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1. 发明申请

WO2005091076A2 METHODS FOR MANUFACTURING REFLECTIVE OPTICAL ELEMENTS, REFLECTIVE OPTICAL ELEMENTS, EUV-LITHOGRAPHY APPARATUSES AND METHODS FOR OPERATING OPTICAL ELEMENTS AND EUV-LITHOGRAPHY APPARATUSES, METHODS FOR DETERMINING THE PHASE SHIFT, METHODS FOR DETERMINING THE LAYER THICKNESS, AND APPARATUSES FOR CARRYING OUT THE METHODS 审中-公开
标题翻译：用于制造反射光学元件，反射光学元件，反射光学设备的方法以及用于操作光学元件和非线性光刻设备的方法，用于确定相位移动的方法，用于确定层厚度的方法，以及用于实施方法的装置
公开(公告)号：WO2005091076A2
公开(公告)日：2005-09-29
申请号：PCT/EP2005/050985
申请日：2005-03-04
申请人： CARL ZEISS SMT AG , WEDOWSKI, Marco , SCHOLZE, Frank , TÜMMLER, Johannes
发明人： WEDOWSKI, Marco , SCHOLZE, Frank , TÜMMLER, Johannes
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70958 , G03F7/70591
摘要： The invention relates to a method for manufacturing of a multilayer system (25) with a cap layer system (30), in particular for a reflective optical element for the extreme ultraviolet up to the soft x-ray wavelength range, comprising the steps of: 1. preparing a coating design for the multilayer system (25) with cap layer system (30); 2. coating a substrate (20) with the multilayer system (25) with cap layer system (30); 3. spatially resolved measurement of the coated substrate in terms of reflectance and photoelectron current in at least one surface point; 4. comparison of the measured data with data modelled for different thicknesses of the layers (31, 32, 33) of the cap layer system (30) and/or the layers (21, 22, 23, 24) of the multilayer system (25) for determining of the thickness distribution obtained by the coating; 5. if necessary, adjusting of the coating parameters and repeating steps 2 to 5 until the coated thickness distribution coincides with the design. The invention also relates to further manufacturing methods, reflective optical elements, EUV-lithography apparatuses, and methods for operating optical elements and EUV-lithography apparatuses as well as methods for determining the phase shift, methods for determining the layer thickness, and apparatuses for carrying out the methods.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造具有盖层系统（30）的多层系统（25）的方法，特别是用于直到软x射线波长范围的极紫外线的反射光学元件，包括以下步骤： 1.制备具有盖层系统（30）的多层系统（25）的涂层设计; 用盖层系统（30）用多层系统（25）涂覆基底（20）; 3.在至少一个表面点的反射率和光电子电流方面，对涂覆的基底进行空间分辨测量; 4.测量数据与盖层系统（30）的层（31,32,33）和/或多层系统的层（21,22,23,24）的不同厚度建模的数据的比较（ 25），用于确定由涂层获得的厚度分布; 5.如果需要，调整涂层参数并重复步骤2至5，直到涂层厚度分布与设计一致。本发明还涉及进一步的制造方法，反射光学元件，EUV光刻设备以及用于操作光学元件和EUV光刻设备的方法以及用于确定相移的方法，用于确定层厚度的方法以及用于承载的装置出来的方法。

