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1. 发明专利

TW200834704A 改善表面之方法 METHOD OF IMPROVING A SURFACE 审中-公开
公开(公告)号：TW200834704A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096135789
申请日：2007-09-26
申请人： S.O.I. 矽科技絕緣體工業公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：林溫 LIN, WEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02636
摘要：本發明係關於一種改善一半導體基板表面之方法,該表面至少部分包括矽。本發明之目的係提供一種改善一半導體基板表面之方法,該表面至少部分包括矽,其中藉由此方法,出現於該半導體基板內或上之缺陷可以真正地經修補,以提供一具有高表面品質之半導體基板。此目的係可由上述類型之方法解決,其中該方法包括一沈積步驟,該沈積步驟包含該半導體基板表面上之至少一孔內的選擇性磊晶沈積。
简体摘要：本发明系关于一种改善一半导体基板表面之方法,该表面至少部分包括硅。本发明之目的系提供一种改善一半导体基板表面之方法,该表面至少部分包括硅,其中借由此方法,出现于该半导体基板内或上之缺陷可以真正地经修补,以提供一具有高表面品质之半导体基板。此目的系可由上述类型之方法解决,其中该方法包括一沉积步骤,该沉积步骤包含该半导体基板表面上之至少一孔内的选择性磊晶沉积。

2. 发明专利

TW200816398A 直接結合電子學、光學或光電子學所用二基板之方法 A METHOD OF DIRECT BONDING TWO SUBSTRATES USED IN ELECTRONICS, OPTICS, OR OPTOELECTRONICS 审中-公开
简体标题：直接结合电子学、光学或光电子学所用二基板之方法 A METHOD OF DIRECT BONDING TWO SUBSTRATES USED IN ELECTRONICS, OPTICS, OR OPTOELECTRONICS
公开(公告)号：TW200816398A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW096120116
申请日：2007-06-05
申请人： S.O.I. 矽科技絕緣體工業公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：奧立佛雷莎克 RAYSSAC, OLIVIER , 康士坦汀伯德里 BOURDELLE, KONSTANTIN , 卡洛斯馬楚瑞 MAZURE, CARLOS
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/187
摘要：本發明係關於一種直接結合電子學、光學或光電子學所用二基板(1、2)之前部面(11、21)的方法,該等基板中之至少一者包含一在其前部面(11、21)上或其附近延伸之半導體材料層(1、13、2、20、23)。該方法之値得注意處在於其包含以下步驟:使包含一半導體之該基板之至少該前部面(11、21),或若二基板皆包含一半導體則該二基板的該等前部面(11、21)中之至少一者在一位於900℃至1200℃之範圍中的溫度下在一包含氫氣及/或氬氣之氣體氣氛中經受結合之前的製備熱處理且持續至少30 s之一持續時期;及將用於結合在一起之該二基板(1、2)之該等各別前部面(11、21)直接結合在一起。
简体摘要：本发明系关于一种直接结合电子学、光学或光电子学所用二基板(1、2)之前部面(11、21)的方法,该等基板中之至少一者包含一在其前部面(11、21)上或其附近延伸之半导体材料层(1、13、2、20、23)。该方法之値得注意处在于其包含以下步骤:使包含一半导体之该基板之至少该前部面(11、21),或若二基板皆包含一半导体则该二基板的该等前部面(11、21)中之至少一者在一位于900℃至1200℃之范围中的温度下在一包含氢气及/或氩气之气体气氛中经受结合之前的制备热处理且持续至少30 s之一持续时期;及将用于结合在一起之该二基板(1、2)之该等各别前部面(11、21)直接结合在一起。

