专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2014207014A1 SPIEGEL FÜR EINE MIKROLITHOGRAPHISCHE PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE SOWIE VERFAHREN ZUR BEARBEITUNG EINES SPIEGELS 审中-公开
标题翻译：镜，用于微光刻投射曝光装置和方法，用于处理的反射镜的
公开(公告)号：WO2014207014A1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：PCT/EP2014/063337
申请日：2014-06-25
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , SCHUSTER, Karl-Heinz , BITTNER, Boris , WABRA, Norbert , SCHNEIDER, Sonja , SCHNEIDER, Ricarda , WAGNER, Hendrik , WALD, Christian , PAULS, Walter , SCHMIDT, Holger
发明人： SCHUSTER, Karl-Heinz , BITTNER, Boris , WABRA, Norbert , SCHNEIDER, Sonja , SCHNEIDER, Ricarda , WAGNER, Hendrik , WALD, Christian , PAULS, Walter , SCHMIDT, Holger
IPC分类号： G02B5/08 , G02B27/00
CPC分类号： G03F7/702 , G02B5/0816 , G02B5/085 , G02B5/0891 , G02B27/0006 , H05G2/003 , H05G2/008
摘要： Die Erfindung betrifft einen Spiegel für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie ein Verfahren zur Bearbeitung eines Spiegels. Ein erfindungsgemäßer Spiegel weist eine optische Wirkfläche, ein Spiegelsubstrat und ein Vielfachschichtsystem zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche auftreffender elektromagnetischer Strahlung einer Arbeitswellenlänge der Projektionsbelichtungsanlage auf, wobei das Vielfachschichtsystem eine Mehrzahl von Reflexionsschichtstapeln (16a, 16b, 16c, 26a, 26b) aufweist, zwischen denen jeweils eine Trennschicht (15a, 15b, 15c, 25a, 25b) angeordnet ist, und wobei diese Trennschicht aus einem Material hergestellt ist, welches eine Schmelztemperatur besitzt, die wenigstens 80°C beträgt und kleiner als 300°C ist.
摘要翻译：本发明涉及一种用于微光刻投射曝光设备中的反射镜和用于加工镜的方法。根据本发明的反射镜具有一个光学有效区域，反射镜衬底，以及用于反射入射到投影曝光装置，的工作波长的电磁辐射的光学有效区域的多层系统，其中所述多个层系统（，26b的16A，16B，16C，26A），具有多个反射层堆叠的，之间其每一个的分离层的（15A，25B 15B，15C，25A）被布置，并且其中所述剥离层由具有的熔融温度为至少80℃且低于300℃的材料的

2. 发明申请

WO2012097833A1 METHOD OF OPERATING A PROJECTION EXPOSURE TOOL 审中-公开
标题翻译：投影曝光工具的操作方法
公开(公告)号：WO2012097833A1
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：PCT/EP2011/000225
申请日：2011-01-20
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , CONRADI, Olaf , TOTZECK, Michael , LÖRING, Ulrich , JÜRGENS, Dirk , MÜLLER, Ralf , WALD, Christian
发明人： CONRADI, Olaf , TOTZECK, Michael , LÖRING, Ulrich , JÜRGENS, Dirk , MÜLLER, Ralf , WALD, Christian
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70891 , G03F7/70141 , G03F7/70483 , G03F7/70516 , G03F7/708
摘要： A method of operating a projection exposure tool (10) for microlithography is provided. The projection exposure tool (10) has a projection objective (26) for imaging object structures on a mask (20) into an image plane (28) using electromagnetic radiation (13, 13a, 13b), during which imaging the electromagnetic radiation (13b) causes a change in optical properties of the projection objective (26). The method comprises the steps of: providing the layout of the object structures on the mask (20) to be imaged and classifying the object structures according to their type of structure, calculating the change in the optical properties of the projection objective (26) effected during the imaging process on the basis of the classification of the object structures, and using the projection exposure tool (10) for imaging the object structures into the image plane (28), wherein the imaging behavior of the projection exposure tool (10) is adjusted on the basis of the calculated change of the optical properties in order to at least partly compensate for the change of the optical properties of the projection objective (26) caused by the electromagnetic radiation (13, 13a, 13b) during the imaging process.
摘要翻译：提供了一种操作用于微光刻的投影曝光工具（10）的方法。投影曝光工具（10）具有用于使用电磁辐射（13,13a，13b）将掩模（20）上的物体结构成像到图像平面（28）中的投影物镜（26），在此期间对电磁辐射（13b）进行成像）导致投影物镜（26）的光学特性的变化。该方法包括以下步骤：在要成像的掩模（20）上提供对象结构的布局，并根据其结构类型对对象结构进行分类，计算投影物镜（26）的光学特性的变化在所述成像处理期间，基于所述物体结构的分类，以及使用所述投影曝光工具（10）将所述物体结构成像到所述图像平面（28）中，其中所述投影曝光工具（10）的成像特性为基于所计算的光学特性的变化进行调整，以至少部分地补偿由成像过程中的电磁辐射（13,13a，13b）引起的投影物镜（26）的光学特性的变化。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式