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1. 发明申请

US20190267215A1 METHOD FOR MANUFACTURING AN ANNULAR THIN FILM OF SYNTHETIC MATERIAL AND DEVICE FOR CARRYING OUT SAID METHOD 审中-公开
公开(公告)号：US20190267215A1
公开(公告)日：2019-08-29
申请号：US16320439
申请日：2017-07-18
申请人： NEOCOAT SA
发明人： David Rats , Medhi Naamoun , Christophe Provent
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/458
摘要： Methods and reactors are disclosed for producing synthetic material on a substrate by microwave plasma activated chemical vapor deposition. The method comprises the step of providing a microwave plasma reactor configured to provide a plasma having a toroidal shape. The reactor comprises a resonant cavity and a substrate holder arranged to hold, preferably, an annular shaped substrate or a plurality of substrates arranged in an annular configuration.

2. 发明申请

US20160032450A1 METHOD FOR A DIAMOND VAPOR DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：金刚石蒸气沉积方法
公开(公告)号：US20160032450A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：US14779488
申请日：2014-02-25
申请人： NEOCOAT SA
发明人： David Rats , Christophe Provent
IPC分类号： C23C16/27 , B81C1/00 , H01L21/02 , H01J37/32 , C01B31/06
CPC分类号： C23C16/274 , B81C1/00373 , C01B32/25 , C23C16/045 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/32293 , H01J37/32403 , H01J37/32678 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01L21/02115 , H01L21/02274
摘要： The present invention relates to a method for depositing nanocrystalline diamond using a diamond vapor deposition facility which includes: a vacuum reactor including a reaction chamber connected to a vacuum source; a plurality of plasma sources arranged along a matrix that is at least two-dimensional in the reaction chamber; and a substrate holder arranged in the reactor, said method being characterized in that the deposition is carried out at a temperature of 100 to 500° C.
摘要翻译：本发明涉及使用金刚石气相沉积设备沉积纳米晶金刚石的方法，该方法包括：真空反应器，包括连接到真空源的反应室; 沿反应室中至少二维的矩阵排列的多个等离子体源; 以及布置在反应器中的衬底保持器，所述方法的特征在于沉积在100-500℃的温度下进行。

3. 发明申请

WO2014154424A3 METHOD FOR A DIAMOND VAPOR DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：金刚石蒸气沉积的方法
公开(公告)号：WO2014154424A3
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：PCT/EP2014053658
申请日：2014-02-25
申请人： NEOCOAT SA
发明人： RATS DAVID , PROVENT CHRISTOPHE
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/27 , C23C16/511 , H01J37/32 , H05H1/18
CPC分类号： C23C16/274 , B81C1/00373 , C01B32/25 , C23C16/045 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/32293 , H01J37/32403 , H01J37/32678 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01L21/02115 , H01L21/02274
摘要： The present invention relates to a method for depositing nanocrystalline diamond using a diamond vapor deposition facility which includes: a vacuum reactor (3) including a reaction chamber connected to a vacuum source; a plurality of plasma sources arranged along a matrix that is at least two-dimensional in the reaction chamber; and a substrate holder (5) arranged in the reactor, said method being characterized in that the deposition is carried out at a temperature of 100 to 500°C.
摘要翻译：本发明涉及一种使用金刚石气相沉积设备沉积纳米晶金刚石的方法，该设备包括：真空反应器（3），其包括连接至真空源的反应室; 沿着在所述反应室中至少二维的矩阵布置的多个等离子体源; 和布置在反应器中的衬底保持器（5），所述方法的特征在于沉积在100-500℃的温度下进行。

