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    • 3. 发明申请
      WO1996007300A2 MANUFACTURE OF ELECTRONIC DEVICES COMPRISING THIN-FILM CIRCUITRY 审中-公开
    • MANUFACTURE OF ELECTRONIC DEVICES COMPRISING THIN-FILM CIRCUITRY
    • 包含薄膜电路的电子器件的制造
    • WO1996007300A2
    • 1996-03-07
    • PCT/IB1995000559
    • 1995-07-13
    • PHILIPS ELECTRONICS N.V. , PHILIPS NORDEN AB , PHILIPS ELECTRONICS UK LIMITED
    • PHILIPS ELECTRONICS N.V. , PHILIPS NORDEN AB , PHILIPS ELECTRONICS UK LIMITED , YOUNG, Nigel, David
    • H05K00/00
    • H01L27/1237 , G02F1/136204 , H01L27/1214
    • In the manufacture of liquid-crystal display devices and other large-area electronics devices, electrostatic discharge damage (ESD) of tracks and other thin-film circuit elements can result during ion implantation and/or during handling. This damage is avoided by connecting the thin-film circuitry in a charge leakage path with gateable TFT links (45). These links (45) are TFTs (45) with a common gate line (7) for applying a gate bias voltage to control current flow through the links, e.g. to turn off the TFTs (45) during testing of the device circuit. In accordance with the present invention the gateable links (45) in the leakage path are removed simultaneously by applying a sufficiently high gate bias (Vg2) to the common gate line (7) to break the links (45) by evaporating at least the channel regions (6) of the TFTs. A suitable thin-film structure is chosen for the TFTs (45) to facilitate evaporating their channel regions (6) in this manner. The TFTs (45) may have a very thin gate dielectric layer (8), and a channel region (6) which is narrowed in the area of overlap with the gate (7). An over-layer (44) may protect the device circuitry from debris resulting from blowing the links (45). This protective layer (44) may have windows (42) which expose the gateable links (45).
    • 在液晶显示装置和其他大面积电子装置的制造中，可以在离子注入和/或处理期间导致轨迹和其它薄膜电路元件的静电放电损伤（ESD）。 通过将电荷泄漏路径中的薄膜电路连接到可门的TFT链路（45）来避免这种损坏。 这些链路（45）是具有公共栅极线（7）的TFT（45），用于施加栅极偏置电压以控制通过链路的电流，例如， 以在器件电路的测试期间关闭TFT（45）。 根据本发明，通过向公共栅极线（7）施加足够高的栅极偏压（Vg2）来同时去除泄漏路径中的可选择链路（45），以通过至少蒸发通道来破坏链路（45） TFT的区域（6）。 为了便于以这种方式蒸发它们的通道区域（6），TFT（45）选择合适的薄膜结构。 TFT（45）可以具有非常薄的栅极介质层（8）和在与栅极（7）重叠的区域中变窄的沟道区域（6）。 覆层（44）可以保护设备电路免受吹送链路（45）造成的碎片。 该保护层（44）可以具有暴露可门式连接件（45）的窗口（42）。
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    • 4. 发明申请
      WO1996002964A2 A TRANSFERRED ELECTRON EFFECT DEVICE 审中-公开
    • A TRANSFERRED ELECTRON EFFECT DEVICE
    • 转移电子效应器件
    • WO1996002964A2
    • 1996-02-01
    • PCT/IB1995000550
    • 1995-07-10
    • PHILIPS ELECTRONICS N.V. , PHILIPS NORDEN AB , PHILIPS ELECTRONICS UK LIMITED
    • PHILIPS ELECTRONICS N.V. , PHILIPS NORDEN AB , PHILIPS ELECTRONICS UK LIMITED , BATTERSBY, Stephen, John
    • H01S00/00
    • H01L47/026 , H01S5/2009 , H01S5/3215
    • A semiconductor body (2) has an active region (6) of n conductivity type formed of a material having a relatively low mass, high mobility conduction band main minimum and at least one relatively high mass, low mobility conduction band satellite minimum and an injector region (9) defining a potential barrier (P) to the flow of electrons into the active region (6) of a height such that, in operation of the device, electrons with sufficient energy to surmount the barrier (P) provided by the injector region (9) are emitted into the active region (6) with an energy comparable to that of the at least one relatively high mass, low mobility conduction band satellite minimum. An electron containing well region (10a, 10b) of a material different from that of the active region (6) and of the injector region (9) is provided between the injector region (9) and the active region (6) for inhibiting the spread of a depletion region into the active region (6) during operation of the device.
    • 半导体本体（2）具有由具有较低质量，高迁移率导带主要最小值和至少一个相对高质量的低迁移率导带卫星最小值的材料形成的n导电类型的有源区域（6） 区域（9）限定到进入有源区域（6）的高度的电子流的势垒（P），使得在器件的操作中，具有足够能量以超过由注入器提供的势垒（P）的电子 区域（9）以与至少一个相对较高质量的低迁移率导带卫星最小值的能量相当的能量发射到有源区域（6）中。 在喷射器区域（9）和有源区域（6）之间设置与活性区域（6）和喷射器区域（9）不同的材料的含电子阱区（10a，10b），用于抑制 在器件操作期间，耗尽区扩展到有源区（6）。
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    • 8. 发明申请
      WO1995017239A1 APPARATUS FOR REMOVING PARTICLES FROM A FLUID 审中-公开
    • APPARATUS FOR REMOVING PARTICLES FROM A FLUID
    • 从流体中去除颗粒的装置
    • WO1995017239A1
    • 1995-06-29
    • PCT/IB1994000436
    • 1994-12-21
    • PHILIPS ELECTRONICS N.V. , PHILIPS NORDEN AB , PHILIPS ELECTRONICS UK LIMITED , RYDER, Dennis
    • PHILIPS ELECTRONICS N.V. , PHILIPS NORDEN AB , PHILIPS ELECTRONICS UK LIMITED
    • B01D51/02
    • B03C3/10 , B03C3/0175 , B03C3/155
    • A charging chamber (24) incorporates an arrangement (7, 8) for causing some particles in fluid flowing through the charging chamber (24) from an inlet (6) of the apparatus to attain an electrical charge of one polarity and other particles to attain an electrical charge of a polarity opposite to the one polarity. A mixing chamber (9) communicates with the charging chamber (24) to allow oppositely charged particles in fluid flowing through the charging chamber (24) to mix to form larger particles. A filtering arrangement (10) is positioned between the mixing chamber (9) and an outlet (11) of the apparatus (1) for removing particles from fluid flowing through the mixing chamber (9) before the fluid reaches the outlet (11). Particles within fluid passing through the apparatus (1) are thus caused to combine or agglomerate with other oppositely charged particles to form larger particles which can be more easily filtered, so allowing for the use of a less expensive filtering arrangement or alternatively allowing the removal from the fluid flow of smaller particles.
    • 充电室（24）包括用于使流体中的一些颗粒从设备的入口（6）流过充电室（24）的装置（7,8）以获得一个极性的电荷和其它颗粒以获得 与极性相反极性的电荷。 混合室（9）与充电室（24）连通，以允许流过充电室（24）的流体中相反带电的颗粒混合以形成较大的颗粒。 过滤装置（10）位于混合室（9）和装置（1）的出口（11）之间，用于在流体到达出口（11）之前从流过混合室（9）的流体中除去颗粒。 因此，通过装置（1）的流体内的颗粒与其他带相反电荷的颗粒结合或附聚以形成更容易过滤的较大颗粒，因此允许使用较便宜的过滤装置，或者替代地允许从 较小颗粒的流体流动。
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