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1. 发明专利

CH713511B1 Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Holzstämmen. 未知
公开(公告)号：CH713511B1
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CH2432018
申请日：2018-02-28
申请人： THOMAS MEISTER
发明人： THOMAS MEISTER
IPC分类号： F26B21/00 , F26B1/00 , F26B3/06
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Trocknen eines Holzstamms (1), wobei der Holzstamm eine erste und eine zweite Stirnseite (S1,S2), eine Aussenseite (1f) sowie eine gesamte Länge (L) aufweist, indem eine Längsbohrung (1b) erzeugt wird, welche sich entlang der gesamten Länge (L) von der ersten bis zur zweiten Stirnseite (S1, S2) erstreckt, sodass an der ersten Stirnseite (S1) eine Eintrittsöffnung (1c) und an der zweiten Stirnseite (S2) eine Austrittsöffnung (1d) erzeugt wird, wobei die Längsbohrung (1b) eine Innenseite (1e) aufweist, indem der Holzstamm (1) in einer im Wesentlichen vertikal verlaufenden Lage gehalten wird und ein Trocknungsgas (G) derart von unterhalb des Holzstamms (1) zugeführt wird, dass das Trocknungsgas (G) auch durch die Längsbohrung (1b) strömt, und indem sowohl die Innenseite (1e) als auch die Aussenseite (1f) direkt vom Trocknungsgas (G) umströmt wird, sodass der Holzstamm (1) gleichzeitig von der Innenseite (1e) her als auch von der Aussenseite (1f) her getrocknet wird. Die Erfindung betrifft ebenfalls eine Holztrocknungsvorrichtung zur Ausführung des Verfahrens zum Trocknen von Holzstämmen (1).

2. 发明专利

CH713511A2 Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Holzstämmen. 未知
公开(公告)号：CH713511A2
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CH2432018
申请日：2018-02-28
申请人： THOMAS MEISTER
发明人： THOMAS MEISTER
IPC分类号： B27K5/00 , F26B3/02
摘要： Verfahren zum Trocknen eines Holzstamms (1), wobei der Holzstamm eine erste und eine zweite Stirnseite (S1, S2), eine Aussenseite (1f) sowie eine gesamte Länge (L) aufweist, indem eine Längsbohrung (1b) erzeugt wird, welche sich entlang der gesamten Länge (L) von der ersten bis zur zweiten Stirnseite (S1, S2) erstreckt, sodass an der ersten Stirnseite (S1) eine Eintrittsöffnung (1c) und an der zweiten Stirnseite (S2) eine Austrittsöffnung (1d) erzeugt wird, wobei die Längsbohrung (1b) eine Innenseite (1e) aufweist, indem der Holzstamm (1) in einer im Wesentlichen vertikal verlaufenden Lage gehalten wird und ein Trocknungsgas (G) derart von unterhalb des Holzstamms (1) zugeführt wird, dass das Trocknungsgas (G) auch durch die Längsbohrung (1b) strömt, und indem sowohl die Innenseite (1e) als auch die Aussenseite (1f) direkt vom Trocknungsgas (G) umströmt werden, sodass der Holzstamm (1) gleichzeitig von der Innenseite (1e) her als auch von der Aussenseite (1f) her getrocknet wird.

3. 发明授权

US07947552B2 Process for the simultaneous deposition of crystalline and amorphous layers with doping 有权
标题翻译：用掺杂法同时沉积结晶和非晶层的工艺
公开(公告)号：US07947552B2
公开(公告)日：2011-05-24
申请号：US12106667
申请日：2008-04-21
申请人： Herbert Schäfer , Martin Franosch , Thomas Meister , Josef Böck
发明人： Herbert Schäfer , Martin Franosch , Thomas Meister , Josef Böck
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/02639 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02661
摘要： One embodiment of the present invention relates to method for the concurrent deposition of multiple different crystalline structures on a semiconductor body utilizing in-situ differential epitaxy. In one embodiment of the present invention a preparation surface is formed, resulting in two distinct crystalline regions, a monocrystalline silicon substrate region and an isolating layer region. A monocrystalline silicon layer and an amorphous silicon layer are concurrently formed directly onto the preparation surface in the monocrystalline silicon substrate region and the isolating layer region, respectively. Deposition comprises the formation of two or more sub-layers. The process parameters can be varied for each individual sub-layer to optimize deposition characteristics.
摘要翻译：本发明的一个实施例涉及利用原位差分外延在半导体主体上同时沉积多个不同结晶结构的方法。在本发明的一个实施方案中，形成制备表面，得到两个不同的结晶区域，单晶硅衬底区域和隔离层区域。单晶硅层和非晶硅层同时直接分布在单晶硅衬底区域和隔离层区域的制备表面上。沉积包括形成两个或更多个子层。可以为每个单独的子层改变工艺参数以优化沉积特性。