2. 发明申请

WO2004099878A3 METHOD FOR PREVENTING CONTAMINATION AND LITHOGRAPHIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：程序以防止污染和EUV光刻设备
公开(公告)号：WO2004099878A3
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：PCT/EP2004004824
申请日：2004-05-06
申请人： ZEISS CARL SMT AG , WEISS MARKUS , WEDOWSKI MARCO , MERTENS BAS M , WOLSCHRIJN BAS T , VAN MIERLO BART H A M , KOSTER NORBERT B , VAN ELP JAN , DUISTERWINKEL ANTON E , VAN DE RUNSTRAAT ANNEMIEKE
发明人： WEISS MARKUS , WEDOWSKI MARCO , MERTENS BAS M , WOLSCHRIJN BAS T , VAN MIERLO BART H A M , KOSTER NORBERT B , VAN ELP JAN , DUISTERWINKEL ANTON E , VAN DE RUNSTRAAT ANNEMIEKE
IPC分类号： G03F7/20 , G21K1/06
CPC分类号： G03F7/70983 , G03F7/70916 , G21K1/06
摘要： The invention relates to a method for preventing contamination of the surfaces of reflective optical elements for the soft X-ray and EUV wavelength range during their irradiation at operating wavelength in an evacuated closed system having a residual gas atmosphere, said elements comprising a cover layer consisting of at least one transition metal. According to said method a residual gas atmosphere is adjusted. The aim of the invention is to prevent a degradation of the surfaces by deposition of carbon and by surface oxidation. For this purpose, both a reducing gas or gas mixture and a gas or gas mixture containing oxygen atoms are introduced. In conjunction with the cover layer of the reflective optical element that consists of a transition metal a degradation of the surface is effectively prevented.
摘要翻译：本发明涉及在具有一个封闭系统中，工作波长在真空中，残余气体环境的照射期间防止了软X射线和极紫外波长范围内的至少一种过渡金属的覆盖层的反射光学元件的表面受到污染的方法，其中一定的残余气体气氛设置。由碳和表面氧化的两个存款可以避免表面的降解，本发明提出，这两个还原气体或气体混合物和表现出的气体或气体混合物的氧原子可被启动。在与反射光学元件的顶层连接由过渡金属的，表面的劣化有效地防止。

3. 发明申请

WO2003096356A2 REFLEKTIVES RÖNTGENMIKROSKOP UND INSPEKTIONSSYSTEM ZUR UNTERSUCHUNG VON OBJEKTEN MIT WELLENLÄNGEN ≤ 100NM 审中-公开
标题翻译：对于对象随波长<= 100NM调查反射X显微镜和检查系统
公开(公告)号：WO2003096356A2
公开(公告)日：2003-11-20
申请号：PCT/EP2003/004803
申请日：2003-05-08
申请人： CARL ZEISS SMT AG , CARL ZEISS MICROELECTRONIC SYSTEMS GMBH , MANN, Hans-Jürgen , DINGER, Udo , ULRICH, Wilhelm , REINECKE, Wolfgang , ENGEL, Thomas , ZIBOLD, Axel , HARNISCH, Wolfgang , WEDOWSKI, Marco , PAUSCHINGER, Dieter
发明人： MANN, Hans-Jürgen , DINGER, Udo , ULRICH, Wilhelm , REINECKE, Wolfgang , ENGEL, Thomas , ZIBOLD, Axel , HARNISCH, Wolfgang , WEDOWSKI, Marco , PAUSCHINGER, Dieter
IPC分类号： G21K
CPC分类号： G21K7/00 , B82Y10/00 , G21K1/062
摘要： Die Erfindung betrifft ein reflektives Röntgenmikroskop zur Untersuchung eines Objektes in einer Objektebene, wobei das Objekt mit Strahlung einer Wellenlänge
摘要翻译：本发明涉及一种反射型X射线显微镜用于在物平面检查的对象，其中，与辐射的对象具有一个波长被映射<100纳米，特别是<30nm的照射，并且在图像平面放大，先用设置在从物体平面上的光束路径到像平面子系统包括：第一反射镜和第二反射镜。本发明的特征在于，所述反射X射线显微镜包括在光束路径下游的第二子系统，其包括至少一个第三反射镜的第一子系统。

