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1. 发明公开

KR20100088079A Method for manufacturing a semiconductor component and structure therefor 审中-公开
标题翻译：制造半导体元件及其结构的方法
公开(公告)号：KR20100088079A
公开(公告)日：2010-08-06
申请号：KR20100006800
申请日：2010-01-26
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND
发明人： CELAYA PHILLIP , LETTERMAN JAMES P JR , MARQUIS ROBERT L
IPC分类号： H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49582 , H01L21/561 , H01L23/3107 , H01L23/495 , H01L23/49541 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10162 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19107 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012
摘要： PURPOSE: A method and a structure thereof are provided to reduce manufacturing costs by implementing a clean available copper surface where a solder is adhered. CONSTITUTION: A lead frame(16) with leadframe leads(12) is buried inside a mold composite. At least one part of the leadframe lead is exposed. A conductive material(40) is formed on the exposed part. The conductive material is barrel-pated on the exposed part. A mold composite is separated in order to form singulated semiconductor devices.
摘要翻译：目的：提供一种方法和结构，以通过实施粘附焊料的清洁可用铜表面来降低制造成本。构成：具有引线框引线（12）的引线框架（16）被埋在模具复合体内。引线框架引线的至少一部分被暴露。导电材料（40）形成在暴露部分上。导电材料在暴露的部分上被枪管。分离模具复合体以形成单个半导体器件。

2. 发明公开

KR20180025234A 오프셋 분산 능력을 갖는 아날로그-디지털 변환기 회로 审中-公开
标题翻译： - 具有偏置分布能力的模拟至数字转换器电路
公开(公告)号：KR20180025234A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR20170108550
申请日：2017-08-28
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND LLC
发明人： SHIMAMURA NOBUTAKA , SUZUKI KAZUHISA
IPC分类号： H03M1/12 , H03M1/18
CPC分类号： H04N5/3698 , H03M1/002 , H03M1/0607 , H03M1/12 , H04N5/3765 , H04N5/378
摘要： 아날로그-디지털변환기(ADC) 회로는다수의아날로그신호를수신하고대응하는디지털신호들을출력할수 있다. 변환프로세스동안, 비교기들은아날로그신호및 램프파형을수신하고, 두입력을비교하여논리신호들을생성할수 있다. 논리신호들은 ADC 회로에의해출력되는디지털신호들에대응한다. 오프셋분산능력을가능하게하기위해, 오프셋분산회로는비교기들의입력들에선택적으로결합될수 있다. 오프셋분산회로는기준전압들을제공하는전압공급기를비교기들에결합하는스위치들을포함할수 있다. 기준전압들은커패시터를통해비교기들에오프셋전압들로서전달될수 있다. 오프셋전압들은상이한 ADC 유닛들의전력소비를상쇄시키고 ADC 회로에결합된전력소스들에서의전력서지들을감소시키기위해상이한 ADC 유닛들에대해상이할수 있다.
摘要翻译：模数转换器（ADC）电路可以接收多个模拟信号并输出相应的数字信号。在转换过程中，比较器可以接收模拟信号和斜坡波形，并比较两个输入以生成逻辑信号。逻辑信号对应于由ADC电路输出的数字信号。为了实现偏移分配能力，偏移分配电路可以选择性地耦合到比较器的输入。偏移分配电路可以包括将提供参考电压的电压源耦合到比较器的开关。参考电压可以作为偏移电压经由电容器传送到比较器。对于不同的ADC单元，偏移电压可以不同，以抵消不同ADC单元的功耗，并减少耦合到ADC电路的电源中的功率浪涌。

3. 发明公开

KR20180029872A 전원 잡음 제거 능력을 갖는 이미지 센서 审中-公开
标题翻译：图像传感器与电源噪声抑制能力
公开(公告)号：KR20180029872A
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：KR20170112681
申请日：2017-09-04
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND LLC
发明人： SUZUKI KAZUHISA
IPC分类号： H04N5/357 , H04N5/369
CPC分类号： H04N5/361 , H04N5/335 , H04N5/357 , H04N5/3575 , H04N5/3577 , H04N5/3698 , H04N5/378
摘要： 이미지센서는액티브픽셀을갖는픽셀들의어레이를포함할수 있다. 액티브픽셀은입사광에응답하여이미지신호들을생성할수 있다. 이미지센서는또한전원및 부스터회로를포함할수 있다. 전원은제1 잡음성분을갖는전원전압신호를액티브픽셀에제공할수 있다. 부스터회로는제1 잡음성분의반전버전인제2 잡음성분을갖는제어신호를액티브픽셀에제공할수 있다. 제2 잡음성분을갖는제어신호는원하지않는잡음성분(예컨대, 전원잡음)인제1 잡음성분을제거하는데 사용될수 있다. 부스터회로는연산증폭기, 다양한구성으로연산증폭기의 2개의입력단자및 하나의출력단자에결합되는커패시터들및 스위치들을포함할수 있다.
摘要翻译：图像传感器可以包括具有有源像素的像素阵列。有源像素可响应入射光而产生图像信号。图像传感器还可以包括电源和升压电路。电源可以向有源像素提供具有第一噪声分量的电源电压信号。升压器电路可以向有源像素提供控制信号，该控制信号具有作为第一噪声分量的反相版本的第二噪声分量。具有第二噪声分量的控制信号可以用于抑制作为不需要的噪声分量（例如，电源噪声）的第一噪声分量。升压器电路可以包括运算放大器，电容器以及以各种配置耦合到运算放大器的两个输入端子和一个输出端子的开关。

