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    • 3. 发明申请
    • PRODUCTION METHOD FOR A POROUS MICRO NEEDLE ASSEMBLY HAVING REAR FACE CONNECTION AND CORRESPONDING POROUS MICRO NEEDLE ASSEMBLY
    • 方法背部连接和适当的多孔微针结构多孔微针结构
    • WO2011095386A2
    • 2011-08-11
    • PCT/EP2011050549
    • 2011-01-17
    • BOSCH GMBH ROBERTSTUMBER MICHAELFEYH ANDO
    • STUMBER MICHAELFEYH ANDO
    • B81C1/00
    • B81C1/00111A61M37/0015A61M2037/0023A61M2037/003A61M2037/0046A61M2037/0053B81B2201/055B81C2201/0115
    • The invention relates to a production method for a porous micro needle assembly having rear face connection and corresponding porous micro needle assembly. The method comprises the following steps: forming a micro needle assembly (4) having at least one micro needle (4a; 4b) on the front face (VS) of a semiconductor substrate (1) which rises from a supporting region (1b) of the semiconductor substrate (1); forming a masking layer (2) on the rear face of the semiconductor substrate (1), wherein the masking layer (2) has a through passage (3a; 3b) in the rear face region (RS'; RS") of the at least one micro needle (4a; 4b); and porosifying the micro needle assembly (4) and at least one part of the supporting region (1b) in an anodic etching process, which etches the micro needle assembly (4) and the supporting layer (4) selectively opposite the masking layer (2), wherein a current flow (I) runs through the through passage (3a; 3b) starting from the micro needle assembly (4); wherein the at least one micro needle (4a; 4b) and a region of the supporting layer (1b) located above the through passage (3a; 3b) in the rear face region (RS'; RS") thereof are positioned so that a porous micro needle (4a1; 4b') is created having the through passage (3a; 3b) as a rear face connection.
    • 本发明提供了一种多孔微针阵列与后方连接和相应的多孔微针阵列的制造方法。 该方法包括以下步骤:形成(4),其具有至少一个微针的微针阵列(4A; 4B)在半导体衬底的前侧(VS)(1)从支撑部分的半导体基片的(1B)(1)电荷延伸; 形成掩蔽层(2)在半导体衬底(1)的背面,其中,所述掩模层(2)具有一个通孔(3A; 3B)在后区(RS“; RS“);具有至少一个微针(4B 4A);和多孔化 微针阵列(4)和至少一个阳极蚀刻过程,其蚀刻微针阵列(4)和所述支撑层(4)有选择地相对于所述掩蔽层(2),其中的电流流动(I)从所述微针阵列开始所述支撑部(1B)的一部分 (4)穿过通孔(3A; 3B)延伸,其中,所述至少一个微针(4A; 4B)和在后区(RS“; RS“)的通道开口上述(3A; 3B)支撑层的位于区(1b)的 作为一个后端子形成;(3B 3A),使得多孔微针(4A1,4B“)与所述通孔被呈现多孔的。
    • 5. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MIKRONADELN IN EINEM SI-HALBLEITERSUBSTRAT
    • 用于在硅基半导体衬底生产微型针数
    • WO2008003564A1
    • 2008-01-10
    • PCT/EP2007/055691
    • 2007-06-11
    • ROBERT BOSCH GMBHSTUMBER, MichaelREICHENBACH, RalfFEYH, Ando
    • STUMBER, MichaelREICHENBACH, RalfFEYH, Ando
    • B81C1/00A61M37/00
    • B81C1/00111A61M37/0015A61M2037/0053B81B2201/055B81B2203/0361B81C2201/0115
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Mikronadeln in einem Si-Halbleitersubstrat, umfassend die folgenden Schritte: a) Aufbringen einer zusammenhängenden Maskierungsschicht (1) auf der äusseren Oberfläche eines Si-Halbleitersubstrats (6); b) Strukturieren der Maskierungsschicht (1), wobei in der Maskierungsschicht (1) eine Vielzahl diskreter durchgehender Löcher (2) mit einem Durchmesser im Bereich von ≥ 0,5 μm bis ≥ 100 μm ausgebildet werden; c) Erzeugen von Ausnehmungen (8) in dem Si-Halbleitersubstrat (6) durch isotropes Ätzen, indem Ätzmittel durch die diskreten Löcher (2) in der Maskierungsschicht (1) hindurchtritt, wobei die Ausnehmungen ausgehend von den diskreten Löchern (2) radial geätzt werden, wobei das Verhältnis von Ätztiefe zu seitlicher Unterätzweite der erzeugten Ausnehmungen (8) im Bereich von 1: 1 bis 4: 1 liegt; d) Abbrechen des Ätzvorgangs nachdem sich Mikronadeln mit mehreckigen Spitzen zwischen benachbarten Löchern (2) ausgebildet haben; e) optional Abtrennen oder Vereinzeln der Mikronadeln von dem Si- Halbleitersubstat (6).
