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1. 发明专利

JP2015038992A 光学的コーティングの部分的なリフトオフによる光起電力デバイスの細かいラインのメタライゼーション有权
标题翻译：通过光学涂层的部分剥离对光电器件的精细线金属化
公开(公告)号：JP2015038992A
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：JP2014180471
申请日：2014-09-04
申请人：テトラサンインコーポレイテッド , Tetrasun Inc , テトラサンインコーポレイテッド
发明人： OLIVER SCHULTZ-WITTMANN , CRAFTS DOUGLAS , DENIS DECEUSTER , ADRIAN TURNER
IPC分类号： H01L31/0216 , G03F7/26 , H01L21/768 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/02168 , Y02E10/50
摘要：【課題】光起電力デバイスにおける、金属格子コンタクトおよび誘電体パターン製造方法を提供する。【解決手段】金属薄膜を形成するステップと、例えばインクジェット印刷またはスクリーン印刷を用いて、例えばエッチレジストを直接書き込み、in−situで硬化させることによって、金属薄膜の上にエッチレジストを形成するステップと、金属薄膜をエッチングし、レジストパターンおよびエッチレジストの下の金属格子コンタクトパターンをそのまま残すステップと、エッチレジストの上に誘電体層を形成するステップと、レジストパターンおよびエッチレジスト上の誘電体を除去し、実質的に同一平面上にある金属格子コンタクトおよび誘電体パターンを残すステップと含む。金属格子コンタクトパターンは、太陽電池の前方および/または後方のコンタクト電極を形成することができ、誘電体層は光学的な反射層または反射防止層とすることができる。【選択図】図4H
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在光伏器件中制造金属栅极接触和电介质图案的方法。方法包括以下步骤：形成金属薄膜; 通过例如使用例如喷墨印刷或丝网印刷直接写入和原位固化蚀刻抗蚀剂，在金属薄膜上形成蚀刻抗蚀剂; 蚀刻金属薄膜以在蚀刻抗蚀剂下完整地留下抗蚀剂图案和金属栅格接触图案; 在所述抗蚀剂上形成介电层; 并且去除蚀刻抗蚀剂上的抗蚀剂图案和电介质材料以留下金属栅极接触和基本共面的电介质图案。金属栅格接触图案可以形成太阳能电池的前和/或后接触电极; 并且电介质层可以是光反射层或抗反射层。

2. 发明专利

JP2014207475A 高効率太陽電池構造体および製造方法有权
标题翻译：高效太阳能电池结构与制造方法
公开(公告)号：JP2014207475A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2014137781
申请日：2014-07-03
申请人：テトラサンインコーポレイテッド , Tetrasun Inc , テトラサンインコーポレイテッド
发明人： OLIVER SCHULTZ-WITTMANN , DENIS DE CEUSTER
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/075
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/0463 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , H01L31/1872 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：【課題】概して中心基板、導電層(若しくは複数の導電層)、非反射層(若しくは複数の非反射層)、不活性化層(若しくは複数の不活性化層)、および/または電極(若しくはは複数の電極)を備える、様々な組成からなる太陽電池が開示される。【解決手段】多機能層が、不活性化、透過性、垂直方向キャリア流に十分な導電性、接合部、および/または様々な度合いの非反射性からなる機能の組合せを実現する。また、単面CVD蒸着プロセスならびに層形成および/または層転化のための熱処理を含む改良された製造方法も開示される。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供由通常包括中心基板的各种组合物构成的太阳能电池; 导电层（或多个导电层）; 抗反射层（或多个抗反射层）; 钝化层（或多个钝化层）; 和/或电极（或多个电极）。解决方案：多功能层提供钝化，透明度，垂直载流子，连接部分和/或各种抗反射度的足够导电性的功能的组合。还公开了一种包括单面CVD沉积工艺和用于层形成和/或层转换的热处理的改进的制造方法。