4. 发明公开

KR20070120023A FILTER HAVING INTEGRATED FLOATING CAPACITOR AND TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSION STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE 审中-公开
标题翻译：具有集成浮动电容器和瞬态电压抑制结构的滤波器及其制造方法
公开(公告)号：KR20070120023A
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：KR20070044945
申请日：2007-05-09
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND
发明人： SHASTRI SUDHAMA C , THOMAS MARK A , HURLEY RYAN J , HEMINGER DAVID M , WEN YENTING
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H03H7/01 , H01F17/0006 , H01F27/40 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A filter having an incorporated floating capacitor and a transient voltage suppression structure is provided to incorporate a passive element in a transient voltage suppression device by including a filter structure in which a first floating capacitor device and a first transient voltage suppression device share a doped region of a second conductivity type formed in a semiconductor substrate of a first conductivity type. A semiconductor substrate of a first conductivity type has a first main surface. A first floating capacitor device is formed near to the first main surface. A first transient voltage suppression device(337) is formed near to the first main surface. A first floating capacitor device and a first transient voltage suppression device share a doped region of a second conductivity type formed in the semiconductor substrate. A first multilayered inductor overlays at least a part of the semiconductor substrate, including first and second terminals. The first multilayered inductor includes a first conductor overlaying the part of the semiconductor substrate, a second conductor overlaying at least a part of the first conductor, and a first dielectric disposed between the first and second conductors.
摘要翻译：提供具有并入的浮动电容器和瞬态电压抑制结构的滤波器，以通过包括滤波器结构将无源元件并入到瞬态电压抑制装置中，其中第一浮动电容器装置和第一瞬态电压抑制装置共享第形成在第一导电类型的半导体衬底中的第二导电类型。第一导电类型的半导体衬底具有第一主表面。在第一主表面附近形成第一浮动电容器件。在第一主表面附近形成第一瞬态电压抑制装置（337）。第一浮动电容器器件和第一瞬态电压抑制器件共享在半导体衬底中形成的第二导电类型的掺杂区域。第一多层电感器覆盖半导体衬底的至少一部分，包括第一和第二端子。第一多层电感器包括覆盖半导体衬底的一部分的第一导体，覆盖第一导体的至少一部分的第二导体和设置在第一和第二导体之间的第一电介质。

5. 发明公开

KR20180054733A 광 분리를 이용하는 고명암비 픽셀 审中-公开
公开(公告)号：KR20180054733A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：KR20187010647
申请日：2016-08-12
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND LLC
发明人： MLINAR MARKO , BOETTIGER ULRICH , MAURITZSON RICHARD
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369 , H04N9/04
CPC分类号： H01L27/14621 , H01L27/14607 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14645 , H04N5/3696 , H04N9/04
摘要： 이미지센서(16)가중첩된서브픽셀을가진픽셀(22)을포함할수 있다. 중첩된서브픽셀을가진픽셀(22)은타원형또는직사각형의집광영역을가진내측서브픽셀(202)을포함할수 있다. 내측서브픽셀은기판에형성될수 있고, 하나이상의서브픽셀을포함하는서브픽셀그룹(204)으로직접둘러싸여있을수 있다. 내측서브픽셀(202)은표면(216)에하나이상의외측서브픽셀그룹의집광영역보다덜 민감한집광영역을가지고있을수 있다. 광이내측서브픽셀그룹(202)에서중첩된서브픽셀내의외측서브픽셀그룹(204) 쪽으로향하도록, 마이크로렌즈(1040)가중첩된서브픽셀위에형성될수 있다. 단일색의컬러필터(1250)가중첩된서브픽셀위에형성될수 있다. 내측서브픽셀, 및하나이상의외측서브픽셀그룹위에단일컬러필터영역(1150)을가진하이브리드컬러필터가사용될수도있다.

