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1. 发明申请

WO1996001334A1 PROCESS FOR PRODUCING FERRITIC IRON-BASE ALLOY AND FERRITIC HEAT-RESISTANT STEEL 审中-公开
标题翻译：生产铁素体合金和耐热钢的工艺
公开(公告)号：WO1996001334A1
公开(公告)日：1996-01-18
申请号：PCT/JP1995001339
申请日：1995-07-05
申请人： THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC. , MORINAGA, Masahiko , MURATA, Yoshinori , HASHIZUME, Ryokichi
发明人： THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC.
IPC分类号： C22C38/00
CPC分类号： C22C38/36 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/22 , C22C38/26 , C22C38/54
摘要： A method of designing a ferritic iron-base alloy having excellent characteristics according not to the conventional trial-and-error technique but to a theoretical method, and a ferritic heat-resistant steel for use as the material of turbines and boilers usable even in an ultrasupercritical pressure power plant. Specifically, the d-electron orbital energy level (Md) and the bond order (Bo) with respect to iron (Fe) of each alloying element of a body-centered cubic iron-base alloy are determined by the DV-Xa cluster method, and the type and quantity of each element to be added to the alloy are determined in such a manner that the average Bo value and average Md value represented respectively by the following equations: (1) average Bo value = SIGMA Xi.(Bo)i and (2) average Md value = SIGMA Xi.(Md)i, coincide with particular values conforming to the characteristics required of the alloy; wherein Xi represents the molar fraction of an alloying element i, and (Bo)i and (Md)i represent respectively the Bo value and Md value of the element i. Preferably, the average Bo value and average Md value are, respectively, in the ranges of 1.805 to 1.817 and 0.8520 to 0.8628.
摘要翻译：一种根据传统的试错技术而非理论方法设计具有优异特性的铁素体铁基合金的方法，以及用作涡轮机和锅炉的材料的铁素体耐热钢，即使在超临界压力发电厂。具体地说，体心立方铁基合金的合金元素的d电子轨道能级（Md）和键级（Bo）相对于铁（Fe）由DV-Xa簇法确定，并且以下述方式确定添加到合金中的各元素的种类和数量：平均Bo值和平均Md值分别由以下等式表示：（1）平均Bo值= SIGMA Xi（Bo）i 和（2）平均Md值= SIGMA Xi（Md）i符合符合合金要求的特性的特定值; 其中，Xi表示合金元素i的摩尔分数，（Bo）i和（Md）i分别表示元素i的Bo值和Md值。优选地，平均Bo值和平均Md值分别在1.805至1.817和0.8520至0.8628的范围内。

2. 发明申请

WO1990012409A1 METHOD OF HANDLING OXIDE SUPERCONDUCTOR WIRE AND ARTICLE PRODUCED THEREFROM 审中-公开
标题翻译：处理氧化物超导体线的方法及其生产的物品
公开(公告)号：WO1990012409A1
公开(公告)日：1990-10-18
申请号：PCT/JP1990000421
申请日：1990-03-29
申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. , THE KANSAI ELECTRIC POWER Co., Inc. , HAYASHI, Noriki , TAKANO, Satoshi , OKUDA, Shigeru , HITOTSUYANAGI, Hajime
发明人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. , THE KANSAI ELECTRIC POWER Co., Inc.
IPC分类号： H01B13/00
CPC分类号： H01L39/248 , H01B12/06 , H01F6/06 , Y02E40/642
摘要： A method of handling an oxide superconductor wire (11) which consists of a flexible tape-like substrate (13) having a coefficient of thermal expansion smaller than that of an oxide super-conductor layer (12) provided on the substrate (13). The wire (11) is heat-treated and is then bent so that the layer (12) is positioned inside and the substrate (13) is positioned outside. The tensile strain of the layer (12) can be relaxed and the superconductivity is hardly deteriorated. The superconductivity is hardly deteriorated even when the wire (11) is used as coils (18) or cables by such a handling method.