3. 发明专利

TW200913130A 使複合基板沿著脆化面破裂的方法與裝置 METHOD AND INSTALLATION FOR FRACTURING A COMPOSITE SUBSTRATE ALONG AN EMBRITTLEMENT PLANE 审中-公开
简体标题：使复合基板沿着脆化面破裂的方法与设备 METHOD AND INSTALLATION FOR FRACTURING A COMPOSITE SUBSTRATE ALONG AN EMBRITTLEMENT PLANE
公开(公告)号：TW200913130A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097127506
申请日：2008-07-18
申请人： S.O.I.矽科技絕緣體工業公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：大衛里格斯 LEGROS, DAVID
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/187 , H01L21/67098 , H01L21/76254 , Y10T156/1189 , Y10T156/1972
摘要：本發明係關於一種使一複合結構(100)沿著一在兩層之間界定的脆化面破裂的方法,該方法包含沿著該脆化面在該結構中產生一破裂。在破裂期間,該複合結構係佈置在一晶舟殼罩(120)中並與加强器(118)接觸保持,該等加强器係佈置在該結構之兩側上並彼此平行對齊。
简体摘要：本发明系关于一种使一复合结构(100)沿着一在两层之间界定的脆化面破裂的方法,该方法包含沿着该脆化面在该结构中产生一破裂。在破裂期间,该复合结构系布置在一晶舟壳罩(120)中并与加强器(118)接触保持,该等加强器系布置在该结构之两侧上并彼此平行对齐。

4. 发明专利

TWI267167B 多功能之金屬接合 MULTIFUNCTIONAL METALLIC BONDING 有权
简体标题：多功能之金属接合 MULTIFUNCTIONAL METALLIC BONDING
公开(公告)号：TWI267167B
公开(公告)日：2006-11-21
申请号：TW093126531
申请日：2004-09-02
申请人： S.O.I. 矽科技絕緣體工業公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , 法國原子能源委員會 COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人：希巴斯坦克迪里斯 KERDILES, SEBASTIEN , 法布萊斯里特崔 LETERTRE, FABRICE , 赫伯特莫里蘇 MORICEAU, HUBERT , 克里斯多夫莫拉里斯 MORALES, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L33/0079 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明關於一種在稱作最終基板的基板(107)上，製造一半導體材料薄層(104)之方法，其包含：
在一稱作最初支架(101)之支架上形成該半導體材料層；
藉金屬接合方式組合該薄層(104)及最終基板(107)；
以機械方式將最初支架(101)與該薄層(107)分離。
所得之一中間基板能用以製造各種例如像發光二極體或雷射二極體之零件。本方法能以原始材料在最終基板上產生一薄層，該原始材料能藉非破壞性機械脫模之壓痕法循環利用。
简体摘要：本发明关于一种在称作最终基板的基板(107)上，制造一半导体材料薄层(104)之方法，其包含：在一称作最初支架(101)之支架上形成该半导体材料层；藉金属接合方式组合该薄层(104)及最终基板(107)；以机械方式将最初支架(101)与该薄层(107)分离。所得之一中间基板能用以制造各种例如像发光二极管或激光二极管之零件。本方法能以原始材料在最终基板上产生一薄层，该原始材料能藉非破坏性机械脱模之压痕法循环利用。

