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1. 发明申请

WO2013018015A3 A PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES COMPRISING THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF ELEMENTAL GERMANIUM AND/OR Si1-XGeX MATERIAL IN THE PRESENCE OF A CMP COMPOSITION COMPRISING A SPECIFIC ORGANIC COMPOUND 审中-公开
标题翻译：在包含特定有机化合物的CMP组合物存在下，制备包含元素锗和/或Si1-XGeX材料的化学机械抛光的半导体器件的制造方法
公开(公告)号：WO2013018015A3
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/IB2012053877
申请日：2012-07-30
申请人： BASF SE , NOLLER BASTIAN MARTEN , DRESCHER BETTINA , GILLOT CHRISTOPHE , LI YUZHUO , BASF CHINA CO LTD
发明人： NOLLER BASTIAN MARTEN , DRESCHER BETTINA , GILLOT CHRISTOPHE , LI YUZHUO
IPC分类号： C09G1/02
CPC分类号： H01L21/30625 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/00 , H01L21/02024 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of elemental germanium and/or Si1-xGex material with 0.1
摘要翻译：在化学机械抛光（CMP）组合物的存在下，包括化学机械抛光元素锗和/或Si1-xGex材料，其中0.1≤x≤1的半导体器件的制造方法，包括：（A）无机颗粒，有机颗粒或其混合物或复合物，（B）至少一种类型的氧化剂，（C）至少一种类型的有机化合物，其包含至少{k}部分（Z），但不包括阴离子的盐是无机的，其唯一的有机阳离子是[NR11R12R13R14] +，其中{k}是1,2或3，（Z）是羟基（-OH），烷氧基（-OR1），杂环烷氧基（-OR1，杂环结构），羧酸（-COOH），羧酸酯（-COOR 2），氨基（-NR 3 R 4），杂环氨基（作为杂环结构的一部分的-NR 3 R 4），亚氨基（= N-R 5或-N = （= N-R5或-N = R6作为杂环结构的一部分），膦酸酯（-P（= O）（OR 7）（OR 8）），磷酸酯（-O-P（= O））），膦酸（-P（= 0）（OH）2），磷酸（-O-P（= O）（OH）2）部分，或其质子化或去质子化形式，R 1，R 2，R 7，R 9彼此独立地是烷基，芳基，烷基芳基或芳基烷基，R 3，R 4，R 5，R 8，R 10彼此独立地为H，烷基，芳基，烷基芳基或芳基烷基，R 6为亚烷基或芳基亚烷基，R 11，R 12，R 13独立地为其中，H，烷基，芳基，烷基芳基或芳基烷基，R11，R12，R13不包含任何部分（Z），R 14是烷基，芳基，烷基芳基或芳基烷基，R 14不包含任何部分（Z）和（D）水性介质。