3. 发明申请

WO1998026458A1 INSULATED GATE SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：绝缘栅半导体器件
公开(公告)号：WO1998026458A1
公开(公告)日：1998-06-18
申请号：PCT/JP1997004538
申请日：1997-12-10
申请人： THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC. , HITACHI, LTD. , SUGAWARA, Yoshitaka , ASANO, Katsunori
发明人： THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC. , HITACHI, LTD.
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1095 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/42368 , H01L29/66068 , H01L29/7397 , H01L29/7398 , H01L29/7809 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要： In a semiconductor device having a trench type insulated gate structure, in the case where a drift layer (2) of an n conduction type has a high carrier concentration, when a high voltage is applied between a drain and a source in such a manner that a channel is not formed, the electric field strength of an insulator layer (9) below the trench type insulated gate is increased, thus causing breakdown. The withstand voltage of the semiconductor device is limited by the breakdown of the insulator layer (9), and it is difficult to realize high withstand voltage. Thus, a field relaxation semiconductor region (1) of a conduction type opposite to the conduction type of the drift layer (2) is formed within the drift layer (2) below the insulator layer (9) in the trench of the trench type insulated gate semiconductor device. Also, the thickness of a bottom portion of the insulator layer (9) provided in the trench of the trench type insulated gate semiconductor device is made significantly greater than the thickness of a lateral portion thereof.
摘要翻译：在具有沟槽型绝缘栅极结构的半导体器件中，在n导电类型的漂移层（2）具有高载流子浓度的情况下，当在这样的漏极和源极之间施加高电压时不形成沟道的方式，沟槽型绝缘栅下方的绝缘体层（9）的电场强度增加，从而导致击穿。半导体器件的耐压受到绝缘体层（9）的击穿的限制，难以实现高耐压。因此，在沟槽型绝缘的沟槽中的绝缘体层（9）下方的漂移层（2）内形成与漂移层（2）的导电类型相反的导电类型的场弛豫半导体区域（1）门半导体器件。此外，设置在沟槽型绝缘栅极半导体器件的沟槽中的绝缘体层（9）的底部的厚度被制成明显大于其侧面部分的厚度。

4. 发明申请

WO1990012408A1 OXIDE SUPERCONDUCTOR WIRE, METHOD OF PRODUCING THE SAME AND ARTICLE PRODUCED THEREFROM 审中-公开
标题翻译：氧化物超导体线，其生产方法及其生产的物品
公开(公告)号：WO1990012408A1
公开(公告)日：1990-10-18
申请号：PCT/JP1990000422
申请日：1990-03-29
申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. , THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC. , HAYASHI, Noriki , TAKANO, Satoshi , OKUDA, Shigeru , HITOTSUYANAGI, Hajime
发明人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. , THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC.
IPC分类号： H01B12/06
CPC分类号： H01F6/06 , H01B12/06 , H01L39/248 , Y02E40/642 , Y10S505/70 , Y10S505/704 , Y10S505/705
摘要： An oxide superconductor wire obtained by giving compressive prestrain (3, 7, 11) to an oxide superconductor layer (1) in the lengthwise direction thereof. Even when the oxide superconductor wire is bent, very little tensile force is exerted on the oxide superconductor layer (1) and the superconductivity is not deteriorated. The substrate (2) has a coefficient of thermal expansion greater than that of the oxide superconductor layer (1). The oxide superconductor wire is produced by heat-treating the oxide superconductor layer (1) and the substrate (2) followed by cooling, or by heat-treating the oxide superconductor layer (1) under the condition where the tensile strain (5, 8) is given to the oxide superconductor layer (1) and tensile strain (6) or bending stress (9, 10) is given to the substrate, followed by cooling, in order to impart a compressive force to the oxide superconductor layer (1). The superconductivity is hardly deteriorated even when the oxide superconductor wire is used coils (26, 31) or cables.

