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1. 发明申请

WO2007117805A3 METHOD OF SEPARATING SEMICONDUCTOR DIES 审中-公开
标题翻译：分离半导体芯片的方法
公开(公告)号：WO2007117805A3
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：PCT/US2007063589
申请日：2007-03-08
申请人： SEMILEDS CORP , CHU CHEN-FU , DOAN TRUNG TRI , CHENG HAO-CHUN , FAN FENG-HSU , WANG FU-HSIEN
发明人： CHU CHEN-FU , DOAN TRUNG TRI , CHENG HAO-CHUN , FAN FENG-HSU , WANG FU-HSIEN
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/44 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/0095
摘要： A method for the separation of multiple dies during semiconductor fabrication is described. On an upper surface of a semiconductor wafer containing multiple dies, metal layers are deposited everywhere except where a block of stop electroplating material exists. The stop electroplating material is obliterated, and a barrier layer is formed above the entire remaining structure. A sacrificial metal element is added above the barrier layer, and then the substrate is removed. After the semiconductor material between the individual dies is eradicated, any desired bonding pads and patterned circuitry are added to the semiconductor surface opposite the sacrificial metal element, a passivation layer is added to this surface, and then the sacrificial metal element is removed. Tape is added to the now exposed barrier layer, the passivation layer is removed, the resulting structure is flipped over, and the tape is expanded to separate the individual dies.
摘要翻译：描述了在半导体制造过程中分离多个管芯的方法。在包含多个管芯的半导体晶片的上表面上，除了存在阻挡电镀材料块的地方之外，金属层被沉积在各处。停止电镀材料被消除，并且在整个剩余结构上方形成阻挡层。在阻挡层上方添加牺牲金属元素，然后除去衬底。在各个裸片之间的半导体材料被消除之后，将任何期望的接合焊盘和图案化电路添加到与牺牲金属元件相对的半导体表面，钝化层被添加到该表面，然后去除牺牲金属元件。将胶带添加到现在暴露的阻挡层中，去除钝化层，翻转所得到的结构，并且将胶带展开以分离各个模具。

2. 发明申请

WO2007117805A2 METHOD OF SEPARATING SEMICONDUCTOR DIES 审中-公开
标题翻译：分离半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2007117805A2
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：PCT/US2007/063589
申请日：2007-03-08
申请人： SEMILEDS CORPORATION , CHU, Chen-Fu , DOAN, Trung, Tri , CHENG, Hao-Chun , FAN, Feng-Hsu , WANG, Fu-Hsien
发明人： CHU, Chen-Fu , DOAN, Trung, Tri , CHENG, Hao-Chun , FAN, Feng-Hsu , WANG, Fu-Hsien
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/0095
摘要： A method for the separation of multiple dies during semiconductor fabrication is described. On an upper surface of a semiconductor wafer containing multiple dies, metal layers are deposited everywhere except where a block of stop electroplating material exists. The stop electroplating material is obliterated, and a barrier layer is formed above the entire remaining structure. A sacrificial metal element is added above the barrier layer, and then the substrate is removed. After the semiconductor material between the individual dies is eradicated, any desired bonding pads and patterned circuitry are added to the semiconductor surface opposite the sacrificial metal element, a passivation layer is added to this surface, and then the sacrificial metal element is removed. Tape is added to the now exposed barrier layer, the passivation layer is removed, the resulting structure is flipped over, and the tape is expanded to separate the individual dies.
摘要翻译：描述了在半导体制造期间分离多个管芯的方法。在包含多个模具的半导体晶片的上表面上，除了存在一块停止电镀材料之外，金属层被沉积到处。停止电镀材料被消除，并且在整个剩余结构上方形成阻挡层。在阻挡层上方添加牺牲金属元素，然后去除衬底。在消除各个管芯之间的半导体材料之后，将任何所需的焊盘和图案化电路添加到与牺牲金属元件相对的半导体表面，将钝化层添加到该表面，然后去除牺牲金属元件。将胶带添加到现在暴露的阻挡层中，去除钝化层，将所得到的结构翻转，并且将带扩展以分离各个模具。

3. 发明专利

TW200837818A 半導體晶片之分離方法 METHOD OF SEPARATING SEMICONDUCTOR DIES 审中-公开
简体标题：半导体芯片之分离方法 METHOD OF SEPARATING SEMICONDUCTOR DIES
公开(公告)号：TW200837818A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW096108272
申请日：2007-03-09
申请人：朱振甫 CHU, CHEN FU , 段忠 DOAN, TRUNG TRI , 鄭好鈞 CHENG, HAO CHUN , 樊旭 FAN, FENG HSU , 王服賢 WANG, FU HSIEN
发明人：朱振甫 CHU, CHEN FU , 段忠 DOAN, TRUNG TRI , 鄭好鈞 CHENG, HAO CHUN , 樊旭 FAN, FENG HSU , 王服賢 WANG, FU HSIEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/0095
摘要：一種在半導體製造過程中分離多晶片的方法。在一含有多重晶片的半導體晶圓上表面上,除了停止電鍍材料所在的區塊處之外,到處皆有金屬層沉積。該停止電鍍材料被消除,且一障壁層在剩餘的全部構造上形成。將一犧牲金屬元件添加在該障壁層上方,接著移除該基板。在除去介於個別晶片之間的半導體材料後,將任何想要的黏合墊和圖案化的電路添加在與犧牲金屬元件相對的半導體表面上,再將一鈍化層添加到該表面上,接著移除該犧牲金屬元件。將膠帶添加到當時露出的該障壁層上,移除該鈍化層,翻轉最後的構造,且擴張該膠帶以分離個別的晶片。
简体摘要：一种在半导体制造过程中分离多芯片的方法。在一含有多重芯片的半导体晶圆上表面上,除了停止电镀材料所在的区块处之外,到处皆有金属层沉积。该停止电镀材料被消除,且一障壁层在剩余的全部构造上形成。将一牺牲金属组件添加在该障壁层上方,接着移除该基板。在除去介于个别芯片之间的半导体材料后,将任何想要的黏合垫和图案化的电路添加在与牺牲金属组件相对的半导体表面上,再将一钝化层添加到该表面上,接着移除该牺牲金属组件。将胶带添加到当时露出的该障壁层上,移除该钝化层,翻转最后的构造,且扩张该胶带以分离个别的芯片。

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