4. 发明申请

WO2021069620A1 CVD REACTOR FOR MANUFACTURING SYNTHETIC FILMS AND METHODS OF FABRICATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2021069620A1
公开(公告)日：2021-04-15
申请号：PCT/EP2020/078330
申请日：2020-10-08
申请人： NEOCOAT SA
发明人： RATS, David , PROVENT, Christophe
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/27 , C23C16/26 , C23C16/34 , C23C16/32 , C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/32 , H05H1/00
摘要： The invention provides a microwave plasma reactor (1) for manufacturing synthetic material via chemical vapor deposition, comprising: - a plasma enclosure (2) comprising a base plate (102), a top plate (108) and a side wall (104, 106) extending from said base plate (102); - one or several plasma sources (100) comprising at least one microwave generator (100') configured to generate microwaves in said plasma enclosure (2); - an array (10) of plasma applicators (100'''), which extremities are positioned in the plasma enclosure (2) according to a predetermined pattern, The invention is also achieved by methods of fabrication of coatings and to the use of the reactor (1) of the invention so as to provide coated samples. Such coated samples are also covered by the invention.

5. 发明申请

WO2018019669A1 METHOD FOR MANUFACTURING AN ANNULAR THIN FILM OF SYNTHETIC MATERIAL AND DEVICE FOR CARRYING OUT SAID METHOD 审中-公开
标题翻译：制造合成材料环形薄膜的方法和实施所述方法的装置
公开(公告)号：WO2018019669A1
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：PCT/EP2017/068158
申请日：2017-07-18
申请人： NEOCOAT SA
发明人： RATS, David , NAAMOUN, Medhi , PROVENT, Christophe
IPC分类号： C23C16/27 , H01J37/32 , C23C16/511
摘要： In the present invention a method is disclosed for producing synthetic material on a substrate by microwave plasma activated chemical vapor deposition. The method comprises the step of providing a microwave plasma reactor configured to provide a plasma having a toroidal shape. The reactor comprises a resonant cavity and a substrate holder arranged to hold, preferably, an annular shaped substrate or a plurality of substrates arranged in an annular configuration. When the reactor is in operation, it forms a plasma which has a toroidal shape and is aligned and proximate to a substrate whereupon a ring of synthetic hard material is grown over the growth surface of the substrate. The invention is also achieved by a plasma reactor that is configured to provide a plasma having a toroidal shape facing at least one substrate to be coated with an annular shaped hard material such as diamond.
摘要翻译：在本发明中公开了一种通过微波等离子体激活化学气相沉积在基底上制造合成材料的方法。该方法包括提供配置成提供具有环形形状的等离子体的微波等离子体反应器的步骤。所述反应器包括谐振腔和衬底保持器，所述衬底保持器被布置成优选地保持环形配置的环形衬底或多个衬底。当反应器在操作中时，它形成具有环形形状的等离子体并且与衬底对准并靠近衬底，由此在衬底的生长表面上生长合成硬质材料环。本发明还通过一种等离子体反应器来实现，该等离子体反应器被配置为提供具有环形形状的等离子体，该等离子体面向至少一个待涂覆有诸如金刚石的环形硬质材料的基板。

6. 发明申请

WO2014154424A2 PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE DIAMANT EN PHASE VAPEUR 审中-公开
标题翻译：金刚石蒸气沉积方法
公开(公告)号：WO2014154424A2
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/EP2014/053658
申请日：2014-02-25
申请人： NEOCOAT SA
发明人： RATS, David , PROVENT, Christophe
IPC分类号： C23C16/04
CPC分类号： C23C16/274 , B81C1/00373 , C01B32/25 , C23C16/045 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/32293 , H01J37/32403 , H01J37/32678 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01L21/02115 , H01L21/02274
摘要： La présente invention concerne un procédé de dépôt de diamant nanocristallin mettant en œuvre un équipement de dépôt de diamant en phase vapeur comprenant : - un réacteur sous vide (3) comprenant une chambre de réaction reliée à une source de vide, - une pluralité de sources de plasma, disposées selon une matrice au moins bidimensionnelle dans la chambre de réaction, - un porte-substrat (5) disposé dans le réacteur, ledit procédé étant caractérisé en ce que le dépôt est effectué à une température comprise entre 100 et 500°C.
摘要翻译：本发明涉及使用金刚石气相沉积设备沉积纳米晶金刚石的方法，该方法包括：真空反应器（3），其包括连接到真空源的反应室; 沿反应室中至少二维的矩阵排列的多个等离子体源; 和布置在所述反应器中的衬底保持器（5），所述方法的特征在于，所述沉积在100至500℃的温度下进行。