5. 发明申请

WO1987001364A1 HANGING-TYPE TRANSPORT APPARATUS FOR BOLT-PULLING MACHINE AND APPARATUS FOR CONTROLLING THE POSITIONING THEREOF 审中-公开
标题翻译：用于拉丝机的挂钩式运输装置和控制其定位的装置
公开(公告)号：WO1987001364A1
公开(公告)日：1987-03-12
申请号：PCT/JP1985000474
申请日：1985-08-28
申请人： THE HOKKAIDO ELECTRIC POWER CO., INC. , THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC. , SHIKOKU ELECTRIC POWER CO., INC. , KYUSHU ELECTRIC POWER CO., INC. , THE JAPAN ATOMIC POWER COMPANY , MITSUBISHI JUKOGYO KABUSHIKI KAISHA , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD. , FUJITANI, Takashi , UEMURA, Hiromi , KISHIMOTO, Toshiaki , UCHIYAMA, Masayuki , SHIRASU, Isao , KUROKAWA, Hideyuki , NISHIOKA, Takashi , KIKUKAWA, Kenji , SATO, Yoshinori
发明人： THE HOKKAIDO ELECTRIC POWER CO., INC. , THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC. , SHIKOKU ELECTRIC POWER CO., INC. , KYUSHU ELECTRIC POWER CO., INC. , THE JAPAN ATOMIC POWER COMPANY , MITSUBISHI JUKOGYO KABUSHIKI KAISHA , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
IPC分类号： B66C13/22
CPC分类号： G21C13/06 , B23P19/001 , B25B29/02 , B66C13/04 , Y02E30/40
摘要： A hanging-type transport apparatus for bolt-pulling machine, which transports a bolt-pulling machine hanging therefrom via a trolley and a hoist over a pressure vessel on which many bolts are mounted. The transport apparatus has a track setting unit with a guide along the outer periphery of a cover of the pressure vessel, and has a guide mechanism based upon the guide to restrict the degree of freedom of the bolt-pulling machine in the air. The guide mechanism is provided with a position detector to detect the position of the bolt-pulling machine. The invention further relates to an apparatus for controlling the positioning of the transport apparatus, such that the hanging-type transport apparatus is started at a slow speed, gradually accelerated to reach a predetermined speed, and is gradually accelerated to reach a predetermined speed, and is gradually decelerated prior to reaching a desired stop position.

6. 发明专利

TWI280294B 碳化矽單晶、碳化矽基板及碳化矽單晶之製造方法 SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD FOR SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL 失效
简体标题：碳化硅单晶、碳化硅基板及碳化硅单晶之制造方法 SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD FOR SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL
公开(公告)号：TWI280294B
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW094138000
申请日：2005-10-28
申请人： SIXON股份有限公司 SIXON LTD. , 關西電力股份有限公司 THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC. , 住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. , 三菱商事股份有限公司 MITSUBISHI CORPORATION
发明人：鹽見弘 SHIOMI, HIROMU , 木下博之 KINOSHITA, HIROYUKI
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/36 , C30B23/00 , Y10S438/931
摘要：本發明提供一種SiC單晶(2a)，其包括作為受體之第一摻雜劑及作為予體之第二摻雜劑，其中該第一摻雜劑之含量係不低於5×1015個原子/立方厘米，該第二摻雜劑之含量係不低於5×1015個原子/立方厘米，且該第一摻雜劑之含量大於該第二摻雜劑之含量。本發明提供一種製造碳化矽單晶(2a)之方法，其具有以下步驟：藉由將金屬硼化物與包括碳及矽之材料混合來製備原料(2)；汽化該原料(2)；產生包括碳、矽、硼及氮之混合氣體；及藉由使該混合氣體在晶種基板(1)之表面上再結晶，而在該晶種基板(1)之表面上成長包括硼及氮的碳化矽單晶(2a)。
简体摘要：本发明提供一种SiC单晶(2a)，其包括作为受体之第一掺杂剂及作为予体之第二掺杂剂，其中该第一掺杂剂之含量系不低于5×1015个原子/立方厘米，该第二掺杂剂之含量系不低于5×1015个原子/立方厘米，且该第一掺杂剂之含量大于该第二掺杂剂之含量。本发明提供一种制造碳化硅单晶(2a)之方法，其具有以下步骤：借由将金属硼化物与包括碳及硅之材料混合来制备原料(2)；汽化该原料(2)；产生包括碳、硅、硼及氮之混合气体；及借由使该混合气体在晶种基板(1)之表面上再结晶，而在该晶种基板(1)之表面上成长包括硼及氮的碳化硅单晶(2a)。