4. 发明申请

WO2003075098A3 VERMEIDUNG VON KONTAMINATION AUF OPTISCHEN ELEMENTEN UND REINIGUNG DIESER ELEMENTE 审中-公开
公开(公告)号：WO2003075098A3
公开(公告)日：2003-09-12
申请号：PCT/EP2003/002372
申请日：2003-03-07
申请人： CARL ZEISS SMT AG , WEDOWSKI, Marco , STIETZ, Frank , MERTENS, Bas , KLEIN, Roman
发明人： WEDOWSKI, Marco , STIETZ, Frank , MERTENS, Bas , KLEIN, Roman
IPC分类号： G03F7/20
摘要： Es wird ein Verfahren zur Vermeidung von Kontamination auf Oberflächen optischer, ein Vielschichtsystem aufweisender Elemente während ihrer Bestrahlung mit EUV-Strahlung bei Betriebswellenlängen in einem evakuierten, eine Restgasatmosphäre aufweisenden geschlossenen System beschrieben, bei dem der durch Photoemission aus der bestrahlten Oberfläche des Vielschichtsystems erzeugte Photostrom gemessen wird. Der Photostrom wird zur Regelung der Gaszusammensetzung des Restgases eingesetzt, wobei die Gaszusammensetzung in Abhängigkeit von mindestens einem unteren und einem oberen Schwellenwert des Photostroms verändert wird. Es wird auch eine Vorrichtung zur Regelung der Kontamination auf der Oberfläche mindestens eines optischen Elementes während der Bestrahlung sowie eine EUV-Lithographievorrichtung und ein Verfahren zur Reinigung von mit Kohlenstoff kontaminierten Oberflächen von optischen Elementen beschrieben.

5. 发明申请

WO2005091076A3 METHODS FOR MANUFACTURING REFLECTIVE OPTICAL ELEMENTS 审中-公开
标题翻译：制造反射光学元件的方法
公开(公告)号：WO2005091076A3
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：PCT/EP2005050985
申请日：2005-03-04
申请人： ZEISS CARL SMT AG , WEDOWSKI MARCO , SCHOLZE FRANK , TUEMMLER JOHANNES
发明人： WEDOWSKI MARCO , SCHOLZE FRANK , TUEMMLER JOHANNES
IPC分类号： G03F7/20 , G01M11/00
CPC分类号： G03F7/70958 , G03F7/70591
摘要： The invention relates to a method for manufacturing of a multilayer system (25) with a cap layer system (30), in particular for a reflective optical element for the extreme ultraviolet up to the soft x-ray wavelength range, comprising the steps of: 1. preparing a coating design for the multilayer system (25) with cap layer system (30); 2. coating a substrate (20) with the multilayer system (25) with cap layer system (30); 3. spatially resolved measurement of the coated substrate in terms of reflectance and photoelectron current in at least one surface point; 4. comparison of the measured data with data modelled for different thicknesses of the layers (31, 32, 33) of the cap layer system (30) and/or the layers (21, 22, 23, 24) of the multilayer system (25) for determining of the thickness distribution obtained by the coating; 5. if necessary, adjusting of the coating parameters and repeating steps 2 to 5 until the coated thickness distribution coincides with the design. The invention also relates to further manufacturing methods, reflective optical elements, EUV-lithography apparatuses, and methods for operating optical elements and EUV-lithography apparatuses as well as methods for determining the phase shift, methods for determining the layer thickness, and apparatuses for carrying out the methods.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造具有盖层系统（30）的多层系统（25）的方法，特别是用于直到软x射线波长范围的极紫外线的反射光学元件，包括以下步骤： 1.制备具有盖层系统（30）的多层系统（25）的涂层设计; 用盖层系统（30）用多层系统（25）涂覆基底（20）; 3.在至少一个表面点的反射率和光电子电流方面，对涂覆的基底进行空间分辨测量; 4.测量数据与盖层系统（30）的层（31,32,33）和/或多层系统的层（21,22,23,24）的不同厚度建模的数据的比较（ 25），用于确定由涂层获得的厚度分布; 5.如果需要，调整涂层参数并重复步骤2至5，直到涂层厚度分布与设计一致。本发明还涉及进一步的制造方法，反射光学元件，EUV光刻设备以及用于操作光学元件和EUV光刻设备的方法以及用于确定相移的方法，用于确定层厚度的方法以及用于承载的装置出来的方法。