4. 发明授权

US07449389B2 Method for fabricating a semiconductor structure 有权
标题翻译：半导体结构的制造方法
公开(公告)号：US07449389B2
公开(公告)日：2008-11-11
申请号：US11553704
申请日：2006-10-27
申请人： Thomas Meister , Herbert Schäfer , Josef Böck , Rudolf Lachner
发明人： Thomas Meister , Herbert Schäfer , Josef Böck , Rudolf Lachner
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/8249 , H01L27/0635 , H01L27/0658 , H01L29/66242 , H01L29/7378 , H01L29/93
摘要： A method for fabricating a semiconductor including defining a first component region and a second component region in a semiconductor body is provided. A first epitaxial layer is formed through the first component region. A second epitaxial layer is formed over the first epitaxial layer, including configuring the physical dimensions of a first active zone of the first component region independent of a second active zone of the second component region via the first epitaxial layer and the second epitaxial layer. In one embodiment, the first component is a radio-frequency transistor and the second component is a varactor.
摘要翻译：提供了一种制造半导体的方法，包括在半导体本体中限定第一分量区域和第二分量区域。通过第一分量区域形成第一外延层。第二外延层形成在第一外延层上方，包括经由第一外延层和第二外延层，与第二成分区的第二有源区独立地配置第一成分区的第一有源区的物理尺寸。在一个实施例中，第一部件是射频晶体管，第二部件是变容二极管。

5. 发明申请

US20070222032A1 Bipolar transistor and method for producing a bipolar transistor 审中-公开
标题翻译：双极晶体管及其制造方法
公开(公告)号：US20070222032A1
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：US11716526
申请日：2007-03-09
申请人： Herbert Schaefer , Josef Boeck , Rudolf Lachner , Thomas Meister
发明人： Herbert Schaefer , Josef Boeck , Rudolf Lachner , Thomas Meister
IPC分类号： H01L27/082
CPC分类号： H01L29/7378 , H01L29/0804 , H01L29/66242 , H01L29/66287 , H01L29/732
摘要： A bipolar transistor has a base, an emitter and an emitter contact. The emitter has a monocrystalline layer and a polycrystalline layer, which are disposed between the base and the emitter contact in the mentioned order.
摘要翻译：双极晶体管具有基极，发射极和发射极接触。发射极具有单晶层和多晶层，它们以所述顺序设置在基极和发射极之间。

6. 发明申请

US20050233536A1 Method for the production of a bipolar transistor 有权
标题翻译：制造双极晶体管的方法
公开(公告)号：US20050233536A1
公开(公告)日：2005-10-20
申请号：US11153062
申请日：2005-06-15
申请人： Josef Bock , Thomas Meister , Reinhard Stengl , Herbert Schafer
发明人： Josef Bock , Thomas Meister , Reinhard Stengl , Herbert Schafer
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/737
CPC分类号： H01L29/66287 , H01L29/0649 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/167 , H01L29/66242 , H01L29/7371 , H01L29/7378
摘要： The invention relates to a method for producing a bipolar transistor. A semiconductor substrate is provided that encompasses a collector area of a first conductivity type, which is embedded therein and is bare towards the top. A monocrystalline base area is provided and a base-connecting area of the second conductivity type is provided above the base area. An insulating area is provided above the base-connecting area and a window is formed in the insulating area and the base-connecting area so as to at least partly expose the base area. An insulating sidewall spacer is provided in the window in order to insulate the base-connecting area. An emitter layer which forms a monocrystalline emitter area above the base area and a polycrystalline emitter area above the insulating area and the sidewall spacer is differentially deposited and structured, and a tempering step is carried out.
摘要翻译：本发明涉及一种制造双极晶体管的方法。提供了一种半导体衬底，其包含嵌入其中并且朝向顶部裸露的第一导电类型的集电极区域。提供单晶基底区域，并且在基底区域上方设置第二导电类型的基底连接区域。绝缘区域设置在基底连接区域上方，并且在绝缘区域和基底连接区域中形成窗口，以便至少部分地暴露基部区域。在窗口中设置绝缘侧壁间隔件，以便使基部连接区域绝缘。在绝缘区域之上形成单晶发射极区域和绝缘区域上方的多晶发射极区域的发射极层被差异地沉积和结构化，并进行回火步骤。