3. 发明专利

JP2013258405A Selective and/or faster removal of coating from underlying layer, and solar cell applications thereof 审中-公开
标题翻译：选择和/或更快地从下层剥离涂层，以及太阳能电池应用
公开(公告)号：JP2013258405A
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：JP2013122020
申请日：2013-06-10
申请人： Tetrasun Inc , テトラサンインコーポレイテッド
发明人： QING YUAN ONG , ADRIAN BRUCE TURNER
IPC分类号： H01L31/04 , H01L21/306
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for patterning a film pattern on a substrate.SOLUTION: The method includes forming a film pattern on a substrate surface, forming a coating over the substrate and the film pattern, and inducing pores or openings in the coating. At least part of the coating overlying the film pattern is removed, which includes etching at least one layer underlying the coating ahead of removing at least part of the coating.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于在基板上图案化膜图案的方法。方法：该方法包括在基板表面上形成膜图案，在基板和膜图案上形成涂层，并在其中引入孔或开口涂层。去除覆盖膜图案的涂层的至少一部分，其包括在除去涂层的至少一部分之前蚀刻涂层之下的至少一层。

4. 发明专利

JP2015035624A 太陽電池内の機能膜の局所的レーザ転化による局所的金属接触子审中-公开
标题翻译：通过本地激光辅助的金属接触辅助转换太阳能电池中的功能膜
公开(公告)号：JP2015035624A
公开(公告)日：2015-02-19
申请号：JP2014221676
申请日：2014-10-30
申请人：テトラサンインコーポレイテッド , Tetrasun Inc , テトラサンインコーポレイテッド
发明人： CRAFTS DOUGLAS E
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要：【課題】改良された太陽電池の金属被覆される接触子と、その製造方法を提供。【解決手段】太陽電池の作製を容易にする方法であって、基板の上に半導体層を提供する工程であって、前記半導体層は導電性ドーパントを含む工程と、前記半導体層の上に誘電体層を形成する工程であって、前記誘電体層は金属窒化物または金属炭化物を含む工程と、前記誘電体層の少なくとも1の区域にレーザを照射する工程であって、前記照射により、前記少なくとも1の区域から前記金属窒化物または金属炭化物の窒化物部分または炭化物部分を除去し、かつ前記少なくとも1の区域を前記金属窒化物または金属炭化物の金属に還元して、前記誘電層を介する少なくとも1の導電性接触子を形成する工程と、を含み、前記導電性ドーパントが、前記少なくとも1の導電性接触子の前記半導体層を介しての電気的接続を容易にする、ことを特徴とする方法。【選択図】図1d
摘要翻译：要解决的问题：提供改进的太阳能电池金属化接触和制造太阳能电池金属化接触的方法。解决方案：一种便于制备太阳能电池的方法包括以下步骤：在衬底上提供半导体层，包括导电掺杂剂的半导体层; 在所述半导体层上形成电介质层，所述电介质层包括金属氮化物或金属碳化物; 并用激光束照射电介质层的至少一个区域，通过照射从该至少一个区域去除金属氮化物或金属碳化物的氮化物部分或碳部分，并将该至少一个区域还原成金属氮化物或金属碳化物的金属，从而通过电介质层形成至少一个导电接触。导电掺杂剂促进经由半导体层的至少一个导电接触件的电连接。