7. 发明专利

TWI252653B 路徑設定方法以及採用該路徑設定方法之網路、中繼局及主局有权
简体标题：路径设置方法以及采用该路径设置方法之网络、中继局及主局
公开(公告)号：TWI252653B
公开(公告)日：2006-04-01
申请号：TW093128831
申请日：2004-09-23
申请人：關西電力股份有限公司 THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC. , 松下電工股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC WORKS, LTD.
发明人：前川浩二 KOJI MAEGAWA , 井英樹 HIDEKI SAKAI , 山本心司 SHINJI YAMAMOTO
IPC分类号： H04L
CPC分类号： H04L45/16 , H04B3/58 , H04B2203/5479 , H04L29/06 , H04L45/02 , H04L67/14 , H04W40/02 , Y02D70/30
摘要：本發明提供一種自動設定網路路徑之路徑設定方法。於本發明之由傳輸線路連接複數中繼局及主局所構成之網路中生成路徑的路徑設定方法中，主局及複數中繼局反復廣播發送包含自身之識別符號以及路徑設定情況之基本資訊，同時接收到此資訊之其他中繼局對主局或者已設定臨時路徑之中繼局進行識別，向所識別出之某局發送包含自身之傳輸線路之傳輸品質之接收環境表，接收到此表之中繼局利用臨時路徑將其轉發給主局，以此將接收環境表通知主局，主局對發送接收環境表之中繼局進行臨時路徑設定，並且主局由較近之中繼局開始至較遠之中繼局，逐步收集各局間之傳輸線路之傳輸品質以自動設定路徑。
简体摘要：本发明提供一种自动设置网络路径之路径设置方法。于本发明之由传输线路连接复数中继局及主局所构成之网络中生成路径的路径设置方法中，主局及复数中继局反复广播发送包含自身之标识符以及路径设置情况之基本信息，同时接收到此信息之其他中继局对主局或者已设置临时路径之中继局进行识别，向所识别出之某局发送包含自身之传输线路之传输品质之接收环境表，接收到此表之中继局利用临时路径将其转发给主局，以此将接收环境表通知主局，主局对发送接收环境表之中继局进行临时路径设置，并且主局由较近之中继局开始至较远之中继局，逐步收集各局间之传输线路之传输品质以自动设置路径。

