Lei , Shenghan Li
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/02 , H01L31/18 , H01L31/0264
CPC分类号： H01L31/0322 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1291 , H01L31/022425 , H01L31/03923 , H01L31/0725 , H01L31/0749 , Y02E10/52 , Y02E10/541
摘要： Methods of producing photo-voltaic devices include spray coating deposition of metal chalcogenides, contact lithographic methods and/or metal ion injection. Photo-voltaic devices include devices made by the methods, tandem photo-voltaic devices and bulk junction photovoltaic devices.
摘要翻译：制造光电装置的方法包括金属硫族化物的喷涂沉积，接触光刻方法和/或金属离子注入。光伏器件包括通过方法制造的器件，串联光伏器件和体结光伏器件。

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