5. 发明专利

JP2015035623A 太陽電池内の構造部を形成するための方法审中-公开
标题翻译：在太阳能电池中形成结构部分的方法
公开(公告)号：JP2015035623A
公开(公告)日：2015-02-19
申请号：JP2014221664
申请日：2014-10-30
申请人：テトラサンインコーポレイテッド , Tetrasun Inc , テトラサンインコーポレイテッド
发明人： ADRIAN BRUCE TURNER
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/022433 , B23K26/066 , B23K26/073 , B23K26/083 , B23K26/36 , B23K26/402 , B23K2201/40 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , B23K2203/56 , H01L31/022425 , H01L31/18
摘要：【課題】改良された太陽電池構造部およびその製造方法の提供。【解決手段】太陽電池の表面上に接触子パターンを形成する工程を含む方法であって、太陽電池が表面組織化された半導体基板を含み、前記形成する工程が、太陽電池の下方層を覆って少なくとも1の薄層(融蝕閾値を有する材料含む)を形成する工程と、少なくとも1の薄層の第2部分を照射することなく、少なくとも1の薄層の第1部分を、少なくとも部分的に均質化されたプロファイルを有するレーザで照射する工程とを含み、前記レーザは少なくとも1の薄層の材料の融蝕閾値またはそれに近似する流束量で操作され、前記照射工程の間、前記表面組織化された半導体基板が、少なくとも部分的に均質化されたビームプロファイルをさらに均質化して、少なくとも1の薄層の材料の融蝕閾値またはそれに近似する流束量でのレーザの操作を容易にする、方法。【選択図】図4c
摘要翻译：要解决的问题：提供一种改进的太阳能电池结构部件及其制造方法。解决方案：提供一种方法，包括在太阳能电池的表面上形成接触器图案的步骤。太阳能电池包括表面组织的半导体衬底。形成步骤包括：覆盖太阳能电池的下层以形成至少一个薄层（包括具有消融阈值的材料）的步骤; 以及使用具有至少部分均化的轮廓的激光照射所述至少一个薄层的第一部分而不照射所述至少一个薄层的第二部分的步骤。激光器以至少一个薄层的材料的消融阈值操作，或以接近消融阈值的通量操作。在照射步骤期间，表面组织的半导体衬底进一步均匀化至少部分均匀化的光束轮廓，以促进在至少一个薄层的材料的消融阈值处的激光操作或者接近消融阈值的通量。

6. 发明专利

JP2014086736A Methods of forming solar cells 审中-公开
标题翻译：形成太阳能电池的方法
公开(公告)号：JP2014086736A
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：JP2013221991
申请日：2013-10-25
申请人： Tetrasun Inc , テトラサンインコーポレイテッド
发明人： CRAFTS DOUGLAS E , OLIVER SCHULTZ-WITTMANN , ADRIAN B TURNER , QIN YANG ONG
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/02008 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide methods of fabricating conductive patterns over a solar cell structure.SOLUTION: A patterned resist layer is provided over an anti-reflective coating layer formed over a solar cell structure. The patterned resist layer is used to etch the exposed portion of the anti-reflective coating, and a metal seed layer 251, 252 is provided over the resist layer and the exposed portion of the solar cell structure's surface. The metal seed layer 251 is selectively removed from over the patterned resist layer without removal from the exposed portion 252 of the surface of the solar cell structure. Different thermal conductivities of the patterned resist layer and the solar cell structure's surface facilitate the selective removal of the seed layer from over the resist layer.
摘要翻译：要解决的问题：提供在太阳能电池结构上制造导电图案的方法。解决方案：在太阳能电池结构上形成的抗反射涂层上提供图案化的抗蚀剂层。图案化的抗蚀剂层用于蚀刻抗反射涂层的暴露部分，并且金属晶种层251,252设置在抗蚀剂层和太阳能电池结构表面的暴露部分之上。金属种子层251从图案化的抗蚀剂层上方被选择性地去除，而不从太阳能电池结构的表面的暴露部分252移除。图案化抗蚀剂层和太阳能电池结构表面的不同热导率有助于从抗蚀剂层上方选择性去除晶种层。

7. 发明专利

AU2014221242B2 HIGH-EFFICIENCY SOLAR CELL STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE 未知
公开(公告)号：AU2014221242B2
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：AU2014221242
申请日：2014-09-04
申请人： TETRASUN INC
发明人： WITTMAN OLIVER , DECEUSTER DENIS
IPC分类号： H01L31/00
摘要： A method of fabricating a solar cell, comprising providing a substrate; providing a passivating film above the substrate, the passivating film comprising a passivating material and a conductive dopant, the conductive dopant providing, in part, the passivating film with a conductive 5 upper surface; and providing at least one electrode over the conductive upper surface of the passivating film, wherein the conductive dopant of the passivating film facilitates electrical connection between the at least one electrode and the substrate through the passivating film.