2. 发明申请

WO2012127398A1 A CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) COMPOSITION COMPRISING A POLYMERIC POLYAMINE 审中-公开
标题翻译：包含聚合多胺的化学机械抛光（CMP）组合物
公开(公告)号：WO2012127398A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/IB2012/051292
申请日：2012-03-19
申请人： BASF SE , NOLLER, Bastian Marten , LI, Yuzhuo , FRANZ, Diana , RUSHING, Kenneth , LAUTER, Michael , SHEN, Daniel Kwo-Hung , LAN, Yongqing , BAO, Zhenyu , BASF (CHINA) COMPANY LIMITED
发明人： NOLLER, Bastian Marten , LI, Yuzhuo , FRANZ, Diana , RUSHING, Kenneth , LAUTER, Michael , SHEN, Daniel Kwo-Hung , LAN, Yongqing , BAO, Zhenyu
IPC分类号： C09G1/02
CPC分类号： C09G1/02 , C09G1/16 , H01L21/30625
摘要： A chemical-mechanical polishing (CMP) composition comprising (A) inorganic particles, organic particles, or a composite or mixture thereof, (B) a polymeric polyamine or a salt thereof comprising at least one type of pendant group (Y) which comprises at least one moiety (Z), wherein (Z) is a carboxylate (-COOR 1 ), sulfonate (-SO 3 R 2 ), sulfate (-O-SO 3 R 3 ), phos- phonate (-P(=O)(OR 4 )(OR 5 ) ), phosphate (-O-P(=O)(OR 6 )(OR 7 ) ), carboxylic acid (-COOH), sulfonic acid (-SO 3 H), sulfuric acid (-O-SO 3 -), phosphonic acid (-P(=O)(OH) 2 ), phosphoric acid (-O-P(=O)(OH) 2 ) moiety, or their deproto- nated forms, R 1 is alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl R 2 is alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R 3 is alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R 4 is alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R 5 is H, alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R 6 is alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R 7 is H, alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, and (C) an aqueous medium.
摘要翻译：一种化学机械抛光（CMP）组合物，其包含（A）无机颗粒，有机颗粒或其复合材料或混合物，（B）聚合多胺或其盐，其包含至少一种类型的侧基（Y），其包含至少一个部分（Z），其中（Z）是羧酸酯（-COOR1），磺酸酯（-SO3R2），硫酸酯（-O-SO3R3），磷酸酯（-P（= O）（OR4），磷酸酯（-OP（= O）（OR 6）（OR 7）），羧酸（-COOH），磺酸（-SO 3 H），硫酸（-O-SO 3 - ），膦酸（-P（= O）（OH）2），磷酸（-OP（= O）（OH）2）部分或其脱羧形式，R1是烷基，芳基，烷基芳基或芳烷基R2是烷基，芳基，烷基芳基或芳基烷基， R 3是烷基，芳基，烷基芳基或芳烷基，R 4是烷基，芳基，烷基芳基或芳烷基，R 5是H，烷基，芳基，烷基芳基或芳基烷基，R 6是烷基，烷基，芳基，烷基芳基或芳烷基，和（C）水性介质。

3. 发明申请

WO2013018016A3 A PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES COMPRISING THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF ELEMENTAL GERMANIUM AND/OR Si1-XGeX MATERIAL IN THE PRESENCE OF A CMP COMPOSITION HAVING A pH VALUE OF 3.0 TO 5.5 审中-公开
公开(公告)号：WO2013018016A3
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/IB2012/053878
申请日：2012-07-30
申请人： BASF SE , NOLLER, Bastian Marten , DRESCHER, Bettina , GILLOT, Christophe , LI, Yuzhuo , BASF (CHINA) COMPANY LIMITED
发明人： NOLLER, Bastian Marten , DRESCHER, Bettina , GILLOT, Christophe , LI, Yuzhuo
IPC分类号： B24B29/02
摘要： A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of elemental germanium and/or Si 1-x Ge x material with 0.1 ≤ x