6. 发明申请

WO2004099878A2 VERFAHREN ZUR VERMEIDUNG VON KONTAMINATION UND EUV-LITHOGRAPHIEVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：程序以防止污染和EUV光刻设备
公开(公告)号：WO2004099878A2
公开(公告)日：2004-11-18
申请号：PCT/EP2004/004824
申请日：2004-05-06
申请人： CARL ZEISS SMT AG , WEISS, Markus , WEDOWSKI, Marco , MERTENS, Bas, M. , WOLSCHRIJN, Bas, T. , VAN MIERLO, Bart, H., A., M. , KOSTER, Norbert, B. , VAN ELP, Jan , DUISTERWINKEL, Anton, E. , VAN DE RUNSTRAAT, Annemieke
发明人： WEISS, Markus , WEDOWSKI, Marco , MERTENS, Bas, M. , WOLSCHRIJN, Bas, T. , VAN MIERLO, Bart, H., A., M. , KOSTER, Norbert, B. , VAN ELP, Jan , DUISTERWINKEL, Anton, E. , VAN DE RUNSTRAAT, Annemieke
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70983 , G03F7/70916 , G21K1/06
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Vermeidung von Kontamination der Oberflächen reflektiver optischer Elemente für den weichen Röntgen- und EUV-Wellenlängenbereich mit einer Deckschicht aus mindestens einem Übergangmetall während ihrer Bestrahlung bei Betriebswellenlänge in einem evakuierten, eine Restgasatmosphäre aufweisenden geschlossenen System, bei dem eine bestimmte Restgasatmosphäre eingestellt wird. Um eine Degradation der Oberfläche durch sowohl Ablagerungen von Kohlenstoff als auch Oberflächenoxidation zu vermeiden, wird erfindungsgemäss vorgeschlagen, dass sowohl ein reduzierendes Gas oder Gasgemisch sowie ein Sauerstoffatome aufweisendes Gas oder Gasgemisch eingeleitet werden. In Verbindung mit der Deckschicht des reflektiven optischen Elementes aus einem Übergangsmetall wird eine Degradation der Oberfläche wirksam unterbunden.
摘要翻译：本发明涉及在具有一个封闭系统中，工作波长在真空中，残余气体环境的照射期间防止了软X射线和极紫外波长范围内的至少一种过渡金属的覆盖层的反射光学元件的表面受到污染的方法，其中一定的残余气体气氛设置。由碳和表面氧化的两个存款可以避免表面的降解，本发明提出，这两个还原气体或气体混合物和表现出的气体或气体混合物的氧原子可被启动。在与反射光学元件的顶层连接由过渡金属的，表面的劣化有效地防止。

7. 发明申请

WO2004097467A1 REFLEKTIVES OPTISCHES ELEMENT, OPTISCHES SYSTEM UND EUV-LITHOGRAPHIEVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：反射光学元件，光学系统和EUV光刻设备
公开(公告)号：WO2004097467A1
公开(公告)日：2004-11-11
申请号：PCT/EP2004/004368
申请日：2004-04-26
申请人： CARL ZEISS SMT AG , WEDOWSKI, Marco
发明人： WEDOWSKI, Marco
IPC分类号： G02B5/08
CPC分类号： G02B5/0891 , B82Y10/00 , G02B1/105 , G02B1/14 , G03F7/70958 , G21K1/062
摘要： Zur Erzielung optimaler Reflektivität auf optischen Elementen für den EUV- und weichen Röntgenwellenlängebereich werden aus einer Mehrzahl von Schichten aufgebaute Multilayer eingesetzt. Kontamination bzw. Degradation der Oberfläche führt zu Abbildungsfehlern und Transmissionsverlusten. Bisher wird versucht, einer negativen Veränderung der Oberfläche entgegenzuwirken, indem auf der Oberfläche des reflektiven optischen Elementes ein Deckschichtsystem vorgesehen wird, das die Oberfläche schützen soll. Der vorliegenden Erfindung liegt der Ansatz zugrunde, durch eine gezielte Wahl der Dickenverteilung des Deckschichtsystems, wobei mindestens eine Schicht des Deckschichtsystems einen Gradienten ungleich Null aufweist, den Einfluss der Oberflächendegradation handhabbar zu machen.
摘要翻译：实现对用于EUV和由多个多层的层的软X射线波长范围的光学元件的反射率最佳可以使用。表面的污染或降解导致成像误差和传输损耗。迄今为止，试图抵消由一个层系统在表面的负变化，以保护表面上的反射光学元件的表面上。本发明是基于该层系统的厚度分布的目标的选择方法，该层系统的至少一个层具有梯度等于零，以使表面劣化手柄的影响。