8. 发明专利

AU2011282499B2 Fine line metallization of photovoltaic devices by partial lift-off of optical coatings 未知
公开(公告)号：AU2011282499B2
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：AU2011282499
申请日：2011-02-15
申请人： TETRASUN INC
发明人： SCHULTZ-WITTMANN OLIVER , CRAFTS DOUGLAS , DECEUSTER DENIS , TURNER ADRIAN
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
摘要： FINE LINE METALLIZATION OF PHOTOVOLTAIC DEVICES BY PARTIAL LIFT-OFF OF OPTICAL COATINGS Abstract of the Disclosure A metal grid contact and dielectric pattern on a layer requiring conductive contact in a photovoltaic device. The invention includes, in one aspect, forming a metal film; forming an etch resist over the metal film by, e.g., directly writing and in-situ curing the etch resist using, e.g., ink-jetting or screen-printing; etching the metal film leaving the resist pattern and a metal grid contact pattern under the etch resist intact; forming a dielectric layer over the etch resist; and removing the resist pattern and the dielectric over the etch resist, leaving a substantially co-planar metal grid contact and dielectric pattern. The metal grid contact pattern may form the front and/or back contact electrode of a solar cell; and the dielectric layer may be an optical reflection or antireflection layer. The layer requiring contact may be multifunctional providing its own passivation, such that passivation is substantially not required in the dielectric layer.

9. 发明申请

WO2010123976A1 METHOD FOR FORMING STRUCTURES IN A SOLAR CELL 审中-公开
标题翻译：在太阳能电池中形成结构的方法
公开(公告)号：WO2010123976A1
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：PCT/US2010/031874
申请日：2010-04-21
申请人： TETRASUN, INC. , TURNER, Adrian, Bruce
发明人： TURNER, Adrian, Bruce
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： H01L31/022433 , B23K26/066 , B23K26/073 , B23K26/083 , B23K26/36 , B23K26/402 , B23K2201/40 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , B23K2203/56 , H01L31/022425 , H01L31/18
摘要： A conductive contact pattern is formed on a surface of solar cell by forming a thin conductive layer over at least one lower layer of the solar cell, and ablating a majority of the thin conductive layer using a laser beam, thereby leaving behind the conductive contact pattern. The laser has a top-hat profile, enabling precision while scanning and ablating the thin layer across the surface. Heterocontact patterns are also similarly formed.
摘要翻译：通过在太阳能电池的至少一个下层上形成薄的导电层，并且利用激光束消融大部分薄导电层，从而在太阳能电池的表面上形成导电接触图案，从而留下导电接触图案。激光器具有顶帽型材，能够精确地扫描和消除整个表面上的薄层。异形图案也类似地形成。

10. 发明申请

US20170243987A1 PHOTOVOLTAIC DEVICES WITH FINE-LINE METALLIZATION AND METHODS FOR MANUFACTURE 审中-公开
公开(公告)号：US20170243987A1
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：US15588058
申请日：2017-05-05
申请人： TETRASUN, INC.
发明人： Adrian Bruce TURNER , Bonneville Dudgeon EGGLESTON , Oliver SCHULTZ-WITTMAN , Douglas Edward CRAFTS
IPC分类号： H01L31/02 , B23K26/402 , H01L31/18 , B23K26/073 , H01L31/0236 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/02008 , B23K26/073 , B23K26/361 , B23K26/402 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/1868 , Y02E10/50
摘要： A method for use in forming a photovoltaic device includes forming a doped semiconductor layer on a surface of a semiconductor substrate and forming a metal film on the doped semiconductor layer. A patterned etched resist is formed on the metal film and a dielectric layer is formed on the doped semiconductor layer and the etched resist. A laser having a wavelength absorbable by the patterned etch resist is applied through the dielectric layer to the patterned etch resist to remove the patterned etch resist.

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