4. 发明申请

WO2013018015A2 A PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES COMPRISING THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF ELEMENTAL GERMANIUM AND/OR Si1-XGeX MATERIAL IN THE PRESENCE OF A CMP COMPOSITION COMPRISING A SPECIFIC ORGANIC COMPOUND 审中-公开
标题翻译：在包含特定有机化合物的CMP组合物存在下，制备包含元素锗和/或Si1-XGeX材料的化学机械抛光的半导体器件的制造方法
公开(公告)号：WO2013018015A2
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/IB2012/053877
申请日：2012-07-30
申请人： BASF SE , NOLLER, Bastian Marten , DRESCHER, Bettina , GILLOT, Christophe , LI, Yuzhuo , BASF (CHINA) COMPANY LIMITED
发明人： NOLLER, Bastian Marten , DRESCHER, Bettina , GILLOT, Christophe , LI, Yuzhuo
CPC分类号： H01L21/30625 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/00 , H01L21/02024 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of elemental germanium and/or Si 1-x Ge x material with 0.1 ≤ x 11 R 12 R 13 R 14 ] + , wherein {k} is 1, 2 or 3, (Z) is a hydroxyl (-OH), alkoxy (-OR 1 ), heterocyclic alkoxy (-OR 1 as part of a heterocyclic structure), carboxylic acid (-COOH), carboxylate (-COOR 2 ), amino (-NR 3 R 4 ), heterocyclic amino (-NR 3 R 4 as part of a heterocyclic structure), imino (=N-R 5 or -N=R 6 ), heterocyclic imino (=N-R 5 or -N=R 6 as part of a heterocyclic structure), phosphonate (-P(=0)(OR 7 )(OR 8 ) ), phosphate (-0-P(=0)(OR 9 )(OR 10 ) ), phosphonic acid (-P(=0)(OH) 2 ), phosphoric acid (-0-P(=0)(OH) 2 ) moiety, or their protonated or deprotonated forms, R 1 , R 2 , R 7 , R 9 is - independently from each other - alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R 3 , R 4 , R 5 , R 8 , R 10 is - independently from each other - H, alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R 6 is alkylene, or arylalkylene, R 11 , R 12 , R 13 is - independently from each other - H, alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, and R 11 , R 12 , R 13 does not comprise any moiety (Z), R 14 is alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, and R 14 does not comprise any moiety (Z), and (D) an aqueous medium.
摘要翻译：在化学机械抛光（CMP）组合物的存在下，包括化学机械抛光元素锗和/或Si1-xGex材料，其中0.1 = x <1的半导体器件的制造方法包括：（A）无机颗粒，有机物颗粒或其混合物或复合物，（B）至少一种类型的氧化剂，（C）至少一种类型的有机化合物，其包含至少{k}部分（Z），但不包括阴离子的盐无机且仅有机阳离子为[NR11R12R13R14] +，其中{k}为1,2或3，（Z）为羟基（-OH），烷氧基（-OR1），杂环烷氧基（-OR1为杂环的一部分结构），羧酸（-COOH），羧酸酯（-COOR 2），氨基（-NR 3 R 4），杂环氨基（作为杂环结构的一部分的-NR 3 R 4），亚氨基（= N-R 5或-N = （-O-R（OR = O）（OR 8）（OR 8）），磷酸（-O-P（= O）），膦酸（-P（= ）（OH）2），磷酸（-O-P（= O）（OH）2）部分或其质子化或去质子化形式，R 1，R 2，R 7，R 9彼此独立地为烷基，芳基，烷基芳基或芳基烷基，R 3，R 4，R 5，R 8，R 10彼此独立地为H，烷基，芳基，烷基芳基或芳烷基，R 6为亚烷基或芳基亚烷基，R 11，R 12，R 13为彼此独立的 - 烷基，芳基，烷基芳基或芳烷基，并且R 11，R 12，R 13不包含任何部分（Z），R 14是烷基，芳基，烷基芳基或芳基烷基，并且R 14不包含任何部分（Z），和（D）水性介质。

5. 发明申请

WO2012046183A1 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) COMPOSITION 审中-公开
标题翻译：化学机械抛光（CMP）组合物
公开(公告)号：WO2012046183A1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/IB2011/054355
申请日：2011-10-04
申请人： BASF SE , DRESCHER, Bettina , NOLLER, Bastian Marten , SCHMITT, Christine , SUGIHARTO, Albert Budiman , LI, Yuzhuo , BASF (CHINA) COMPANY LIMITED
发明人： DRESCHER, Bettina , NOLLER, Bastian Marten , SCHMITT, Christine , SUGIHARTO, Albert Budiman , LI, Yuzhuo
IPC分类号： C09G1/02
CPC分类号： C09K13/04 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , C09K13/06 , H01L21/30625 , H01L21/3212
摘要： A chemical mechanical polishing (CMP) composition Abstract Use of a chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising (A)inorganic particles, organic particles, or a mixture thereof, (B)a heteropolyacid or a salt thereof, (C)a salt comprising chloride, fluoride, bromide, or a mixture thereof as anion, and (D)an aqueous medium, for polishing a substrate comprising a self-passivating metal, germanium, nickel phosphorous (NiP), or a mixture thereof.
摘要翻译：化学机械抛光（CMP）组合物摘要使用包含（A）无机颗粒，有机颗粒或其混合物的化学机械抛光（CMP）组合物，（B）杂多酸或其盐，（C）氯化物，氟化物，溴化物或其混合物作为阴离子，和（D）水性介质，用于抛光包含自钝化金属，锗，镍磷（NiP）或其混合物的基材。