8. 发明专利

TW200520456A 路徑設定方法以及採用該路徑設定方法之網路、中繼局及主局审中-公开
简体标题：路径设置方法以及采用该路径设置方法之网络、中继局及主局
公开(公告)号：TW200520456A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW093128831
申请日：2004-09-23
申请人：關西電力股份有限公司 THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC. , 松下電工股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC WORKS, LTD.
发明人：前川浩二 KOJI MAEGAWA , 井英樹 HIDEKI SAKAI , 山本心司 SHINJI YAMAMOTO
IPC分类号： H04L
CPC分类号： H04L45/16 , H04B3/58 , H04B2203/5479 , H04L29/06 , H04L45/02 , H04L67/14 , H04W40/02 , Y02D70/30
摘要：本發明提供一種自動設定網路路徑之路徑設定方法。於本發明之由傳輸線路連接複數中繼局及主局所構成之網路中生成路徑的路徑設定方法中，主局及複數中繼局反復廣播發送包含自身之識別符號以及路徑設定情況之基本資訊，同時接收到此資訊之其他中繼局對主局或者已設定臨時路徑之中繼局進行識別，向所識別出之某局發送包含自身之傳輸線路之傳輸品質之接收環境表，接收到此表之中繼局利用臨時路徑將其轉發給主局，以此將接收環境表通知主局，主局對發送接收環境表之中繼局進行臨時路徑設定，並且主局由較近之中繼局開始至較遠之中繼局，逐步收集各局間之傳輸線路之傳輸品質以自動設定路徑。
简体摘要：本发明提供一种自动设置网络路径之路径设置方法。于本发明之由传输线路连接复数中继局及主局所构成之网络中生成路径的路径设置方法中，主局及复数中继局反复广播发送包含自身之标识符以及路径设置情况之基本信息，同时接收到此信息之其他中继局对主局或者已设置临时路径之中继局进行识别，向所识别出之某局发送包含自身之传输线路之传输品质之接收环境表，接收到此表之中继局利用临时路径将其转发给主局，以此将接收环境表通知主局，主局对发送接收环境表之中继局进行临时路径设置，并且主局由较近之中继局开始至较远之中继局，逐步收集各局间之传输线路之传输品质以自动设置路径。

9. 发明专利

TWI427645B 多角形架空線有权
简体标题：多角形架空线
公开(公告)号：TWI427645B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW096139675
申请日：2007-10-23
申请人：維世佳有限公司 , VISCAS CORPORATION , 關西電力股份有限公司 , THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC.
发明人：菊地直志 , KIKUCHI, NAOSHI , 上地正夫 , KAMIJI, MASAO , 雪野昭寬 , YUKINO, TERUHIRO , 藤本勝大 , FUJIMOTO, KATSUHIRO
IPC分类号： H01B7/00
CPC分类号： H01B5/006

10. 发明专利

TW200637477A 高耐熱電力用靜止機器审中-公开
简体标题：高耐热电力用静止机器
公开(公告)号：TW200637477A
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：TW095102493
申请日：2006-01-23
申请人：關西電力股份有限公司 THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC.
发明人：菅原良孝 SUGAWARA, YOSHITAKA
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H01G2/10 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08L83/04 , C08L2205/03 , H01B7/292 , H01F27/327 , Y10T428/31544 , Y10T428/31721 , C08L83/00
摘要：本發明之高耐熱電力用靜止機器，其係高耐熱電力用靜止機器之至少一個的構成要素以合成高分子化合物A被覆。合成高分子化合物A係使至少一種之第1有機矽聚合物與至少一種之第2有機矽聚合物結合而成之第3有機矽聚合物複數結合而構成。第1有機矽聚合物係具有以矽氧烷鍵所得到之交聯構造。第2有機矽聚合物係具有以矽氧烷鍵所得到之線狀結合構造。第3有機矽聚合物係使第1有機矽聚合物與第2有機矽聚合物以矽氧烷鍵而結合所構成、且具有2萬～80萬之分子量。合成高分子化合物A係使複數之第3有機矽聚合物藉加成反應所產生之共價鍵而結合構成且具有三次元立體構造。
简体摘要：本发明之高耐热电力用静止机器，其系高耐热电力用静止机器之至少一个的构成要素以合成高分子化合物A被覆。合成高分子化合物A系使至少一种之第1有机硅聚合物与至少一种之第2有机硅聚合物结合而成之第3有机硅聚合物复数结合而构成。第1有机硅聚合物系具有以硅氧烷键所得到之交联构造。第2有机硅聚合物系具有以硅氧烷键所得到之线状结合构造。第3有机硅聚合物系使第1有机硅聚合物与第2有机硅聚合物以硅氧烷键而结合所构成、且具有2万～80万之分子量。合成高分子化合物A系使复数之第3有机硅聚合物藉加成反应所产生之共价键而结合构成且具有三次元三維构造。

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