    • 本发明涉及一种用于生产在Si半导体衬底的微针的方法,包括以下步骤:在Si半导体衬底(6)的外表面上a)施加的连续掩蔽层(1); b)中图案化所述掩模层(1),其中,在所述掩蔽层(1)是多个离散的通孔(2)与直径在= 0.5微米至100微米=形成的范围内; c)产生的凹部(8)在所述Si半导体衬底(6)通过各向同性蚀刻由离散的孔使蚀刻剂(2)(在掩模层1),其特征在于,在开始的凹部(从离散孔2)径向地蚀刻 是,其特征在于,蚀刻深度的比率到外侧产生的凹部的底切的宽度(8)在从1:1至4:1; D)取消具有多边形峰微针后(在蚀刻工艺相邻的孔2之间)已经形成; e)任选地分离或分割所述硅Halbleitersubstat(6)的微针。
    • 10. 发明申请
    • MICROMECHANICAL COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
    • 微机械结构与方法研究
    • WO2009132891A2
    • 2009-11-05
    • PCT/EP2009052970
    • 2009-03-13
    • BOSCH GMBH ROBERTBUCK THOMASSTUMBER MICHAEL
    • BUCK THOMASSTUMBER MICHAEL
    • B81C1/00
    • B81C1/00158B81B2201/016B81B2201/0264B81C1/00666H01H59/0009
    • The invention relates to a method for producing micromechanical components, wherein a substrate (1) having at least one metal layer (3, 6, 7, 7') and a sacrificial layer (5, 5') comprising SiGe are structured and the sacrificial layer (5, 5') is at least partially removed by etching with a fluorine-containing compound such as ClF3, the substrate (1) which carries the sacrificial layer (5, 5') and the metal layer (3, 6, 7, 7') being tempered at a temperature of = 100 °C to = 400 °C prior to the sacrificial layer (5, 5') being etched. The material of the metal layer (3, 6, 7, 7') can comprise aluminum. The invention further relates to a micromechanical component which comprises a metal layer (3, 6, 7, 7'), the material of the metal layer having a polycrystalline structure and = 90% of the crystallites having a size of = 1 µm to = 100 µm. The invention also relates to the use of said micromechanical components as pressure sensors, high-frequency switches or as varactor.
    • 一种用于制备微机械部件,方法,其中在衬底(1),具有至少一个金属层(3,6,7,7“)和硅锗全面牺牲层(5,5”)被构造并且进一步其中(牺牲层5,5 ),基板(1),其中所述牺牲层(5,5“)和所述金属层(3,6“)是通过用含氟化合物如ClF 3的至少部分之前再次蚀刻所述牺牲层(5,5蚀刻,其特征在于,除去” ,7,7“)携带,在= 100°C = 400℃的温度下进行退火。 金属层(3,6,7,7“)的材料可以包括铝。 本发明还涉及一种微机械部件,其包括金属层(3,6,7,7“),其中,所述金属层中存在的多晶微观结构和材料,其中,= 90%的微晶的尺寸= 1微米到= 100微米 和使用这种微机械的作为压力传感器,高频开关或变容二极管。