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    • 1. 发明授权
    • High density via and metal interconnect structures, and methods of forming the same
    • 高密度通孔和金属互连结构及其形成方法
    • US07939445B1
    • 2011-05-10
    • US12049229
    • 2008-03-14
    • Pantas SutardjaAlbert WuWinston LeePeter LeeChien-Chuan WeiRunzi Chang
    • Pantas SutardjaAlbert WuWinston LeePeter LeeChien-Chuan WeiRunzi Chang
    • H01L21/4763
    • H01L21/76816H01L21/76838
    • Methods and structures for interconnects in semiconductor devices are described. A method of forming a mask pattern for a metal layer in an interconnect can include searching a layout for a metal feature with a predetermined size and an interconnect layer aligned thereto, removing the metal feature from the layout to form a modified layout, and reforming the mask pattern using the modified layout. The metal interconnect may include a first pattern of metal lines, each having a minimum feature size in a layout view in no more than one dimension; a dielectric layer on or over the first pattern of metal lines, having a substantially planar horizontal upper surface; and vias or contacts in the dielectric layer, the vias or contacts contacting a top surface of the first pattern of metal lines and a top surface of silicon structures, vias, or contacts below the first pattern of metal lines.
    • 描述了半导体器件中互连的方法和结构。 在互连中形成用于金属层的掩模图案的方法可以包括搜索具有预定尺寸的金属特征的布局和与其对准的互连层,从布局去除金属特征以形成修改的布局,并且重新形成 掩模图案使用修改的布局。 金属互连可以包括金属线的第一图案,每个金属线在布局视图中具有不超过一个维度的最小特征尺寸; 金属线的第一图案上或之上的介电层,具有基本上平面的水平上表面; 以及电介质层中的通孔或触点,接触金属线的第一图案的顶表面的通孔或触点以及金属线的第一图案之下的硅结构,通孔或触点的顶表面。