6. 发明公开

KR20180029217A 회로 장치 및 그의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：电路装置及其制造方法
公开(公告)号：KR20180029217A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：KR20180026938
申请日：2018-03-07
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND LLC
发明人： MASHIMO SHIGEAKI , HORIUCHI FUMIO , KUDO KIYOAKI , SAKURAI AKIRA , INAGAKI YUHKI
IPC分类号： H01L23/58 , H01L23/00 , H01L23/495 , H01L23/498 , H01L25/065 , H05K3/28
CPC分类号： H02M7/537 , H01L21/4825 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L23/4334 , H01L23/49531 , H01L23/49541 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/20753 , H05K1/0203 , H05K1/181 , Y10T29/4916 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/00012
摘要： 방열성이높고또한소형인회로장치를제공한다. 본발명의혼성집적회로장치(10)에서는, 회로기판(12)의상면에리드(18) 및리드(20)가고착되어있다. 리드(18)는아일랜드부(28), 경사부(30) 및리드부(32)를구비하고있고, 아일랜드부(28)의상면에트랜지스터(22) 및다이오드(24)가실장된다. 그리고, 트랜지스터(22) 및다이오드(24)의상면에설치된전극은금속세선(26)을경유해서본딩부(34)와접속된다. 리드(18)의본딩부(34)는아일랜드부(28)보다도상방에배치됨으로써본딩부(34)에접속되는금속세선(26)끼리가이격된다.
摘要翻译：在一种形式中，一种制造电路器件的方法包括提供引线框架，所述引线框架包括多个引线，每个引线包括岛部分，从岛部分升高的结合部分，倾斜延伸以连接岛部分的倾斜部分和结合部分以及从结合部分延伸的引线部分。第一和第二晶体管以及第一和第二二极管安装在相应的第一和第二引线的岛部分的上表面上，并且通过将晶体管和二极管连接到各引线的键合部分的布线连接到各引线。岛部的下表面附着到电路板的上表面，并且电路板，晶体管，二极管和引线框被树脂封装，使得引线部分不被树脂覆盖。

7. 发明申请

WO2011133749A2 PIXEL ARCHITECTURE AND METHOD 审中-公开
标题翻译：像素结构和方法
公开(公告)号：WO2011133749A2
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：PCT/US2011033388
申请日：2011-04-21
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND , DE WIT YANNICK
发明人： DE WIT YANNICK
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/374
CPC分类号： H04N5/3741 , H04N5/3745
摘要： In accordance with an embodiment, a pixel includes at least two switches, each switch having a control terminal and first and second current carrying terminals. The control terminals of the first and second switches are commonly connected together. In accordance with another embodiment, a method for transferring charge from a first switch to a capacitance includes applying voltage to the commonly connected control terminals of the first and second switches.
摘要翻译：根据一个实施例，像素包括至少两个开关，每个开关具有控制端子以及第一载流端子和第二载流端子。第一和第二开关的控制端子共同连接在一起。根据另一实施例，一种用于将电荷从第一开关转移到电容的方法包括将电压施加到第一和第二开关的公共连接的控制端子。

8. 发明申请

WO2010011219A3 METHOD OF FORMING A SWITCHING REGULATOR AND STRUCTURE THEREFOR 审中-公开
标题翻译：形成开关稳压器及其结构的方法
公开(公告)号：WO2010011219A3
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：PCT/US2008070874
申请日：2008-07-23
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND , BASSO CHRISTOPHE , CYR NICOLAS
发明人： BASSO CHRISTOPHE , CYR NICOLAS
IPC分类号： H02M3/335
CPC分类号： H02M3/33507 , H02M3/33523 , H02M2001/0016 , H02M2001/0025 , Y10T29/49002
摘要： In one embodiment, a power supply controller is configured to receive a sense signal (CS) having a negative value that is proportional to the input voltage. The power supply controller uses the sense signal to limit the switch (27) current through the switch responsively to the value of the input voltage.
摘要翻译：在一个实施例中，电源控制器被配置为接收具有与输入电压成比例的负值的感测信号（CS）。电源控制器使用感测信号来响应于输入电压的值来限制开关（27）通过开关的电流。

9. 发明申请

WO2006107564A2 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ENHANCED PERFORMANCE AND METHOD 审中-公开
标题翻译：具有增强性能和方法的半导体器件
公开(公告)号：WO2006107564A2
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：PCT/US2006009488
申请日：2006-03-16
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND , HVVI SEMICONDUCTORS INC
发明人： LOECHELT GARY H , LUTZ DAVID H , DAVIES ROBERT B
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/41 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/402 , H01L21/26586 , H01L21/2815 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/7802
摘要： In one embodiment, a semiconductor device is formed in a body of semiconductor material. The semiconductor device includes a localized region of doping near a portion of a channel region where current exits during operation.
摘要翻译：在一个实施例中，半导体器件形成在半导体材料体中。半导体器件包括在操作期间电流离开的沟道区域的一部分附近的局部化掺杂区域。

10. 发明申请

WO2005038548A3 POWER CONTROL SYSTEM STARTUP METHOD AND CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：电源控制系统启动方法和电路
公开(公告)号：WO2005038548A3
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/US2004031994
申请日：2004-09-30
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND , SUKUP FRANTISEK , HALAMIK JOSEF , HALL JEFFERSON W
发明人： SUKUP FRANTISEK , HALAMIK JOSEF , HALL JEFFERSON W
IPC分类号： H02M1/00 , H02M1/36
CPC分类号： H02M1/36
摘要： A power control system (70) uses two separate currents to control a startup operation of the power control system. One of the currents has a small value and is used to charge an output voltage to an initial value. Once the initial value is reached, a second current that has a large value is used to charge the output voltage to an operating voltage value.
摘要翻译：功率控制系统（70）使用两个单独的电流来控制功率控制系统的启动操作。其中一个电流值较小，用于将输出电压充电至初始值。一旦达到初始值，则使用具有大值的第二电流来将输出电压充电到工作电压值。

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