6. 发明申请

WO2013018016A2 A PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES COMPRISING THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF ELEMENTAL GERMANIUM AND/OR Si1-XGeX MATERIAL IN THE PRESENCE OF A CMP COMPOSITION HAVING A pH VALUE OF 3.0 TO 5.5 审中-公开
标题翻译：在具有3.0至5.5的pH值的CMP组合物存在下，包含元素锗和/或Si1-XGeX材料的化学机械抛光的半导体器件的制造方法
公开(公告)号：WO2013018016A2
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/IB2012053878
申请日：2012-07-30
申请人： BASF SE , NOLLER BASTIAN MARTEN , DRESCHER BETTINA , GILLOT CHRISTOPHE , LI YUZHUO , BASF CHINA CO LTD
发明人： NOLLER BASTIAN MARTEN , DRESCHER BETTINA , GILLOT CHRISTOPHE , LI YUZHUO
CPC分类号： H01L21/30625 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024
摘要： A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of elemental germanium and/or Si1-xGex material with 0.1 = x
摘要翻译：一种用于制造半导体器件的方法，其包括在化学机械抛光（CMP）组合物存在下，在pH值范围为0.1至1.0的范围内，元素锗和/或Si1-xGex材料的化学机械抛光为0.1 = x < 3.0至5.5，并且包括：（A）无机颗粒，有机颗粒或其混合物或复合物，（B）至少一种类型的氧化剂，和（C）水性介质。

7. 发明申请

WO2012077063A1 AQUEOUS POLISHING COMPOSITION AND PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATES CONTAINING SILICON OXIDE DIELECTRIC AND POLYSILICON FILMS 审中-公开
标题翻译：含有氧化硅介电和多晶硅膜的化学机械抛光底材的水性抛光组合物和工艺
公开(公告)号：WO2012077063A1
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：PCT/IB2011/055506
申请日：2011-12-07
申请人： BASF SE , Venkataraman, Shyam, Sundar , SU, Eason Yu-Shen , Kingma, Arend, Jouke , Noller, Bastian, Marten , BASF (CHINA) COMPANY LIMITED
发明人： Venkataraman, Shyam, Sundar , SU, Eason Yu-Shen , Kingma, Arend, Jouke , Noller, Bastian, Marten
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/32
CPC分类号： H01L21/30625 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
摘要： An aqueous polishing composition comprising (A) abrasive ceria particles and (B) amphiphilic nonionic surfactants selected water-soluble and water-dispersible, linear and branched polyoxyalkylene blockcopolymers of the general formula I: R[(B1) m /(B2) n Y] p (I), wherein the indices and the variables have the following meaning: m, n, and p integers ≥ 1; R hydrogen atom or monovalent or polyvalent organic residue, except C 5 -C 20 alkyl groups; (B1) block of oxyethylene monomer units; (B2) block of substituted oxyalkylene monomer units wherein the substituents are selected from two methyl groups, alkyl groups of more than two carbon atoms and cycloalkyl, aryl, alkyl-cycloalkyl, alkyl-aryl, cycloalkyl-aryl and alkyl-cycloalkyl-aryl groups; and Y hydrogen atom or monovalent organic residue, except C 5 -C 20 alkyl groups; with the proviso that when (B) contains more than one block (B1) or (B2) two blocks of the same type are separated by a block of the other type.
摘要翻译：一种水性抛光组合物，其包含（A）磨料二氧化铈颗粒和（B）两亲性非离子表面活性剂，其选自水溶性和水分散性的通式I的直链和支链聚氧化烯嵌段共聚物：[（B1）m /（B2）nY] p（I），其中索引和变量具有以下含义：m，n和p整数= 1; R氢原子或一价或多价有机残基，除了C 5 -C 20烷基; （B1）氧化乙烯单体单元的嵌段; （B2）取代的氧化烯单体单元，其中取代基选自两个甲基，两个以上碳原子的烷基和环烷基，芳基，烷基 - 环烷基，烷基 - 芳基，环烷基 - 芳基和烷基 - 环烷基 - 芳基 ; 和Y氢原子或一价有机残基，但C 5 -C 20烷基除外; 条件是当（B）包含多于一个块（B1）或（B2）时，两个相同类型的块由另一个块的块分隔开。

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