7. 发明授权

US06867105B2 Bipolar transistor and method of fabricating a bipolar transistor 有权
标题翻译：双极晶体管和制造双极晶体管的方法
公开(公告)号：US06867105B2
公开(公告)日：2005-03-15
申请号：US10215152
申请日：2002-08-08
申请人： Reinhard Stengl , Thomas Meister , Herbert Schäfer , Martin Franosch
发明人： Reinhard Stengl , Thomas Meister , Herbert Schäfer , Martin Franosch
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/732
CPC分类号： H01L29/66287 , H01L29/7322
摘要： A bipolar transistor includes a first layer with a collector. A second layer has a base cutout for a base. A third layer includes a lead for the base. The third layer is formed with an emitter cutout for an emitter. An undercut is formed in the second layer adjoining the base cutout. The base is at least partially located in the undercut. In order to obtain a low transition resistance between the lead and the base, an intermediate layer is provided between the first and the second layer. The intermediate layer is selectively etchable with respect to the second layer. At least in the region of the undercut between the lead and the base, a base connection zone is provided that can be adjusted independent of other production conditions. The intermediate layer is removed in a contact region with the base.
摘要翻译：双极晶体管包括具有集电极的第一层。第二层具有用于基座的基部切口。第三层包括用于底座的引线。第三层形成有用于发射极的发射极切口。在与基座切口相邻的第二层中形成底切。基部至少部分位于底切中。为了在引线和基底之间获得低的过渡电阻，在第一和第二层之间设置中间层。中间层相对于第二层可选择性地蚀刻。至少在引线和基座之间的底切区域中，提供可以独立于其他生产条件进行调节的基础连接区域。在与基底的接触区域中去除中间层。

8. 发明申请

US20120074405A1 Process for the Simultaneous Deposition of Crystalline and Amorphous Layers with Doping 有权
标题翻译：用掺杂法同时沉积结晶和无定形层的方法
公开(公告)号：US20120074405A1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：US13314595
申请日：2011-12-08
申请人： Herbert Schäfer , Martin Franosch , Thomas Meister , Josef Böck
发明人： Herbert Schäfer , Martin Franosch , Thomas Meister , Josef Böck
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02639 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02661
摘要： One embodiment of the present invention relates to method for the concurrent deposition of multiple different crystalline structures on a semiconductor body utilizing in-situ differential epitaxy. In one embodiment of the present invention a preparation surface is formed, resulting in two distinct crystalline regions, a monocrystalline silicon substrate region and an isolating layer region. A monocrystalline silicon layer and an amorphous silicon layer are concurrently formed directly onto the preparation surface in the monocrystalline silicon substrate region and the isolating layer region, respectively. Deposition comprises the formation of two or more sub-layers. The process parameters can be varied for each individual sub-layer to optimize deposition characteristics.
摘要翻译：本发明的一个实施例涉及利用原位差分外延在半导体主体上同时沉积多个不同结晶结构的方法。在本发明的一个实施方案中，形成制备表面，得到两个不同的结晶区域，单晶硅衬底区域和隔离层区域。单晶硅层和非晶硅层同时直接分布在单晶硅衬底区域和隔离层区域的制备表面上。沉积包括形成两个或更多个子层。可以为每个单独的子层改变工艺参数以优化沉积特性。

9. 发明授权

US07612430B2 Silicon bipolar transistor, circuit arrangement and method for producing a silicon bipolar transistor 有权
标题翻译：硅双极晶体管，电路布置和制造硅双极晶体管的方法
公开(公告)号：US07612430B2
公开(公告)日：2009-11-03
申请号：US10297421
申请日：2001-06-15
申请人： Martin Franosch , Thomas Meister , Herbert Schäfer , Reinhard Stengl , Konrad Wolf
发明人： Martin Franosch , Thomas Meister , Herbert Schäfer , Reinhard Stengl , Konrad Wolf
IPC分类号： H01L29/732
CPC分类号： H01L29/1004
摘要： The silicon bipolar transistor (100) comprises a base, with a first highly-doped base layer (105) and a second poorly-doped base layer (106) which together form the base. The emitter is completely highly-doped and mounted directly on the second base layer (106).
摘要翻译：硅双极晶体管（100）包括具有一起形成基极的第一高掺杂基极层（105）和第二较差掺杂的基极层（106）的基极。发射极是完全高度掺杂的，直接安装在第二基极层（106）上。

10. 发明申请

US20080227261A1 METHOD FOR FABRICATING A TRANSISTOR STRUCTURE 有权
标题翻译：制造晶体管结构的方法
公开(公告)号：US20080227261A1
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：US12051928
申请日：2008-03-20
申请人： Josef Bock , Rudolf Lachner , Thomas Meister , Reinhard Stengl , Herbert Schafer , Martin Seck
发明人： Josef Bock , Rudolf Lachner , Thomas Meister , Reinhard Stengl , Herbert Schafer , Martin Seck
IPC分类号： H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66272 , H01L21/8222 , H01L27/0825 , H01L29/0821
摘要： The invention relates to a method for fabricating a transistor structure, comprising at least a first and a second bipolar transistor having different collector widths.The invention is distinguished by the fact that all junctions between differently doped regions have a sharp interface. In this case, by way of example, a first collector region 2.1 is suitable for a high-frequency transistor with high limiting frequencies fT and a second collector region 2.2 is suitable for a high-voltage transistor with increased breakdown voltages.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造晶体管结构的方法，该方法至少包括具有不同集电极宽度的第一和第二双极晶体管。本发明的区别在于，不同掺杂区域之间的所有结点都具有尖锐的界面。在这种情况下，作为示例，第一集电极区域2.1适用于具有高限制频率f T T的高频晶体管，并且第二集电极区域2.2适用于具有增加击穿电压。

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