7. 发明公开

EP3491166A1 METHOD FOR MANUFACTURING AN ANNULAR THIN FILM OF SYNTHETIC MATERIAL AND DEVICE FOR CARRYING OUT SAID METHOD 审中-公开
公开(公告)号：EP3491166A1
公开(公告)日：2019-06-05
申请号：EP17740027.2
申请日：2017-07-18
申请人： NeoCoat SA
发明人： RATS, David , NAAMOUN, Medhi , PROVENT, Christophe
IPC分类号： C23C16/27 , H01J37/32 , C23C16/511

8. 发明公开

EP2784175A1 Equipement de dépôt de diamant en phase vapeur 审中-公开
标题翻译： Ausrüstungzur Diamantaufbringung in der Dampfphase
公开(公告)号：EP2784175A1
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：EP13161778.9
申请日：2013-03-28
申请人： NeoCoat SA
发明人： Rats, David , Provent, Christophe
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/511 , C23C16/27 , H05H1/18 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/274 , B81C1/00373 , C01B32/25 , C23C16/045 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/32293 , H01J37/32403 , H01J37/32678 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01L21/02115 , H01L21/02274
摘要： La présente invention concerne un équipement de dépôt de diamant en phase vapeur comprenant :
- un réacteur sous vide (3) comprenant une chambre de réaction reliée à une source de vide,
- un porte-substrat (5) disposé dans le réacteur.
Selon l'invention, l'équipement comporte une pluralité de sources de plasma, disposées selon une matrice tridimensionnelle dans la chambre de réaction, chaque source présentant une zone active située dans la chambre de réaction, le nombre de sources ponctuelles étant compris entre 80 et 320 par mètre carré de surface de plasma.
摘要翻译：该装置包括：真空反应器（3），包括连接到真空源的反应室; 布置在反应器中的衬底保持器（5）以及沿着反应室中的三维矩阵布置的一组等离子体源。每个等离子体源在反应室中具有活性区，并且多个点源为等离子体表面的80-320 / m 2，等离子体的点源为同轴施加器（6）。同轴施加器在其位于反应室中的端部具有限定活动区域的窗口。独立权利要求包括：（1）沉积纳米晶体金刚石的方法; 和（2）通过该方法获得的部分。

9. 发明专利

CH710326B1 Cadran de montre et montre équipée d'un tel cadran. 未知
公开(公告)号：CH710326B1
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：CH16802014
申请日：2014-11-03
申请人： NEOCOAT SA
发明人： CHRISTOPHE PROVENT , DAVID RATS
IPC分类号： G04B19/12 , C23C16/01 , C23C16/27 , C23C16/56 , G04B45/02
摘要： L'invention concerne un cadran de montre caractérisé en ce qu'il est constitué entièrement ou partiellement d'une couche de diamant autoportante, permettant de laisser visible le mécanisme de la montre, en offrant une transparence améliorée. L'invention concerne également une montre munie d'un tel cadran.

10. 发明专利

CH707800B1 Procédé de dépôt de diamant en phase vapeur et équipement pour réaliser ce procédé. 未知
公开(公告)号：CH707800B1
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：CH6932013
申请日：2013-03-28
申请人： NEOCOAT SA
发明人： DAVID RATS , CHRISTOPH PROVENT
IPC分类号： C23C16/27
摘要： La présente invention concerne un procédé de dépôt de diamant nanocristallin, caractérisé en ce qu’il est effectué à une température comprise entre 100 et 500 °C, à une pression comprise entre 0.1 et 1 mbar et en ce qu’il est sur un substrat présentant une surface non plane. Un autre aspect de l’invention concerne un équipement pour réaliser ce procédé.

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