8. 发明申请

WO2003096356A3 REFLEKTIVES RÖNTGENMIKROSKOP UND INSPEKTIONSSYSTEM ZUR UNTERSUCHUNG VON OBJEKTEN MIT WELLENLÄNGEN ≤ 100NM 审中-公开
公开(公告)号：WO2003096356A3
公开(公告)日：2003-11-20
申请号：PCT/EP2003/004803
申请日：2003-05-08
申请人： CARL ZEISS SMT AG , CARL ZEISS MICROELECTRONIC SYSTEMS GMBH , MANN, Hans-Jürgen , DINGER, Udo , ULRICH, Wilhelm , REINECKE, Wolfgang , ENGEL, Thomas , ZIBOLD, Axel , HARNISCH, Wolfgang , WEDOWSKI, Marco , PAUSCHINGER, Dieter
发明人： MANN, Hans-Jürgen , DINGER, Udo , ULRICH, Wilhelm , REINECKE, Wolfgang , ENGEL, Thomas , ZIBOLD, Axel , HARNISCH, Wolfgang , WEDOWSKI, Marco , PAUSCHINGER, Dieter
IPC分类号： G21K7/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein reflektives Röntgenmikroskop zur Untersuchung eines Objektes in einer Objektebene, wobei das Objekt mit Strahlung einer Wellenlänge

9. 发明申请

WO2003032329A1 OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE AS WELL AS LIGHTOGRAPHY APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：光学元件及其制造方法以及用于制造半导体器件的光学设备和方法
公开(公告)号：WO2003032329A1
公开(公告)日：2003-04-17
申请号：PCT/EP2002/011078
申请日：2002-10-02
申请人： CARL ZEISS SEMICONDUCTOR MANUFACTURING TECHNOLOGIES AG , YAKSHIN, Andrey, E. , LOUIS, Eric , BIJKERK, Frederik , WEDOWSKI, Marco , KLEIN, Roman , STIETZ, Frank
发明人： YAKSHIN, Andrey, E. , LOUIS, Eric , BIJKERK, Frederik , WEDOWSKI, Marco , KLEIN, Roman , STIETZ, Frank
IPC分类号： G21K1/06
CPC分类号： B82Y10/00 , G02B5/08 , G02B5/0816 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067 , Y10T428/24942 , Y10T428/2495
摘要： In order to reduce contamination of optical elements which comprise a multilayer system on a substrate, it is proposed that the layer material and/or the layer thickness of at least one layer of the multilayer system are/is selected such that the standing wave which forms during reflection of the irradiated operating wavelength, forms a node of the electrical field intensity (node condition) in the area of the free interface of the multilayer system. Furthermore, a method for determining a design of a multilayer system, as well as a manufacturing process and a lithography apparatus are described.
摘要翻译：为了减少在基板上包含多层体系的光学元件的污染，提出了选择多层体系的至少一层的层材料和/或层厚度，使得形成的驻波在照射的工作波长的反射期间，在多层系统的自由界面的区域中形成电场强度（节点条件）的节点。此外，还描述了一种用于确定多层系统的设计的方法，以及制造工艺和光刻设备。

10. 发明申请

WO2003107096A3 VERFAHREN ZUR FILTERUNG VON STRAHLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2003107096A3
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：PCT/EP2003/006153
申请日：2003-06-12
申请人： CARL ZEISS SMT AG , KLEIN, Roman , WEDOWSKI, Marco
发明人： KLEIN, Roman , WEDOWSKI, Marco
IPC分类号： G03F7/20
摘要： In EUV-Lithographiegeräten werden unerwünschte Strahlungsanteile mittels Absorptionsfilter unterdrückt. Filterinhomogenitäten, d.h. Defekte in Filter selbst oder Kontaminationen auf der Filteroberfläche bzw. Stützstrukturen führen zu Belichtungsfehlern. Um die bei Lithographiegeräten, die nach dem "step and scan"- oder dem "step and repeat"-Prinzip arbeiten, zu vermeiden, wird vorgeschlagen, dass in fester Korrelation zur Bewegung anderer Lithographiekomponenten eine Relativbewegung zwischen Filter und Strahl durchgeführt wird.

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