5. 发明专利

TW200830368A 製造半導體異質結構之方法 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE 审中-公开
简体标题：制造半导体异质结构之方法 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE
公开(公告)号：TW200830368A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096139361
申请日：2007-10-19
申请人： S.O.I. 矽科技絕緣體工業公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：西西里奧尼特 AULNETTE, CECILE , 克里斯多夫費古特 FIGUET, CHRISTOPHE , 尼可拉斯達沃 DAVAL, NICOLAS
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要：本發明係關於一種製造一半導體異質結構之方法,該方法包括製造一施體晶圓及製造一操作晶圓,且將該施體晶圓與該操作晶圓接合。製造施體晶圓包括:提供一具有一第一面內晶格參數之第一基板;在該第一基板上提供一空間漸變緩衝層,該緩衝層頂部上在一鬆弛狀態下具有一第二面內晶格參數;在該漸變緩衝層上形成一半導體材料之非漸變層,該非漸變層在一鬆弛狀態下具有一第三面內晶格參數;在該非漸變層上形成一半導體材料之頂部層。製造操作晶圓包括:提供一第二基板;在該第二基板上形成一絕緣體層。本發明之目標係在接合前減少該具有頂部層之施體晶圓基板上之熱負載且仍達成良好的接合結果。該目標藉由一上述類型之方法解決,根據該方法:該非漸變層係一應變平滑層,其中該應變平滑層之第三面內晶格參數係在該第一與第二晶格參數之間,且該操作晶圓係以下述方式與該施體晶圓接合:將該操作晶圓之絕緣體層直接接合至該施體晶圓之頂部層之自由表面上,或將該操作晶圓之絕緣體層接合至存在於該施體晶圓之頂部層之表面上之表面層上,該表面層具有等於或小於10奈米之厚度。
简体摘要：本发明系关于一种制造一半导体异质结构之方法,该方法包括制造一施体晶圆及制造一操作晶圆,且将该施体晶圆与该操作晶圆接合。制造施体晶圆包括:提供一具有一第一面内晶格参数之第一基板;在该第一基板上提供一空间渐变缓冲层,该缓冲层顶部上在一松弛状态下具有一第二面内晶格参数;在该渐变缓冲层上形成一半导体材料之非渐变层,该非渐变层在一松弛状态下具有一第三面内晶格参数;在该非渐变层上形成一半导体材料之顶部层。制造操作晶圆包括:提供一第二基板;在该第二基板上形成一绝缘体层。本发明之目标系在接合前减少该具有顶部层之施体晶圆基板上之热负载且仍达成良好的接合结果。该目标借由一上述类型之方法解决,根据该方法:该非渐变层系一应变平滑层,其中该应变平滑层之第三面内晶格参数系在该第一与第二晶格参数之间,且该操作晶圆系以下述方式与该施体晶圆接合:将该操作晶圆之绝缘体层直接接合至该施体晶圆之顶部层之自由表面上,或将该操作晶圆之绝缘体层接合至存在于该施体晶圆之顶部层之表面上之表面层上,该表面层具有等于或小于10奈米之厚度。

6. 发明专利

TW200822193A 高溫層移轉之方法 PROCESS FOR HIGH TEMPERATURE LAYER TRANSFER 审中-公开
简体标题：高温层移转之方法 PROCESS FOR HIGH TEMPERATURE LAYER TRANSFER
公开(公告)号：TW200822193A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096134093
申请日：2007-09-12
申请人： S.O.I 矽科技絕緣體工業公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：賽維爾希伯司 HEBRAS, XAVIER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254
摘要：本發明係關於一種將一層(4)自一施體晶圓(1)移轉至一接收晶圓(6)之方法,其包含:a)該施體晶圓(1)中至少一物質意欲形成一微腔或片晶層之離子植入步驟(S2),b)一接合步驟(S3),其藉由分子接合將該施體晶圓(1)之表面(7)接合於該接收晶圓(6)之一表面(8)上,c)一分裂步驟,其在高溫下藉由形成於該施體晶圓(1)中之該微腔或片晶層分裂而使與該接收基板(6)接觸之該層(4)分離,該方法亦包含該施體晶圓(1)之一處理步驟(S1)以捕集步驟a)期間植入物質的原子直至步驟c)期間達到一釋放溫度,以在低於該釋放溫度時阻斷或限制微腔或片晶的形成。
简体摘要：本发明系关于一种将一层(4)自一施体晶圆(1)移转至一接收晶圆(6)之方法,其包含:a)该施体晶圆(1)中至少一物质意欲形成一微腔或片晶层之离子植入步骤(S2),b)一接合步骤(S3),其借由分子接合将该施体晶圆(1)之表面(7)接合于该接收晶圆(6)之一表面(8)上,c)一分裂步骤,其在高温下借由形成于该施体晶圆(1)中之该微腔或片晶层分裂而使与该接收基板(6)接触之该层(4)分离,该方法亦包含该施体晶圆(1)之一处理步骤(S1)以捕集步骤a)期间植入物质的原子直至步骤c)期间达到一释放温度,以在低于该释放温度时阻断或限制微腔或片晶的形成。

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